薄膜体声波滤波装置及制造薄膜体声波滤波装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及薄膜ＢＡＷ滤波装置及用于制造薄膜ＢＡＷ滤波装置的方法。所述薄膜ＢＡＷ滤波装置含有至少一个ＣＲＦ部和至少一个梯形或栅形滤波部，其中所述ＣＲＦ部含有至少两个耦合的谐振器，所述ＣＲＦ部和所述梯形或栅形滤波部集成在同一衬底上，从而制成所述薄膜ＢＡＷ滤波装置。本发明专利技术还涉及用于制造薄膜ＢＡＷ滤波装置的方法，其中包括至少一个ＣＲＦ部和至少一个梯形或栅形滤波部，所述ＣＲＦ部含有至少两个耦合的谐振器，所述ＣＲＦ部和所述梯形或栅形滤波部集成在同一衬底上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜BAW滤波装置(BAW＝Bulk Acoustic Wave体声波)，并涉及一种用于制造这种滤波装置的方法。
技术介绍
薄膜BAW滤波装置用在例如第三代(3G)移动无线电技术中，以在实现低介入损耗的同时得到宽的频带宽度。由例如CRF部件(CRF＝Coupled Resonator Filter耦合谐振器滤波装置)形成了此类滤波装置。通常，CRF部件具有两个压电谐振器，其中一个堆叠在另一个上面，以及多个中间耦合层以将声耦合调整到期望的滤波装置特性。CRF技术使所有的移动无线电频带所需要的带通特性(即频带宽度以及介入损耗)得以实现。远离通过区的截止区具有很高的介入损耗，该介入损耗在很大程度上受制于寄生效应和衬底的有限传导性以及任何相对于衬底的不对称电容。然而，截止频带值接近于通过区(所谓过渡区)也并非最佳。通常，移动无线电发射频率与接收频带由宽度仅为10到20MHz的过渡频带彼此分开，其中包括一般优于4dB的介入损耗的滤波装置特性须变为优于30dB的截止频带。在-5dB到-30dB之间的过渡带的缺点是CRF部件自身的基本特性，且几乎不可能无损于通过频带特性地通过部件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜ＢＡＷ滤波装置，包括：至少一个ＣＲＦ部，以及至少一个梯形或栅形滤波部，所述ＣＲＦ部含有至少两个耦合的谐振器（２，４）；其中所述ＣＲＦ部和所述梯形或栅形滤波部集成在共同的衬底（７）上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G费廷格尔，J凯蒂拉，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]