电子器件封装、底基板、电子器件及其制造方法技术

一种电子器件的封装，其包括：容纳电子元件的腔；和在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔。这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达该封装的底端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电子器件封装、底基板(base substrate)、电子器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着电子器件的小型化和高性能化，存在使安装到这些电子器件上的电子元件小型化以及提高其性能的需求。例如，对于表面声波(SAW)器件存在相似的需求，表面声波器件是用作为能够发射和接收无线电波的电子器件中的滤波器、延迟线、振荡器的电子部件。通常，SAW器件具有SAW滤波器芯片，该SAW滤波器芯片倒装安装在具有其上形成有互连线路的底面的腔内。在SAW滤波器芯片的压电基板上形成具有梳状电极的叉指式转换器(IDT)。在日本专利特开2001-53577中，特别是图3中，公开了这种类型的SAW器件。在上述类型的SAW器件中，将施加到位于该器件的输入端上的IDT的输入电信号转换为SAW，接着在压电基板上传播该SAW。通过位于输出端的IDT可获得经滤波的电信号。为了减小在压电基板上传播的SAW的损失，需要密封容纳SAW滤波器芯片的腔。在图1中示出了一种密封该腔的方法。在限定腔的多个侧壁上设置由金锡合金构成的焊料的垫圈116。垫圈116用作为接合材料。接着对垫圈116加热并加压，以使放置在垫圈116上的盖或帽115能够固定到侧壁上。为了减小外部电磁噪声，盖115可以由导电材料构成。在这种情况下，需要把盖115设置为地电势以防止滤波器性能下降。图1所示的传统方法可以满足这种需要。更确切地说，在封装102的四个角设置堞形结构(castellation)108以到达封装102的背面。在堞形结构108上设置一导体，通过该导体，耦接到封装102顶端上的图案109的盖115可以电连接到设置在封装102底端的电路板上形成的接地图案。但是，以上传统方法具有以下缺点。即，熔化的垫圈116通过堞形结构108流出，可能会使在封装102的背面上形成的布线图案(底脚图案)或在对应于腔105的底面106的管芯安装表面上形成的布线图案短路。因此，固定盖115的步骤是非常敏感的。
技术实现思路
本专利技术的一般目的是提供一种可以简单制造的电子器件，并提供其制造方法。本专利技术的另一目的是提供一种用于这种电子器件的封装以及一种底基板。通过一种电子器件的封装来实现本专利技术的以上目的，该封装包括容纳电子元件的腔；和在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔，这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达封装的底端。还可以通过一种底基板来实现本专利技术的以上目的，该底基板包括二维整体设置的多个封装；每个封装包括容纳电子元件的腔；和在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔，这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达封装的底端。还可以通过一种电子器件来实现本专利技术的以上目的，该电子器件包括电子元件；容纳该电子元件的封装；和安装到该封装的盖，该封装包括容纳该电子元件的腔；和在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔，这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达封装的底端。还可以通过一种制造电子器件的方法来实现本专利技术的以上目的，该方法包括以下步骤a)在二维设置在底基板中的多个腔中安装电子元件，该底基板具有设置在这些腔的外围但不穿透该底基板的多个孔；b)将该底基板分割成各具有这些腔中的相应的一个的多个部分；和c)将盖接合到每个部分上，以通过导电材料密封每个腔。