具有开关元件和两个二极管的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置（５０）具有晶体管（Ｔ）、二极管（Ｄ１）、二极管（Ｄ２）。晶体管（Ｔ）的集电极（Ｃ）与二极管（Ｄ１）的阴极（Ｋ１）电连接。晶体管（Ｔ）的集电极（Ｃ）与二极管（Ｄ２）的阴极（Ｋ２）电连接，并且，晶体管（Ｔ）的发射极（Ｅ）与二极管（Ｄ２）的阳极（Ａ２）电连接。二极管（Ｄ１）与二极管（Ｄ２）形成在同一衬底上。由此，可以谋求小型化以及减少制造步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具有电流型反相器(current source inverter)的开关元件和以防止该开关元件石皮坏为目的而设置的两个二极 管的半导体。
技术介绍
反相器具有将直流电变换为交流电的功能、或者变换交流电的振 幅、频率或相位的功能，应用于电动机控制、电源装置、放电灯稳定器 等极其广泛的用途。反相器中具有作为电压源进行工作的电压型反相器 和作为电流源进行工作的电流型反相器。参照图14，电流型反相器100具有交流电源AC;开关元件SW1 ~ SW4;负载L。开关元件SW1以及开关元件SW2串联连接，开关元件 SW3以及开关元件SW4串联连接。并且，开关元件SW1以及SW2的 组与开关元件SW3以及SW4的组相对交流电源并联连接。负载L以连 接开关元件SW1以及SW2之间的点和开关元件SW3以及SW4之间的 点的方式进行配置。在电流型反相器100中，通过控制各个开关元件 SW1 SW4的接通、断开来适当地变换来自交流电源AC的交流电，并 施加给负载L。作为电流型反相器100的开关元件SW1-SW4，存在使用IGBT (Insulated Gate Bipol本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有开关元件、第１二极管、第２二极管，所述开关元件的集电极与所述第１二极管的阴极电连接，或者所述开关元件的发射极与所述第１二极管的阳极电连接，所述开关元件的集电极与所述第２二极管的阴极电连接，并且所述开关元件的发射极与所述第２二极管的阳极电连接，所述第１二极管与所述第２二极管形成在同一衬底上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：广田庆彦，田所千广，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]