一种硅片处理设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种硅片处理设备，包括湿法站、导片站和高温站。所述湿法站用于对硼扩散后的硅片处理；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；所述高温站用于对所述硅片制备多晶硅层。本实用新型专利技术缩短生产制程的时间，提高了硅片被处理后的可靠性。硅片被处理后的可靠性。硅片被处理后的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片处理设备


[0001]本技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种硅片处理设备。

技术介绍

[0002]钝化接触电池(TOPCon)作为背钝化电池(PERC)的升级，能够获得更高的光电转换效率。目前，比较通用的TOPCon量产工艺流程为：1、制绒；2、硼扩散；3、背面抛光；4、化学气相沉积生长SiO2/Poly
‑
Si；5、退火或扩散；6、去绕镀、清洗；7、正面沉积Al2O3；8、双面氮化硅；9、金属化。
[0003]其中，第三步背面抛光工艺完成后要先下料到塑料大花篮，再用导片机把大花篮中的硅片导入到耐高温的石英舟中，然后再把石英舟放置到上料桨，输送到后续的低压力化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)加热炉管，进行SiO2/Poly
‑
Si沉积工艺。但是，该过程较繁琐，在工业化生产中，每增加一次机械导片过程，都有增加碎片率和划伤硅片的风险，并且无法保证硅片的干燥、洁净，会造成电池的EL不良，效率降低，可靠性下降。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种硅片处理设备，缩短生产制程的时间，提高了硅片被处理后的可靠性。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本技术提供了一种硅片处理设备，包括：所述湿法站，用于对硼扩散后的硅片依次进行抛光和清洗；或，所述湿法站，用于对硼扩散后的所述硅片依次进行抛光、清洗和氧化；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；当所述湿法站对所述硅片进行抛光和清洗后，所述高温站用于在所述硅片上制备氧化层和多晶硅层；或，当所述湿法站对所述硅片进行进行抛光、清洗和氧化后，所述高温站用于对所述硅片退火并在所述硅片上制备多晶硅层。
[0006]本技术的有益效果在于：通过依次设置相互导通的湿法站、导片站和高温站，缩短了处理硅片的时间，提高了效率，避免了在处理过程中环境中尘埃对硅片的污染。另外，所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室。所以通过所述湿法站处理后的硅片，从所述装载室装载后通过所述第一传送门直接输送至等候室内，然后通过第二传送门输送至高温站进行处理，整个硅片的处理过程避免了外界环境中尘埃等污染物或空气中的水气。并且，由于等候室靠近高温站，受到高温部热辐射的影响，此等候室湿度比周围环境更低，更不易吸附水气，提高了硅片被处理后的可靠性。
[0007]可选的，所述湿法站包括传动滚轮、容器池和风干室；所述湿法站与所述导片站相
接处开设有出口；所述容器池和所述风干室朝向所述装载室依次并排设置，所述风干室靠近所述装载室，所述容器池和所述风干室均具有开口，所述容器池用于盛放反应液；所述传动滚轮设于所述开口，直至延伸至所述出口，所述传动滚轮的部分位于所述容器池内。其有益效果在于：通过在湿法站和导片的相接处设置出口，所以硅片通过传动滚轮依次经过容器池，与反应液接触后从出口运输至装置室内进行装载，提高了硅片的处理效率。另外，将风干室靠近装载室设置，使进行湿法处理后，风干硅片，保证硅片表面干燥。
[0008]可选的，所述装载室包括升降装置和石英舟；所述石英舟设于所述升降装置的伸缩端，所述伸缩端靠近所述出口，所述石英舟用于装载所述硅片；所述第一传送门的两侧设有滑轨，所述升降装置用于将所述石英舟输送至所述滑轨上。其有益效果在于：由于升降装置的伸缩端靠近出口，所以硅片通过出口传输至位于伸缩端的石英舟上，完成自动化装载，当石英舟装载完成后，伸缩端将石英舟传输至滑轨上，当需要把石英舟从装载室运输至等候室内时，打开第一传送门，滑轨移动带动石英舟从装载室移动至等候室内。第一传送门只有在需要传输石英舟的时候才打开，进一步保证了等候室内环境的密封性。
