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一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括沿第一方向排布第一区和第二区，所述第一区和第二区在所述第一方向上相邻；在所述待刻蚀层上形成牺牲层，所述牺牲层内具有连通的第一导电开口和第一隔断开口，所述第一导电开口位于第一区上，且所述第一隔...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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