声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；IDT结构设置在第一承载区；引线设置在第二承载区，并与IDT结构电性连接；焊盘设置在引线的上表面；钝化层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖IDT结构的外表面、引线的外表面以及焊盘的外表面，第二保护层位于第二承载区、并覆盖在第一保护层与焊盘的侧面相对区域的外表面。在本发明专利技术中，通过在焊盘周围设置两层保护层，可以实现焊盘周围的钝化层的加厚处理，进而避免钝化层在焊盘的侧面发生断裂。化层在焊盘的侧面发生断裂。化层在焊盘的侧面发生断裂。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法


[0001]本专利技术属于射频滤波装置领域，涉及一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，声表面波器件(即SAW器件100a)是通信系统的关键器件，SAW器件100a主要包括压电基底1a、叉指换能器结构(即IDT结构2a)、引线3a、焊盘4a以及钝化层5a。其中，IDT结构2a和引线3a均设置在压电基底1a的上表面，且引线3a具有多个，这些引线3a分别与IDT结构2a的相应电极电性连接。生产时，通过蚀刻压电基底1a上的金属层可以同时制备出IDT结构2a和引线3a。焊盘4a设置在引线3a的上表面，钝化层5a覆盖IDT结构2a、引线3a以及焊盘4a的外表面，用于将IDT结构2a、引线3a以及焊盘4a与周围环境隔离开来，以增强SAW器件100a对外来离子沾污的阻挡能力，保护SAW器件100a内部的互联和防止受到机械和化学损伤。但是，如果功能区的钝化层5a过厚，则会恶化声学性能，显著降低SAW器件100a的Q值，因此钝化层5a的厚度通常设置的较薄。
[0003]SAW器件100a在使用时，通常会封装在相应的基板上，在将SAW器件100a封装到基板的过程中，一般先在位于焊盘4a的上表面的钝化层5a上设置开孔6a，并采用化学镀等方式在开孔6a的底部制备UBM(Under
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Bump Metallization)镍金7a，然后在镍金7a上印刷焊球8a(焊球8a的材质通常为锡)，最后通过SMT(Surface Mounted Technology)工艺使焊球8a与基板上的相应焊点焊接在一起。
[0004]化学镀镍金7a所采用的药液对焊盘4a(焊盘4a的材质通常为Al)具有较强的腐蚀性，为了避免药液由上到下蚀刻穿焊盘4a，进而导致SAW器件100a损坏，焊盘4a的厚度通常会设置的较大，又由于钝化层5a厚度较薄，所以导致制备SAW器件100a时，钝化层5a容易在焊盘4a的侧面断裂形成缝隙9a，使得钝化层5a难以对引线3a和焊盘4a进行有效保护。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：针对现有技术中SAW器件的钝化层容易在焊盘的侧面断裂的问题，提供一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种声表面波器件，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；所述压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；所述IDT结构设置在所述第一承载区；所述引线设置在所述第二承载区，并与所述IDT结构电性连接；所述焊盘设置在所述引线的上表面；所述钝化层包括第一保护层和第二保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；所述第二保护层位于所述第二承载区，并覆盖在所述第一保护层与所述焊盘的侧面相对区域的外表面。
[0007]可选的，所述第二防护层的厚度大于所述第一防护层的厚度。
[0008]可选的，所述第一防护层的厚度为15nm
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30nm，所述第二防护层的厚度大于50nm。
[0009]可选的，所述第一防护层和所述第二防护层的材质不同。
[0010]可选的，所述焊盘包括至少两个焊层；所述至少两个焊层中的第一焊层设置在所述引线的上表面，所述至少两个焊层中的第二焊层设置在所述第一焊层的上表面；所述第一焊层的侧面凸出所述第二焊层，以使所述第一焊层与所述第二焊层之间形成第一台阶结构。
[0011]可选的，所述声表面波器件上设有开孔，所述开孔设置在所述第二保护层与所述焊盘的上表面相对的区域；沿着由上而下的方向，所述开孔包括依次连通设置的第一段孔、第二段孔以及第三段孔，所述第一段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第二保护层，所述第二段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述第一保护层，所述第三段孔为设置在所述焊盘的上表面的盲孔；所述声表面波器件还包括焊球，所述焊球的一端设置在所述开孔内，并与所述焊盘电性连接，所述焊球的另一端位于所述开孔外。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供一种封装模组，包括基板以及上述任意一项所述的声表面波器件，所述声表面波器件电连接在所述基板上。
