半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：向所述第一开口底部注入第一离子，使所述第一开口暴露出的所述第一抗反射材料层形成第一改性区，使所述第二区上的第一抗反射材料层以及所述残留层形成第二改性区；刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区，直到去除所述第一改性区，使所述第一抗反射材料层形成第一抗反射层，所述第二改性区中的第一抗反射材料层相对于所述第一改性区密度较低，在刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区的工艺中，使位于所述第二区上的第一图形材料层表面残留很少，不影响后续的刻蚀工艺，从而提高了图形定义的准确性，从而提高了器件的性能。提高了器件的性能。提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的不断发展，为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，集成电路芯片朝向更高的器件密度、更高的集成度方向发展。
[0003]随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小，对光刻工艺的挑战越来越大。控制图案线宽的临界尺寸成为半导体发展的一个重要方向。为了形成更为精细的图案，以及工艺过程中的保真度，引入自对准双重图形技术(SADP)、自对准四重图形技术(SAQP)等，以实现更小尺寸的图形。
[0004]然而，现有的光刻技术有待进一步的提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和环绕所述第一区的第二区；在所述待刻蚀层表面上形成第一图形材料层、位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和环绕所述第一区的第二区；在所述待刻蚀层表面上形成第一图形材料层、位于所述第一图形材料层表面的第一抗反射材料层、以及位于所述第一抗反射材料层表面的第二抗反射材料层；图形化所述第二抗反射材料层，形成第二抗反射层以及位于所述第二抗反射层内的第一开口，并使所述第一区上第一开口底部的所述第一抗反射材料层表面暴露，所述第二区上残留的部分第二抗反射材料层形成残留层；向所述第一开口底部注入第一离子，使所述第一开口暴露出的所述第一抗反射材料层形成第一改性区，使所述第二区上的第一抗反射材料层以及所述残留层形成第二改性区；刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区，直到去除所述第一改性区，使所述第一抗反射材料层形成第一抗反射层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一抗反射层内具有第二开口，所述第二开口底部暴露出所述第一区上第一图形材料层表面。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：向所述第二开口底部注入第二离子，使位于所述第二开口底部的所述第一图形材料层形成第三改性区，使位于所述第一抗反射层底部的所述第一图形材料层形成第一图形层；去除所述第三改性区。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一图形层侧壁形成侧墙；在形成所述侧墙之前，还去除所述第一抗反射层、所述第二抗反射层；形成所述侧墙后，去除所述第一图形层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一图形材料层前，还包括：在所述待刻蚀层表面形成第二图形材料层，所述第二图形材料层位于所述第一图形材料层与所述待刻蚀层之间。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二图形材料层的材料包括氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层暴露出所述第二图形材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，付斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：