半导体结构的制造方法技术

该发明专利技术公开了一种半导体结构的制造方法，包括提供基底；于基底上形成第一掩膜图案和第一掩膜开口，第一掩膜开口位于相邻的第一掩膜图案之间；于第一掩膜图案和第一掩膜开口上形成第二掩膜图案和第二掩膜开口，第二掩膜开口位于相邻的第二掩膜图案之间，其中，第二掩膜图案在基底上的投影和第一掩膜图案以及第一掩膜开口在基底上的投影至少部分重叠，且第二掩膜开口在基底上的投影和第一掩膜图案以及第一掩膜开口在基底上的投影至少部分重叠；基于第一掩膜图案、第一掩膜开口、第二掩膜图案和第二掩膜开口在基底上形成第一图案和第一开口。根据本发明专利技术实施例的半导体结构的制造方法能够提高图形化的精度，减小图形线宽，提高集成度。集成度。集成度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]现有技术的半导体行业中，缩小器件尺寸，在一定面积内增加器件数量是未来发展方向，目前半导体成像制程中阶跃式缩小线宽的方法主要是自对准双重图形化(Self-Aligned Double Patterning,SADP)和自对准四重图形化(Self-Aligned Quadruple Patterning,SAQP)，对于更小器件更多的芯片，关键线宽一直是制约下一代半导体的瓶颈。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，能够提高图形化的精度，减小图形线宽，提高集成度。
[0004]根据本专利技术实施例的半导体结构的制造方法，包括：提供基底；于该基底上形成第一掩膜图案和第一掩膜开口，第一掩膜开口位于相邻的第一掩膜图案之间；于第一掩膜图案和第一掩膜开口上形成第二掩膜图案和第二掩膜开口，第二掩膜开口位于相邻的第二掩膜图案之间，其中，第二掩膜图案在基底上的投影和第一掩膜图案以及第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底上形成第一掩膜图案和第一掩膜开口，所述第一掩膜开口位于相邻的所述第一掩膜图案之间；于所述第一掩膜图案和所述第一掩膜开口上形成第二掩膜图案和第二掩膜开口，所述第二掩膜开口位于相邻的所述第二掩膜图案之间，其中，所述第二掩膜图案在所述基底上的投影和所述第一掩膜图案以及所述第一掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠，且所述第二掩膜开口在所述基底上的投影和所述第一掩膜图案以及所述第一掩膜开口在所述基底上的投影至少部分重叠；基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述基底上形成第一图案和第一开口。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，利用同一光罩形成所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：于所述第一掩膜图案和所述第一掩膜开口上形成第一介质层，所述第一介质层填充所述第一掩膜开口，且所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口位于所述第一介质层上。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，基于所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口图形化所述第一介质层以形成倒L型图案，所述倒L型图案包括倒L型顶部和倒L型侧部。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述基于所述第一掩膜图案、第一掩膜开口、第二掩膜图案和第二掩膜开口在所述基底上形成第一图案和第一开口的步骤，包括：去除所述倒L型顶部上方的所述第二掩膜图案和所述倒L型侧部周边的所述第一掩膜图案；去除所述倒L型顶部，保留所述倒L型侧部；利用所述倒L型侧部刻蚀所述基底，在所述基底上形成所述第一图案和所述第一开口。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的材质相同；所述去除所述倒L型顶部上方的所述第二掩膜图案和所述倒L型侧部周边的所述第一掩膜图案的步骤，包括：在同一刻蚀步骤中同时去除所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：在所述基底上形成第一掩膜层；所述基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述基底上刻蚀所述基底上形成第一图案和第一开口的步骤，包括：基于所述第一掩膜图案、所述第一掩膜开口、所述第二掩膜图案和所述第二掩膜开口在所述第一掩膜层上形成初始第一图案和初始第一开口；形成填充所述初始第一开口的第二介质层；
在所述第二介质层上形成初始第二图案和初始第二开口；基于所述初始第一图案、所述初始第一开...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈恩浩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：