半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括沿第一方向排布第一区和第二区，所述第一区和第二区在所述第一方向上相邻；在所述待刻蚀层上形成牺牲层，所述牺牲层内具有连通的第一导电开口和第一隔断开口，所述第一导电开口位于第一区上，且所述第一隔断开口沿第二方向贯穿第二区上的牺牲层；在所述牺牲层表面形成侧墙膜，所述侧墙膜填充满所述第一隔断开口；在所述侧墙膜上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有第二隔断开口，第二隔断开口沿第二方向贯穿第一区和第二区上的牺牲层，且所述第二区上的第二隔断开口暴露出所述第一隔断开口中的侧墙膜；以所述第一图形化层为掩膜，减薄所述侧墙膜。从而，提高了半导体结构的可靠性。构的可靠性。构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着电路集成度的提高和规模的增大，电路中的单元器件尺寸不断缩小，对集成电路制造工艺的要求不断提高，例如关键尺寸持续减小，芯片制造对光刻分辨率要求越来越高。而随着设计尺寸的不断缩小，设计图形的最小分辨率已超过现有的光学光刻平台的极限能力，业界采用了多种技术方案来解决该技术问题，而根据国际半导体技术蓝图所示，双重图形化技术(DPT)、极紫外线技术(EUV)、电子束直写(EBL)等技术方案都被业界寄予了厚望。
[0003]现有两次图形化工艺包括多种，其中采用LELE(Litho
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Etch
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Litho
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Etch，光刻
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刻蚀
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光刻
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刻蚀)工艺的两次图形化工艺方法是现有多种两次图形化工艺方法中比较常见的一种。LELE工艺方法需要将版图拆分为两部分，然后分别通过两个分离的光刻刻蚀步骤各产生其中的一部分图形。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括沿第一方向排布第一区和第二区，所述第一区和第二区在所述第一方向上相邻；在所述待刻蚀层上形成牺牲层，所述牺牲层内具有连通的第一导电开口和第一隔断开口，所述第一导电开口位于第一区上，且所述第一隔断开口沿第二方向贯穿第二区上的牺牲层，所述第二方向与第一方向互相垂直；在所述牺牲层表面形成侧墙膜，所述侧墙膜填充满所述第一隔断开口；在所述侧墙膜上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有第二隔断开口，所述第二隔断开口沿第二方向贯穿第一区和第二区上的牺牲层，且所述第二区上的第二隔断开口暴露出所述第一隔断开口中的侧墙膜；以所述第一图形化层为掩膜，减薄所述侧墙膜。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在以所述第一图形化层为掩膜减薄侧墙膜后，在所述第二隔断开口内的侧墙膜表面形成第二隔断材料层，所述第二隔断材料层填充满第二隔断开口；平坦化所述第二隔断材料层，直至暴露出所述第一隔断开口中的侧墙膜顶面，形成第二隔断层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在平坦化所述第二隔断层的过程中，去除所述第一图形化层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二隔断层后，采用各向异性的刻蚀工艺，刻蚀牺牲层表面的侧墙膜，直至暴露出牺牲层表面，在所述第一导电开口侧壁面和第一隔断开口内形成侧墙。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述侧墙之后，在所述牺牲层表面形成第二图形化层，在所述第二区上的第二图形化层内，具有沿第二方向延伸的第二导电图形开口，所述第二导电图形开口暴露出第一区上的侧墙侧壁面，并且，所述第二区上的侧墙贯穿所述第二导电图形开口；以所述第二图形化层、侧墙为掩膜，刻蚀所述牺牲层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，在所述牺牲层内形成第二导电开口。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所述牺牲层、侧墙和第二隔断层为掩膜，对所述待刻蚀层进行刻蚀。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括衬底、以及位于所述衬底上的第一掩膜材料层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述待刻蚀层进行刻蚀的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘睿，张冠军，黄沙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：