声表面波器件制造技术

声表面波器件具有设于封装（１６）内，在相同压电衬底（１２）上具有不同中心频率的两种声表面波滤波器结构的声表面波元件（１１）的结构。所述声表面波元件（１１）包含：具有第一中心频率的第一滤波器结构（１３）、具有第二中心频率的第二滤波器结构（１４）和位于所述第一滤波器结构（１３）与所述第二滤波器结构（１４）之间的屏蔽电极（１５），其中所述屏蔽电极（１５）连接到封装（１６）的接地端子（１８２）而接地。根据所述结构，可防止第一滤波器结构（１３）与第二滤波器结构（１４）之间的电磁干扰，因此，可改善隔离特性，实现小型声表面波器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于移动电话等的声表面波器件，且尤其涉及一种诸如声表面波滤波器或声表面波双工器的声表面波器件，其具有在压电衬底上的不同中心频率的滤波器。
技术介绍
目前，具有位于压电衬底上的不同中心频率的滤波器的声表面波器件，尤其是声表面波双工器(下文称为SAW双工器)，已知为具有图14中所示结构的装置。图14为显示常规SAW双工器的封装内部的俯视图。在图14中，SAW双工器300包括声表面波元件304(下文称为SAW元件)、收纳所述元件的封装305、连接于其间的导线307和未显示的盖板。在SAW元件304中，在由钽酸锂(LiTaO3)单晶衬底等制成的压电衬底301的表面上形成发送滤波器302和接收滤波器303。将SAW元件304收纳于封装305中后，通过导线307将发送滤波器302和接收滤波器303的连接端子图案3021、3031连接到封装305的端子部分306以获得电导通，接着，用未显示的盖板密封封装305以制造所述装置。在这种SAW双工器300中，进一步需要更低成本、更小且更薄的装置，因此，发送滤波器302和接收滤波器303一体化的SAW元件304需要小型化。然而，如果使SAW元件304的形状缩小，那么发送滤波器302与接收滤波器303之间会发生电磁干扰，因此，存在隔离特性退化的问题。关于所述问题，未审查日本专利公开第2002-335143号中揭示一种小型化同时仍具有良好隔离特性的SAW双工器。所述SAW双工器包括封装，其中形成传输端子、接收端子、天线端子和接地端子；移相器，其形成于所述封装内部，且其一端连接到所述天线端子；发送滤波器，其安装于所述封装内部，且其输入侧连接到所述传输端子，而其输出侧连接到所述移相器的输入端子；和接收滤波器，其安装于所述封装内部，且其输入侧连接到所述移相器的输出端子，而其输出侧连接到所述接收端子，其中所述移相器的一端子位于与形成于所述封装中的天线端子相同的端部，且所述移相器的另一端子提供于所述移相器的所述一端子的相对(opposite)端部。根据这一点，所述移相器的输入端子与输出端子之间的距离可较长，因此可防止其间的传输信号与接收信号的电磁干扰。在所揭示的实例中，SAW元件通过提供于封装中的移相器连接形成于相同压电衬底上的发送滤波器与接收滤波器，借此防止电磁干扰。然而，完全未揭示如何通过SAW元件自身或用于将SAW元件连接到封装的导线连接结构等来防止电磁干扰。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有良好滤波器特性的小型声表面波器件，且其成本较低，其中通过在具有两个不同中心频率的滤波器结构之间提供屏蔽电极，在防止电磁干扰的同时改善了隔离特性。为达到以上目的，本专利技术的声表面波器件包括，设于封装内在相同压电衬底上具有不同中心频率的两种声表面波滤波器结构的声表面波元件。所述声表面波元件包含具有第一中心频率的第一滤波器结构、具有第二中心频率的第二滤波器结构和位于第一滤波器结构与第二滤波器结构之间的屏蔽电极，其中屏蔽电极连接到封装的接地端子而接地。根据所述结构，可实现第一滤波器结构与第二滤波器结构之间的电磁屏蔽，因此，可改善其间的隔离特性并可使所述声表面波元件小型化。本专利技术的声表面波器件，其中声表面波元件进一步包含将第一滤波器结构或第二滤波器结构的接地端子图案连接到屏蔽电极的连接图案的结构。根据所述结构，不必将屏蔽电极连接到封装的接地端子，因此，可简化导线的连接过程。本专利技术的声表面波器件，其中声表面波元件的屏蔽电极具有第一屏蔽电极和第二屏蔽电极的结构，其进一步包含将第一滤波器结构的接地端子图案连接到第一屏蔽电极的第一连接图案，和将第二滤波器结构的接地端子图案连接到第二屏蔽电极的第二连接图案。根据所述结构，加宽了屏蔽电极的宽度，并将各个接地端子图案连接到封装的接地端子，因此进一步改善了隔离特性。