[0009]可选的，所述等候室包括运输架和抓取装置；所述第二传送门的两侧分别设有传送桨和输送杆，所述传送桨位于所述等候室内，所述输送杆位于所述高温站内，所述运输架设于所述传送桨上，所述运输架可随着所述传送桨传送至所述输送杆；所述抓取装置用于将在所述滑轨上的所述石英舟抓放至所述运输架上；所述运输架可放置至少一个所述石英舟。其有益效果在于：采用抓取装置将在滑轨上的石英舟抓放至运输架上，避免机械导片过程，对硅片划伤的风险。由于运输架可放置至少一个所述石英舟，并且将硅片进行高温处理时，运输架带着放置好的石英舟一起进行处理，提高了处理硅片的效率。
[0010]可选的，所述高温站包括炉管和加热线圈，所述加热线圈环形设于所述炉管，用于对所述炉管加热，所述输送杆用于将所述运输架输送至所述炉管内。其有益效果在于：通过将加热线圈环形设置在炉管上，使炉管内的温度保存均匀。
[0011]可选的，所述湿法站的顶部间隔开设有若干第一排气孔，所述第一排气孔用于排出有害气体。其有益效果在于：通过在湿法站的顶部开设第一排气孔排出有害气体到厂务，提高了工作环境的安全性。
[0012]可选的，所述装载室内开设有第一进气口，所述第一进气口靠近所述第一传送门；所述等候室内开设有第二进气口和第二排气孔，所述第二进气口靠近所述传送桨，所述第二排气孔远离所述传送桨，其中，所述第一进气口和所述第二进气口用于导入干燥的氮气。其有益效果在于：通过设置第一进气口和第二进气口将干燥的氮气导入等候室和装载室内，使导片站相当于湿法部和外界环境始终为正压，环境中的空气或湿法部的水气不会进入到导片站中，进一步保障了导片站内工作环境的可靠性。
[0013]可选的，所述抓取装置包括机械爪和移动杆；所述移动杆垂直设于所述隔板，且位于所述第一传送门的上方；所述机械爪可沿所述移动杆的滑动。其有益效果在于：通过设置移动杆和机械爪，实现将石英舟从滑轨上运送至运输架上。
[0014]可选的，所述高温站的顶部开设有排热孔，其有益效果在于：通过设置排热孔，便于调节高温站内的温度。
[0015]可选的，所述导片站采用为亚克力板或钢化玻璃制造。其有益效果在于：通过采用亚克力板或钢化玻璃制造导片站，便于工作人员能够看到硅片的处理情况。
附图说明
[0016]图1为本技术的提供的实施例硅片处理设备的结构示意图。
[0017]附图标记：
[0018]湿法站100、传动滚轮101、出口102、第一排气孔103、第一容器池111、第二容器池112、第三容器池113、第四容器池114、第五容器池115、第六容器池116、第七容器池117、第一风干室121、第二风干室122；导片站200、隔板201、装载室202、等候室203、第一传送门204、第二传送门205、升降装置206、石英舟207本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括：湿法站、导片站和高温站；所述湿法站，用于对硼扩散后的硅片依次进行抛光和清洗；或，所述湿法站，用于对硼扩散后的所述硅片依次进行抛光、清洗和氧化；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；当所述湿法站对所述硅片进行抛光和清洗后，所述高温站用于在所述硅片上制备氧化层和多晶硅层；或，当所述湿法站对所述硅片进行进行抛光、清洗和氧化后，所述高温站用于对所述硅片退火并在所述硅片上制备多晶硅层。2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述湿法站包括传动滚轮、容器池和风干室；所述湿法站与所述导片站相接处开设有出口；所述容器池和所述风干室朝向所述装载室依次并排设置，所述风干室靠近所述装载室，所述容器池和所述风干室均具有开口，所述容器池用于盛放反应液；所述传动滚轮设于所述开口，直至延伸至所述出口，所述传动滚轮的部分位于所述容器池内。3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述装载室包括升降装置和石英舟；所述石英舟设于所述升降装置的伸缩端，所述伸缩端靠近所述出口，所述石英舟用于装载所述硅片；所述第一传送门的两侧设有滑轨，所述升降装置用于将...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩培丁，刘运宇，张良，
申请(专利权)人：上海钧乾智造科技有限公司，
类型：新型
国别省市：