半导体开关装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子电路，包括：控制单元（２０），其产生至少一个控制信号；以及两个或多个功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］），每个具有第一和第二主连接。功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］）的第一和第二主连接相互并联地电连接。为每个功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］）提供用于连接到所述控制单元（２０）的第一和第二导电连接。本发明专利技术的目的是实现电流到功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］）的均等动态分配。为此，在每个第一导电连接中提供第一有感电阻器并且在每个第二导电连接中提供第二有感电阻器，从而对于每个功率半导体开关，第一有感电阻器耦合到第二有感电阻器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率电子学领域。本专利技术涉及分别按照专利权利要求1和6的前序部分的电子电路和功率半导体模块。
技术介绍
在传统的功率半导体模块中，经常将通常相同的两个或多个功率半导体开关并联连接以实现所需的总电流容量。在这种情况下，必须保证在任何时间点流过半导体功率模块的总电流尽可能均匀地分布在各个功率半导体开关之间，以防止超过单个半导体开关的电流容量。具体地说，在此情况下开关操作是关键的，这是因为在这些操作期间，从功率半导体开关的输出侧到驱动侧的反馈会导致不均匀的动态电流分配。以下参照图1对此进行说明。图1示出了按照现有技术的、具有并联连接的三个功率半导体开关的功率半导体模块的电路图，所述功率半导体模块是例如在对三个绝缘栅双极晶体管(IGBT)T1、T2和T3进行不对称布局的情况下生产的。在这种情况下，由于相应发射极端子E1、E2或E3与节点C之间的对应导电连接的几何形状不同，寄生发射极侧电感LE，1、LE，2和LE，3具有不同的值。在开关操作期间，由于所述电感的值不同，在电感LE，1、LE，2和LE，3上感生了不同的电压。在LE，1＝LE，3＞LE，2的当前情况下，这导致了动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路，特别用作功率开关，包括：－驱动单元（２０），其产生至少一个驱动信号；－两个或多个功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］），每个具有第一和第二主端子，利用所述驱动信号可以使所述功率半导体开关同步地开关 ，在每种情况下，所述功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］）的第一和第二主端子相互并联地电连接；－对于每个所述功率半导体开关（Ｔ↓［１］，Ｔ↓［２］，Ｔ↓［３］），用于连接到所述驱动单元（２０）的第一和第二导电连接； －在每个所述第一导电连接中的第一电感（Ｌ↓［Ｄ１，１］，Ｌ↓［Ｄ１，２］，Ｌ↓［Ｄ１，３］）...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔里克施拉普巴克，拉斐尔施内尔，
申请(专利权)人：ABB技术有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]