声表面波器件制造技术

一种声表面波器件，在压电基片上并联连接由ＲＳＰＵＤＴ构成的换能器；将传播特性具有方向性的单向电极结构的ＳＰＵＤＴ相对配置，使传播方向相互反向，从而构成该ＲＳＰＵＤＴ。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及声表面波元件并联连接的声表面波器件。尤其是如GSM(Global System for Mobile Communication全球移动通信系统)的中频(IFIntermediate Frequency)滤波器那样，重视低损耗性，并且宽频带中，相邻频道靠近，因而在要求陡峭滤波器特性的系统用声表面波元件中，采用例如多级级联的谐振子型滤波器。然而，多级级联谐振子型滤波器为了确保陡峭性，需要增多级数，导致损耗变大。为了做到宽频带，各谐振子滤波器级间需要进行调谐，难以安装。作为其他声表面波滤波器，已知例如特开昭62-43204号公报和特开平9-214284号公报等记述的结构。这些结构利用各级谐振子中多模频率间隔，实现宽频带化。然而，这些滤波器由于多谐振频率间隔主要取决于压电基片固有的机电耦合系数，宽频带化受限制。而且，模带外非所需高次模的相位不设定成与对方谐振子型滤波器的相位反相，则不能抑制非所需高次模。因此，实际上不可能又抑制带外特性，又设计带内特性，用途受限制。近年来，采用声表面波元件RSPUDT(Resonant Single Phase Uni-Direction本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波器件，其特征在于，包含２个以上换能器，该换能器形成在压电基片上，具备具有一对梳状电极并且表面波传播方向相互反向的多个区域； 这些换能器中至少２个相互并联连接。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：市川聪，水户部整一，
申请(专利权)人：东芝株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]