此外，由于不必将屏蔽电极连接到封装的接地端子，因此可简化导线连接过程。本专利技术的声表面波器件，屏蔽电极进一步包含图案，其横穿将所述第一滤波器结构和所述第二滤波器结构中的至少一个的信号线端子图案连接到所述封装的信号端子的信号导线，且屏蔽电极通过至少两根接地导线而连接到封装的接地端子。根据所述结构，可有效抑制从信号导线发出的电磁泄漏。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极形成为比第一滤波器结构和第二滤波器结构更长以便大致隔断第一滤波器结构与第二滤波器结构的结构。根据所述结构，可有效抑制电磁泄漏。本专利技术的声表面波器件，将屏蔽电极连接到封装的接地端子的两根接地导线被设置在将信号线端子图案连接到封装的信号端子的信号导线的两侧。根据所述结构，由于接地导线设置在信号导线两侧，因此可进一步抑制来自信号导线的电磁泄漏。本专利技术的声表面波器件，其中接地导线分别连接到设置在封装的端子部分的对应位置处的接地端子，声表面波元件收纳于封装中。根据所述结构，可将屏蔽电极形成为较长以便隔断第一滤波器结构与第二滤波器结构，并可将其连接到封装两侧的接地端子，因此可改善低频下的衰减量和低频下的隔离特性。本专利技术的声表面波器件，其中声表面波元件的第一滤波器结构、第二滤波器结构和屏蔽电极垂直于第一滤波器结构和第二滤波器的声表面波的传播方向。根据所述结构，可在改善隔离特性的同时实现声表面波元件的小型化。本专利技术的声表面波器件，其中第一滤波器结构和第二滤波器结构是分别以串联臂和并联臂连接单端子声表面波谐振器的梯形电路，且在具有相对较低中心频率的第一滤波器结构中最接近第二滤波器结构的声表面波谐振器为并联臂，且在第二滤波器结构中最接近第一滤波器结构的声表面波谐振器为串联臂。根据所述结构，在第一滤波器结构和第二滤波器结构中分别最接近的谐振器的谐振频率之间的差值可为最大。结果，可进一步改善隔离特性，并可获得具有良好隔离特性的较小SAW双工器。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极具有在与第一滤波器结构和第二滤波器结构中的梳状(comb-shape)电极相垂直的方向上设置的复数个狭缝的栅格形状。根据所述结构，不仅可抑制电磁泄漏，而且可抑制声表面波的声泄漏。本专利技术的声表面波器件，其中声表面波元件的第一滤波器结构和第二滤波器结构设置成平行于第一滤波器结构和第二滤波器结构的声表面波传播方向，且所述屏蔽电极垂直于声表面波传播方向。根据所述结构，可在改善隔离特性的同时实现声表面波元件的小型化。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极具有在与第一滤波器结构和第二滤波器结构中的梳状电极平行的方向上设置的复数个狭缝的栅格形状。根据所述结构，不仅可抑制电磁泄漏，而且可抑制声表面波的声泄漏。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极具有在与第一滤波器结构和第二滤波器结构中的声表面波传播方向斜交的方向上设置的复数个狭缝的栅格形状。根据所述结构，不仅可抑制电磁泄漏，而且可抑制声表面波的声泄漏。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极的狭缝以第一滤波器结构和第二滤波器结构中的梳状电极的最小间距与最大间距之间的间距形成。根据所述结构，可根据改善隔离特性所需要的频率来设置狭缝的间距。本专利技术的声表面波器件，其中屏蔽电极的狭缝根据不同位置而以不同间距形成。根据所述结构，可根据改善隔离特性所需要的复数个频率来设置狭缝的间距。本专利技术的声表面波器件，其中在第一滤波器结构和第二滤波器结构中，中心频率相对更高本文档来自技高网...

【技术保护点】
声表面波器件，包括，设于封装内在相同压电衬底上具有不同中心频率的两种声表面波滤波器结构的声表面波元件，所述声表面波元件包括：第一滤波器结构，其具有第一中心频率；第二滤波器结构，其具有第二中心频率；和在所述第一滤波器结 构与所述第二滤波器结构之间的屏蔽电极，其连接到所述封装的接地端子而接地。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：布施伸夫，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]