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薄膜声耦合变压器ＦＡＣＴ（４００）具有去耦层叠体声谐振器ＤＳＢＡＲ（１０６，４０８）、第一电路和第二电路。每个ＤＳＢＡＲ具有下部薄膜体声谐振器ＦＢＡＲ（１１０）、上部ＦＢＡＲ（１２０）和声去耦器（１３０）。上部ＦＢＡＲ层叠在下部ＦＢＡＲ上，...该专利属于阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司授权不得商用。
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