热头驱动电路制造技术

技术编号:3409625 阅读:180 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种热头驱动电路,其目的是减低开关噪声、防止半导体集成电路的破坏。所述热头驱动电路,具有:由p沟道MOS晶体管QP1和n沟道MOS晶体管QN1构成、向栅极供给矩形波的驱动信号来进行反转的反相器型驱动电路;和向栅极供给所述反相器型驱动电路输出的被反转过的驱动信号、驱动在漏极上连接有热头13的功率MOS晶体管QN2,其中,具有:在p沟道MOS晶体管QP1的漏极和n沟道MOS晶体管QN1的漏极间连接的第一电阻R1;和在第一电阻和n沟道MOS晶体管QN1的漏极间的连接点与功率MOS晶体管QN2的栅极间连接的第二电阻R2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及热头驱动电路,涉及具有反相器型驱动电路和功率MOS晶体 管的热头驱动电路。技术背景现有技术中,通过把流过电流时发热的热头排列成一列,从在每一个热 头上设置的驱动电路向各个热头流过电流,来热熔解热敏纸的墨水进行印刷。图7表示现有技术的热头驱动电路的一例的电路结构图。该电路已被半 导体集成电路化了,其表示驱动一个热头的部分。在该图中,在端子1上供给一位的驱动信号(矩形波),供给p沟道MSO —FET (场效应晶体管)QP1以及n沟道MSO—FET QN1的栅极。FET QP1 的源极连接电源Vdd, FETQP1和FETQN1的漏极连接在一起,FETQN1的 源极接地,FETQP1和FETQN1构成反相器型驱动电路。在FETQP1和FETQN1的漏极上,连接作为功率MSO晶体管的n沟道 FETQN2的栅极。FETQN2源极接地,漏极连接半导体集成电路的外部端子 2。此外,电容Cin是FETQN2的栅极.源极间的寄生电容。在外部端子2上 连接热头3的一端,热头3的另一端连接电源Vdd。此外,在专利文献l中记载了使矩形波的上升和下降各个延迟的电路。专利文献1实开平4一 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热头驱动电路,具有:由p沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管构成、向栅极供给矩形波的驱动信号来进行反转的反相器型驱动电路;和向栅极供给所述反相器型驱动电路输出的被反转过的驱动信号、驱动在漏极上连接的热头的功率MOS晶体管,其特征在于,    具有:    在所述p沟道MOS晶体管的漏极和所述n沟道MOS晶体管的漏极连接的第一电阻;和    在所述第一电阻和所述n沟道MOS晶体管的漏极间的连接点与所述功率MOS晶体管的栅极间连接的第二电阻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:大原智光寺田幸弘
申请(专利权)人:三美电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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