【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种非门电路结构，特别是涉及一种应用于制作在集成电路中的一种非门电路结构。但是，当所接收到的外来输入信号无法为理想状态时，例如所接收到的低电平信号为大于0伏特较多的0.75伏特及0.9伏特时，将导致N沟道金属_氧化物晶体管12被稍微开启而产生漏电流，以致于大幅增加了此非门电路的功率消耗。本技术的上述目的是这样实现的一种非门电路结构，其包含一输入端，其接收一输入信号，该输入信号具有高低两个电平，其中低电平大于0伏特；一P沟道金属_氧化物晶体管，其栅极耦接至该输入端，而其源极耦接至一电压源；一第一N沟道金属_氧化物晶体管，其漏极耦接至该P沟道金属_氧化物晶体管的漏极以形成一输出端，而其源极耦接至接地点；以及一压降组件，耦接于该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极与该输入端之间，其提供该输入端至该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极间的一电压下降幅度，进而消除该第一N沟道金属_氧化物晶体管于该输入信号在低电平时所产生的漏电流。根据上述构想，本技术所述的非门电路结构，其中该压降组件为一二极管，其阳极端耦接至该输入端，而其阴极与该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄超圣，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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