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本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成硬质掩膜层；刻蚀所述硬质掩膜层至所述阻挡层，形成第一开口；在所述第一开口和所述第一开口一侧的所述硬质掩膜层上，...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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