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该发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括提供基底；于基底上形成第一掩膜图案和第一掩膜开口，第一掩膜开口位于相邻的第一掩膜图案之间；于第一掩膜图案和第一掩膜开口上形成第二掩膜图案和第二掩膜开口，第二掩膜开口位于相邻的第二掩膜图案之间，其中，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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