一种谐振器和滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种谐振器和滤波器，谐振器包括：衬底，所述衬底的第一表面设置有声反射结构；底电极，位于所述声反射结构远离所述衬底的一侧；压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧；钝化层，位于所述顶电极远离所述压电层的一侧；保护层，位于所述钝化层远离所述顶电极的一侧，所述保护层覆盖所述钝化层。本实用新型专利技术实施例提供了一种谐振器和滤波器，可以提高谐振器的防水性，也可以降低谐振器的报废率。器的报废率。器的报废率。

A resonator and filter

【技术实现步骤摘要】
一种谐振器和滤波器


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种谐振器和滤波器。

技术介绍

[0002]谐振器就是指产生谐振频率的电子元件，具有稳定，抗干扰性能良好的特点，广泛应用于各种电子产品中，如滤波器中。在制造谐振器或滤波器时，由于薄膜或刻蚀机台工艺均匀性的原因，单片晶圆内不同区域的厚度无法做到完全一致，即单片晶圆上不同区域的谐振器或滤波器频率会不一致。为了解决多个谐振器或滤波器频率不一致的问题，让谐振器或滤波器产品工作在设定的频率范围，从而提高产线良品率，现有技术通常通过离子束刻蚀的方式对钝化层进行表面刻蚀(trim)处理，即对工作频率偏低的谐振器多刻蚀一些，对工作频率偏高的谐振器少刻蚀一些，从而实现最终所有的谐振器工作在相同的频率范围。
[0003]然而，现有的谐振器中的钝化层多采用氮化铝材材料，这种材料遇水后厚度会发生变化从而改变谐振器的工作频率，因此，在对钝化层进行表面刻蚀处理后，无法再进行水洗或表面等离子处理等操作；另外，现有的谐振器在生产制造过程中由于工艺控制的原因，会发生钝化层被过多刻蚀后造成谐振器的工作频率超出设定的频率范围的问题，从而导致谐振器的报废。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供了一种谐振器和滤波器，可以提高谐振器的防水性，也可以降低谐振器的报废率。
[0005]根据本技术的一方面，提供了一种谐振器，该谐振器包括：
[0006]衬底，所述衬底的第一表面设置有声反射结构；
[0007]底电极，位于所述声反射结构远离所述衬底的一侧；
[0008]压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；
[0009]顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧；
[0010]钝化层，位于所述顶电极远离所述压电层的一侧；
[0011]保护层，位于所述钝化层远离所述顶电极的一侧，所述保护层覆盖所述钝化层。
[0012]可选的，所述顶电极包括引脚；
[0013]所述钝化层包括第一通孔，所述第一通孔裸露所述引脚；
[0014]所述保护层包括第二通孔，所述第二通孔裸露所述引脚。
[0015]可选的，所述保护层的厚度小于或等于100埃。
[0016]可选的，所述钝化层的材料包括氮化铝；
[0017]所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
[0018]可选的，本实施例提供的谐振器还包括温度补偿层；
[0019]所述温度补偿层位于所述衬底和所述底电极之间。
[0020]可选的，本实施例提供的谐振器还包括温度补偿层；
[0021]所述温度补偿层位于所述底电极远离所述衬底的一侧。
[0022]可选的，所述温度补偿层位于所述底电极与所述压电层之间。
[0023]可选的，所述温度补偿层位于所述顶电极与所述钝化层之间。
[0024]可选的，所述温度补偿层位于所述顶电极与所述压电层之间。
[0025]可选的，所述衬底包括凹槽；
[0026]所述底电极位于所述衬底设置有所述凹槽的一侧；
[0027]所述底电极与所述凹槽之间形成所述声反射结构。
[0028]可选的，本实施例提供的谐振器还包括支撑层；
[0029]所述支撑层设置在所述衬底与所述底电极之间；
[0030]所述支撑层与所述衬底之间形成所述声反射结构。
[0031]根据本技术的另一方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括本技术任意实施例提供的谐振器。
[0032]本实施例提供的谐振器在钝化层远离顶电极的一侧设置有保护层，保护层可以防止钝化层被水腐蚀而影响谐振器的工作频率，其次，保护层具有一定的厚度，当钝化层被过多刻蚀而造成谐振器报废时，保护层可以补偿多刻蚀的部分，最终使谐振器的不同区域工作在相同的频率范围内。本技术实施例提供的谐振器，可以提高谐振器的防水性，也可以降低谐振器的报废率。
[0033]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本技术的范围。本技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是根据本技术实施例提供的一种谐振器的结构示意图；
[0036]图2是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0037]图3是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0038]图4是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0039]图5是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0040]图6是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0041]图7是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0042]图8是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图；
[0043]图9是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图。
具体实施方式
[0044]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实
施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0045]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0046]图1是根据本技术实施例提供的一种谐振器的结构示意图，图2是根据本技术实施例提供的又一种谐振器的结构示意图，参考图1和图2，该谐振器包括：衬底110，衬底110的第一表面设置有声反射结构111；底电极120，位于声反射结构111远离衬底110的一侧；压电层130，位于底电极120远离衬底110的一侧；顶电极140，位于压电层130远离底电极120的一侧；钝化层150，位于顶电极140远离压电层130的一侧；保护层160，位于钝化层150远离顶电极140本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面设置有声反射结构；底电极，位于所述声反射结构远离所述衬底的一侧；压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧；钝化层，位于所述顶电极远离所述压电层的一侧；保护层，位于所述钝化层远离所述顶电极的一侧，所述保护层覆盖所述钝化层。2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述顶电极包括引脚；所述钝化层包括第一通孔，所述第一通孔裸露所述引脚；所述保护层包括第二通孔，所述第二通孔裸露所述引脚。3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述保护层的厚度小于或等于100埃。4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化铝；所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，还包括温度补偿层；所述温度补偿层位于所述衬底和所述底电极之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清华，赖志国，吴光胜，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：