一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路技术

本申请属于半导体技术领域，提供了一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路，可程式化功率器件包括多个呈阵列设置的单元器件以及用于在镭射状态下熔断的电熔丝阵列；电熔丝阵列用于将相邻的单元器件的连接端一一对应连接，并在镭射状态下断开对应的单元器件之间的连接状态。通过电熔丝将多个单元器件呈阵列设置连接起来，使得单元器件不同的连接方式可以实现不同的功能，以应对不同的应用场景；并且，本申请的不同单元器件之间连接的电熔丝可以通过镭射的方式熔断，使得在针对不用的应用场需要实现不同的功能时，将相应的电熔丝熔断，实现其功能，提升了单元器件的利用率。提升了单元器件的利用率。提升了单元器件的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，半导体电子元器件日益小型化和微型化，由此迫使与之配套的板材框架也日趋小型化、微型化。其中，小功率器件引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件。在现有技术中，一个板材一般只能固定一种连接方式，实现一种功能，然而，当面对不同的应用场景和应用需求时，常常需要更换不同的板材，以实现不同的功能。
[0003]由此可见，现有的板材具有功能单一、利用率不高的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路，可以解决现有的板材具有功能单一、利用率不高的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提供了一种可程式化功率器件，所述可程式化功率器件包括多个呈阵列设置的单元器件以及用于在镭射状态下熔断的电熔丝阵列；
[0006]所述电熔丝阵列用于将相邻的所述单元器件的连接端一一对应连接，并在所述镭射状态下断开对应的所述单元器件之间的连接状态。
[0007]在一个实施例中，每列所述单元器件中的第n个所述单元器件的第一端通过所述电熔丝与第n
‑
1个所述单元器件的第二端连接，每列所述单元器件中的第n个所述单元器件的第二端通过所述电熔丝与第n+1个所述单元器件的第一端连接；其中，n≥2，n为正整数。
[0008]在一个实施例中，每行所述单元器件中的第m个所述单元器件的第一端通过所述电熔丝与第m
‑
1个所述单元器件的第一端以及第m+1个所述单元器件的第一端连接；
[0009]每行所述单元器件中的第m个所述单元器件的第二端通过所述电熔丝与第m
‑
1个所述单元器件的第二端以及第m+1个所述单元器件的第二端连接；其中，m≥2，m为正整数。
[0010]在一个实施例中，每列所述单元器件中的第k个所述单元器件的控制端通过所述电熔丝与第k
‑
1个所述单元器件的控制端以及第k+1个所述单元器件的控制端连接；其中，k≥2，k为正整数。
[0011]在一个实施例中，每行所述单元器件中的第z个所述单元器件的控制端通过所述电熔丝与第z
‑
1个所述单元器件的控制端以及第z+1个所述单元器件的控制端连接；其中，z≥2，z为正整数。
[0012]在一个实施例中，所述单元器件为MOS管、IGBT管或者二极管中的任意一种。
[0013]在一个实施例中，所述单元器件的第一端和第二端位于第一金属层，所述单元器件的控制端位于第二金属层；
[0014]相邻的所述单元器件的控制端通过所述第二金属层内的电熔丝阵列连接。
[0015]在一个实施例中，所述可程式化功率器件包括：至少一个所述单元器件与相邻的
所述单元器件一一对应串联，用于提升所述单元器件的反向耐压能力；
[0016]还包括：
[0017]至少一个所述单元器件与相邻的所述单元器件一一对应并联，用于提升所述单元器件的承受电流能力。
[0018]本申请实施例的第二方面提供了一种可程式化功率器件的制备方法，包括：
[0019]在衬底上形成多个单元器件，多个所述单元器件呈阵列设置；
[0020]采用电熔丝阵列将相邻的所述单元器件的连接端一一对应连接并在镭射状态下断开对应的所述单元器件之间的连接状态。
[0021]本申请实施例的第三方面提供了一种逻辑电路，包括：如上述任一项所述的可程式化功率器件。
[0022]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本申请的专利技术构思在于，通过电熔丝将多个单元器件呈阵列设置连接起来，使得单元器件不同的连接方式可以实现不同的功能，以应对不同的应用场景；并且，本申请的不同单元器件之间连接的电熔丝可以通过镭射的方式熔断，使得在针对不用的应用场需要实现不同的功能时，将相应的电熔丝熔断，实现其功能，提升了单元器件的利用率。
附图说明
[0023]图1是本申请一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0024]图2是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0025]图3是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0026]图4是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0027]图5是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0028]图6是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图；
[0029]图7是本申请另一个实施例提供的可程式化功率器件的结构示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0031]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0032]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0033]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是一个或一个以上，
除非另有明确具体的限定。
[0034]随着科技的发展，半导体电子元器件日益小型化和微型化，由此迫使与之配套的板材框架也日趋小型化、微型化。其中，工程师们会基于成本与制造能力的考察通过并联器件来得到大电流应用，通过串联器件来得到高电压应用。一般一个板材器件只能固定一种连接方式，实现一种功能，器件工程师往往针对应用花费大量的时间针对某个规格设计出单个规格器件结构，当系统需要数个不同的高电压与大电流小型设计时往往需要好几套器件才能完成。
[0035]由此可见，现有的板材具有功能单一、利用率不高的问题。
[0036]为了解决上述技术问题，参考图1所示，本申请实施例提供了一种可程式化功率器件，可程式化功率器件包括多个呈阵列设置的单元器件10以及用于在镭射状态下熔断的电熔丝20阵列。
[0037]具体的，电熔丝20阵列用于将相邻的单元器件10的连接端一一对应连接，并在镭射状态下断开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可程式化功率器件，其特征在于，所述可程式化功率器件包括多个呈阵列设置的单元器件以及用于在镭射状态下熔断的电熔丝阵列；所述电熔丝阵列用于将相邻的所述单元器件的连接端一一对应连接，并在所述镭射状态下断开对应的所述单元器件之间的连接状态。2.如权利要求1所述的可程式化功率器件，其特征在于，每列所述单元器件中的第n个所述单元器件的第一端通过所述电熔丝与第n
‑
1个所述单元器件的第二端连接，每列所述单元器件中的第n个所述单元器件的第二端通过所述电熔丝与第n+1个所述单元器件的第一端连接；其中，n≥2，n为正整数。3.如权利要求1所述的可程式化功率器件，其特征在于，每行所述单元器件中的第m个所述单元器件的第一端通过所述电熔丝与第m
‑
1个所述单元器件的第一端以及第m+1个所述单元器件的第一端连接；每行所述单元器件中的第m个所述单元器件的第二端通过所述电熔丝与第m
‑
1个所述单元器件的第二端以及第m+1个所述单元器件的第二端连接；其中，m≥2，m为正整数。4.如权利要求2所述的可程式化功率器件，其特征在于，每列所述单元器件中的第k个所述单元器件的控制端通过所述电熔丝与第k
‑
1个所述单元器件的控制端以及第k+1个所述单元器件的控制端连接；其中，k≥2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾健忠，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：