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一种半导体结构的形成方法，包括：向所述第一开口底部注入第一离子，使所述第一开口暴露出的所述第一抗反射材料层形成第一改性区，使所述第二区上的第一抗反射材料层以及所述残留层形成第二改性区；刻蚀所述第一改性区和所述第二改性区，直到去除所述第一改性...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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