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本发明的半导体装置（５０）具有晶体管（Ｔ）、二极管（Ｄ１）、二极管（Ｄ２）。晶体管（Ｔ）的集电极（Ｃ）与二极管（Ｄ１）的阴极（Ｋ１）电连接。晶体管（Ｔ）的集电极（Ｃ）与二极管（Ｄ２）的阴极（Ｋ２）电连接，并且，晶体管（Ｔ）的发射极（Ｅ）与二...
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