一种薄膜声耦合变压器制造技术

薄膜声耦合变压器ＦＡＣＴ（４００）具有去耦层叠体声谐振器ＤＳＢＡＲ（１０６，４０８）、第一电路和第二电路。每个ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ（１１０）、上部ＦＢＡＲ（１２０）和声去耦器（１３０）。上部ＦＢＡＲ层叠在下部ＦＢＡＲ上，并且声去耦器位于ＦＢＡＲ之间。每个ＦＢＡＲ具有对置的平面电极（１１２，１１４）和在电极之间的压电元件（１１６）。第一电路互连下部ＦＢＡＲ（１１０，４５０）。第二电路互连上部ＦＢＡＲ（１２０，４６０）。一个ＤＳＢＡＲ（４０８）的ＦＢＡＲ与另一个ＤＳＢＡＲ（１０６）的ＦＢＡＲ的电阻抗不同。该ＦＡＣＴ的阻抗变换比大于１∶ｍ↑［２］，其中ｍ是ＤＳＢＡＲ的数目。实际阻抗变换比取决于ＦＢＡＲ的阻抗比。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
变压器用于许多种电子器件，起到象转变阻抗、将单端电路与平衡电路相连或者将平衡电路与单端电路连接并提供电隔离的作用。但是，不是所有变压器具有所有这些性质。例如，自耦变压器不提供电隔离。在高到VHF的声频和射频下工作的变压器通常制造成围线圈高导磁率磁芯的耦合初级和次级线圈组。在线圈中的电流产生磁通。该磁芯容纳该磁通并提高绕组之间的耦合。可在这种频段工作的变压器还可以使用光学耦合器来实现。以这种方式使用的光耦合器在本领域称为光隔离器。在以耦合绕组或者光耦合器为基础的变压器中，输入的电信号转变为与适当的变换结构(即另一个绕组或光探测器)互相作用的不同形式(即磁通或者光子)，并且在输出处再形成为电信号。例如，光耦合器用发光二极管将输入电信号转换为光子。光子穿过光纤或者提供隔离的自由空间。被光子照射的光电二极管从光子流产生输出电信号。输出电信号是输入电信号的重复。在UHF和微波频率下，由于象磁芯损耗、线圈损耗、线圈之间的电容这种因素，所以基于磁芯的变压器变得不实用，并且难以将它们制造得足够小，以防止与波长有关的问题。用于这种频率的变压器是以四分之一波长传送线为基础的，例如Marchand型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜声耦合变压器（ＦＡＣＴ），包括：去耦层叠体声谐振器（ＤＳＢＡＲ），每个ＤＳＢＡＲ包括：一种下部薄膜体声谐振器（ＦＢＡＲ）和上部ＦＢＡＲ，该上部ＦＢＡＲ层叠在该下部ＦＢＡＲ上，每个ＦＢＡＲ包括对置的平面电极和在该电极之 间的压电元件，和在该ＦＢＡＲ之间的声去耦器；互连该下部ＦＢＡＲ的第一电路；和互连该上部ＦＢＡＲ的第二电路；其中：一个ＤＳＢＡＲ的ＦＢＡＲ的阻抗不同于另一个ＤＳＢＡＲ的ＦＢＡＲ的阻抗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JD拉森三世，SL艾利斯，N萨克西克，
申请(专利权)人：阿瓦戈科技无线IP新加坡股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]