附图说明通过结合附图阅读以下详细说明，本专利技术的其它目的、特征和优点将变得明显，其中图1是传统SAW器件的透视图；图2是根据本专利技术第一实施例的SAW器件的透视图；图3是沿图2所示的A-A’线的剖面图；图4A至4C示出根据本专利技术第一实施例的封装的制造工艺；图5A至5E示出根据本专利技术第一实施例的在图4所示的工艺之后的SAW器件的制造工艺；图6是根据本专利技术第二实施例的SAW器件的透视图；图7是沿图6所示的D-D’线的剖面图；图8是沿图6所示的E-E’线的剖面图；图9是沿图6所示的F-F’线的剖面图；图10A至10D示出根据本专利技术第二实施例的封装的制造工艺，其中图10D示出分别沿图10A、10B和10C所示的G-G’、H-H’和I-I’线的剖面图；图11是根据本专利技术第三实施例的SAW器件的透视图；图12是沿图11所示的J-J’线的剖面图；图13是根据本专利技术第四实施例的SAW器件的透视图；图14A是图13所示的第一上基板的平面图；图14B是图13所示的第二上基板的平面图；图14C是图13所示的第二上基板的底面视图；图15是在本专利技术实施例中使用的下基板的平面图。具体实施例方式现将参照附图给出本专利技术的实施例的说明。(第一实施例)本专利技术的第一实施例涉及SAW器件。图2是根据本实施例的SAW器件1的透视图。SAW器件1具有SAW芯片13，该SAW芯片13具有其上形成有具有梳状电极的叉指式转换器(IDT)的压电基板。该SAW芯片13容纳在封装2的腔5中。在腔5的底面(管芯安装表面6)上形成布线图案(管芯安装图案7，参见图3)。管芯安装图案7具有的主要成分为铝、铜、金、钼、钨、钽、铬、钛、铂、钌或铑。倒装安装该SAW芯片13，以使IDT面向腔的底部(面朝下安装)。使用凸点14将管芯安装图案7和SAW芯片13接合到一起(参见图3)，凸点14由例如以金、铝或铜为主要成分的导电材料构成，以使这些部件被电连接并被机械固定。封装2可以是由叠层基板形成的多层基板，例如它可以含有作为主要成分的陶瓷(包括铝-陶瓷)。另选地，封装2可以由例如BT(铋酰亚胺三嗪(Bismuthimido-Triazine))树脂、PPE(聚苯醚(Polyphenylene-ethel))或聚酰亚胺树脂的高聚合物材料或包括玻璃纤维环氧树脂(glass-epoxy)、玻璃布(glass-cloth)等的复合高聚合物材料构成。在封装2的各个角形成四个堞形结构8。每个堞形结构8不到达封装2的背面。封装2的该背面与设置盖15的那端相反。在下文中，也将上述背面称为底面。堞形结构8是具有例如对应于四分之一圆的截面形状的沟槽。使用例如含有作为主要成分的铝、铜、金、钼、钨、钽、铬、钛、铂、钌或铑的导电材料沟槽的表面进行电镀。由此通过电镀形成的导电层10电连接到通过电镀在封装2上形成的导电上层9。上电镀层9也由例如作为主要成分的铝、铜、金、钼、钨、钽、铬、钛、铂、钌或铑构成。围绕腔5的开口周边形成上层9。在上电镀层9上叠置例如由作为主要成分的焊料、金或锡构成的垫圈16。通过垫圈16将例如由铁板形成的盖15固定到封装2的顶部。通过垫圈16和上电镀层9将盖15与堞形结构电镀层10电连接。图3是沿图2所示的A-A’线的SAW器件1的剖面图。如图3所示，封装2包括下基板4和上基板3。SAW芯片13面朝下安装在下基板4上，下基板4具有用于面朝下接合的管芯安装图案7。上基板3环绕SAW芯片13，并与下基板4一起形成腔5。仅在上基板3上形成堞形结构8。因此，在堞形结构8的下端提供了由下基板4限定的台阶。由此形成的台阶用于留存由于在接合过程中加压和/或加热而流出的垫圈16的部分16a。换句话说，堞形结构8用作为液体贮槽，以防止流出的垫圈部分16a使封装2的背面上的底脚图案17短路。堞形结构电镀层10与在下基板4上形成的布线图案11电连接。布线图案11还通过穿透下基板4的通路布线12与在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件的封装，其包括：　　　　容纳电子元件的腔；和　　　　在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔，　　　　这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达该封装的底端。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：增子真吾，川内治，郡池圣，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]