[0013]为解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供一种声表面波器件的制作方法，包括：在压电基底的上表面制备IDT结构及引线，其中，所述IDT结构与所述引线电性连接，所述IDT结构位于所述压电基底的第一承载区，所述引线位于所述压电基底的第二承载区；在所述引线区的上表面制备焊盘；在所述第一承载区和第二承载区设置第一保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；在所述第二承载区制备第二保护层，其中，所述第二承载区覆盖在所述第一保护层与所述焊盘相对区域的外表面。
[0014]可选的，在所述第二承载区设置第二保护层的步骤包括：在所述第一承载区和所述第二承载区设置第二保护层，其中，所述第二保护层覆盖所述第一保护层的外表面；去除位于所述第一承载区的所述第二保护层。
[0015]可选的，去除位于所述第一承载区的所述第二保护层的步骤包括：在位于所述第一承载区的第二保护层上使用蚀刻液，以蚀刻位于所述第一承载区的所述第二保护层，其中，所述第一保护层为所述蚀刻液的耐性材料。
[0016]在本专利技术实施例提供的声表面波器件及封装模组中，第一保护层用于对IDT结构、引线以及焊盘的外表面进行全面覆盖，相当于是现有技术中的钝化层，第二保护层用于对焊盘侧面的钝化层进行加厚，进而避免钝化层在焊盘的侧面发生断裂。同时，由于钝化层覆盖在IDT结构上的那部分的厚度较小，可以有效避免对声表面波器件的声学性能产生不良影响。
附图说明
[0017]图1为现有技术中的声表面波器件的剖面示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图一；
[0019]图3为本专利技术实施例一提供的声表面波器件的制备方法的示意图；
[0020]图4为本专利技术实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图二；
[0021]图5为本专利技术实施例一提供的声表面波器件的剖面示意图三；
[0022]图6为本专利技术实施例二提供的声表面波器件的剖面示意图。
[0023]说明书中的附图标记如下：
[0024]100、声表面波器件；1、压电基底；11、第一承载区；12、第二承载区；2、IDT结构；3、引线；4、焊盘；41、第一焊层；42、第二焊层；5、钝化层；51、第一保护层；511、第一区、512、第二区；513、第三区；52、第二保护层；6、开孔；61、第一段孔；62、第二段孔；63、第三段孔；7、焊球；8、凸点下金属。
具体实施方式
[0025]为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；所述压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；所述IDT结构设置在所述第一承载区；所述引线设置在所述第二承载区，并与所述IDT结构电性连接；所述焊盘设置在所述引线的上表面；所述钝化层包括第一保护层和第二保护层，其中，所述第一保护层覆盖所述IDT结构的外表面、所述引线的外表面以及所述焊盘的外表面；所述第二保护层位于所述第二承载区，并覆盖在所述第一保护层与所述焊盘的侧面相对区域的外表面。2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第二防护层的厚度大于所述第一防护层的厚度。3.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一防护层的厚度为15nm
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30nm，所述第二防护层的厚度大于50nm。4.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一防护层和所述第二防护层的材质不同。5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述焊盘包括至少两个焊层；所述至少两个焊层中的第一焊层设置在所述引线的上表面，所述至少两个焊层中的第二焊层设置在所述第一焊层的上表面；所述第一焊层的侧面凸出所述第二焊层，以使所述第一焊层与所述第二焊层之间形成第一台阶结构。6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件上设有开孔，所述开孔设置在所述第二保护层与所述焊盘的上表面相对的区域；沿着由上而下的方向，所述开孔包括依次连通设置的第一段孔、第二段孔以及第三段孔，所述第一段孔设置在所述第一保护层上并贯穿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜波，王华磊，霍振选，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：