一种半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成硬质掩膜层；刻蚀所述硬质掩膜层至所述阻挡层，形成第一开口；在所述第一开口和所述第一开口一侧的所述硬质掩膜层上，向所述衬底一侧蚀刻，形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；其中，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的深度差，等于所述硬质掩膜层的厚度与所述衬底和所述硬质掩膜层的刻蚀选择比的乘积。通过本发明专利技术提供的一种半导体结构的制造方法，可优化半导体结构的制造工艺。体结构的制造工艺。体结构的制造工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]浅沟槽隔离结构(Shallow Trench Isolation, STI)是集成电路中重要的结构，可防止相邻的半导体器件之间的电流泄漏，以及发挥其他电学性能的作用。在半导体制程工艺中，有些半导体器件包括不同的功能区，对浅沟槽隔离结构的深度要求不同，需要在芯片不同区域形成不同深度的浅沟槽隔离结构。因此，提高刻蚀效率，简化工艺流程和降低成本是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，解决了现有形成浅沟槽时，刻蚀工艺复杂且光阻残留问题，所述制作方法简单且刻蚀效果好。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，其至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成硬质掩膜层；刻蚀所述硬质掩膜层至所述阻挡层，形成第一开口；在所述第一开口和所述第一开口一侧的所述硬质掩膜层上，向所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成硬质掩膜层；刻蚀所述硬质掩膜层至所述阻挡层，形成第一开口；在所述第一开口和所述第一开口一侧的所述硬质掩膜层上，向所述衬底一侧蚀刻，形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；其中，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的深度差，等于所述硬质掩膜层的厚度与所述衬底和所述硬质掩膜层的刻蚀选择比的乘积。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法还包括以下步骤：在所述衬底上形成垫氧化层；以及在所述垫氧化层上形成垫氮化层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层形成于所述垫氮化层上，所述阻挡层的厚度为50
Å
~150
Å
。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的厚度为200
Å
~600
Å
。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽通过一步刻蚀形成，且所述第一浅沟槽的深度大于所述第二浅沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：