基于忆阻器的逻辑门电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于忆阻器的逻辑门电路；非门电路包括第一多路选择器、第二多路选择器、第一电阻、第一忆阻器和第一接地开关；第二多路选择器的一路作为非门输入端；第一电阻一端作为非门输出端。与非门电路包括第三、第四、第五多路选择器、第二电阻、第二忆阻器、第三忆阻器、第二接地开关和第三接地开关；第四多路选择器的一路作为与非门第一输入端；第五多路选择器的一路作为与非门第二输入端。第二电阻一端作为与非门输出端。或非门电路包括第六、第七、第八多路选择器、第三电阻、第四忆阻器、第五忆阻器；第七多路选择器的一路作为或非门第一输入端；第八多路选择器的一路作为或非门的第二输入端；第三电阻一端作为或非门输出端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数字电路
，更具体地，涉及三种基于忆阻器的逻辑门电路。
技术介绍
忆阻是美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家蔡少堂于1971年提出的，蔡少 堂教授从对称性角度预言提出，除电容、电感和电阻外，电子电路还应存在第四种基本元 件一忆阻。蔡少棠指出，电压V、电流i、电荷q和磁通量9，这4个基本电路变量之间应该存 在六种数学关系：电流定义为电荷关于时间的导数i(t) =dq(t)/dt;电压是磁通量关于时 间的导数νω= 电阻定义为电压随着电流的变化率R=dv/di;电容定义为电荷随着 电压的变化率C=dq/dv;电感定义为磁通量随着电流的变化率/〃ckPAl/。还有一个问题是 缺少了一种能够将电荷q与磁通量关联起来的电路元件，而这种元件即由电荷q和磁通量 V之间的关系来定义，蔡少棠将该元件命名为忆阻=#/%。 美国惠普实验室的斯坦·威廉斯和其同事在进行极小型电路实验时制造出忆阻的 实物，其成果发表在2008年5月的《nature》杂志上。忆阻的发现足以媲美100年前专利技术 的三极管，其任何一项产业化应用都可能带来新一轮的产业革命。中国科技部2010年4月 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于忆阻器的非门逻辑电路，其特征在于，包括：第一多路选择器S1，第二多路选择器S2，第一电阻R1，第一忆阻器M1和第一接地开关Sel 1；所述第一多路选择器S1的选通端具有电源Vdd与悬空floating两路；所述第一电阻R1的一端与所述第一多路选择器S1的控制端相连，所述第一电阻R1的另一端、所述第一忆阻器M1的一端均与所述第一接地开关Sel 1相连，并且作为所述非门逻辑电路的输出端；所述第一忆阻器M1的另一端连接至所述第二多路选择器S2的控制端；所述第二多路选择器S2的选通端具有A与接地Gnd两路，其中A作为所述非门逻辑电路的输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈轶，徐博文，王小平，陈凯，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42