公开了一种用于实现保护电子元件免受ＥＳＤ损害的电子电路的系统和方法。ＰＣＢ或ＩＣ可包括静电放电保护层，该保护层具有由半导体介质层分隔的第一和第二导电层。而且，该ＰＣＢ／ＩＣ可包括耦合到上述第一导电层的受保护节点和电耦合到上述第二导电层的...

第一和第二谐振器被彼此相邻地单片制造。第一谐振器为基准谐振器。第二谐振器的谐振频率与第一谐振器偏移一个差频Ｆｏ。每个谐振器都被包括在振荡器中。混频器接收两个振荡器的输出。低通滤波器接收该混频器的输出并且产生时钟信号，该时钟信号的频率等于...

温度补偿的薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ器件（１００）包括ＦＢＡＲ堆叠（１１１）。ＦＢＡＲ堆叠包括ＦＢＡＲ（１１０）和温度补偿元件（１０９）。ＦＢＡＲ由具有温度系数的谐振频率表征，并且ＦＢＡＲ包括对置平面电极（１１２、１１４）和在电极之间的压电...

一种薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ器件（１００）包括基底（１０２）、该基底上方的声布拉格反射器（１８０）、在该声布拉格反射器上方的压电元件（１１６）和该压电元件上方的远侧电极（１１４）。声布拉格反射器包括与塑料布拉格层（１８４）邻接的金属布拉格...

薄膜声耦合变压器（ＦＡＣＴ）（２００）具有第一（１０６）和第二（１０８）去耦层叠体声谐振器（ＤＳＢＡＲ）。每个ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器（ＦＢＡＲ）（１１０）、在下部ＦＢＡＲ顶部的上部ＦＢＡＲ（１２０）和在它们之间的声去耦器（１３...

薄膜声耦合变压器ＦＡＣＴ的一个实施例（１００）具有去耦层叠体声谐振器ＤＳＢＡＲ，该ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ（１１０）、层叠在该下部ＦＢＡＲ上的上部ＦＢＡＲ（１２０）和在ＦＢＡＲ之间包括声去耦材料层（１３１）的声去耦器（１...

薄膜声耦合变压器ＦＡＣＴ（４００）具有去耦层叠体声谐振器ＤＳＢＡＲ（１０６，４０８）、第一电路和第二电路。每个ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ（１１０）、上部ＦＢＡＲ（１２０）和声去耦器（１３０）。上部ＦＢＡＲ层叠在下部ＦＢＡＲ...

一种去耦叠层体声波谐振器ＤＳＢＡＲ器件（１００），包含下薄膜体声波谐振器ＦＢＡＲ（１１０）、堆叠在下ＦＢＡＲ上的上ＦＢＡＲ（１２０），以及位于所述ＦＢＡＲ之间的声波去耦器（１３０）。每个ＦＢＡＲ包含相对的平面电极（１１２、１１４）以及位...

密封的薄膜体声波谐振器（ＦＢＡＲ）器件（１００）包括衬底（１０２）、该衬底上的ＦＢＡＲ叠层（１１１）、将该ＦＢＡＲ叠层与衬底声学隔离的元件（１０４）、覆盖该ＦＢＡＲ叠层的密封剂（１２１）以及该ＦＢＡＲ叠层的顶面（１１３）和密封剂之间的声...