低通滤波器和低通滤波器阵列制造技术

低通滤波器，具备电容器、第１可变电阻和第２可变电阻、电阻元件、和第１～第３外部电极。电容器包括，具有互相相对的第１面和第２面的电介体、和第１～第３内部电极。第１可变电阻、第２可变电阻和电阻元件，配置于电介体的第１面。第１～第３外部电极，配置于电介体的第２面。第１内部电极，物理连接且电连接于第３外部电极。第２内部电极，物理连接且电连接于第２外部电极。第３内部电极，物理连接且电连接于第１外部电极。第１可变电阻，并联连接于由第１内部电极和第３内部电极构成的电容器。第２可变电阻，并联连接于由第１内部电极和第２内部电极构成的电容器。电阻元件，分别电连接于第２内部电极和第３内部电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低通滤波器和低通滤波器阵列。
技术介绍
随着数字家电的增加，高速传送电路的需要也在增加。对于高速传送电路而言，有具有ESD保护功能的低通滤波器。例如，已知有具备π型滤波器和齐纳二极管的低通滤波器，其中π型滤波器具备线圈和两个电容器，齐纳二极管与该π型滤波器所具备的一个电容器并联连接(例如，参照日本特开平10-191555号公报)。现在，为了实现日本特开平10-191555号公报所记载的低通滤波器，需要在基板上分别安装线圈部件、电容器部件和齐纳二极管。因此，日本特开平10-191555号公报所记载的低通滤波器，安装面积较大。特别是齐纳二极管，其高度尺寸大，所以安装所需要的区域也变大。
技术实现思路
于是，本专利技术为了解决上述问题而做出，目的是提供既具有ESD保护功能又提高安装密度的低通滤波器和低通滤波器阵列。本专利技术的低通滤波器，具备具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包含配置在该电介体内的第1～第3内部电极的电容器，配置在第1面上的第1可变电阻和第2可变电阻，配置在第1面上的电阻元件，配置在第2面上的第1～第3外部电极；第1内部电极，物理连接且电连接于第3外部电极，同时，在与第1面和第2面的相对方向平行的方向上延伸配置；第2内部电极，物理连接且电连接于第2外部电极，同时，至少其一部分夹着电介体的至少一部分，与第1内部电极相对配置；第3内部电极，物理连接且电连接于第1外部电极，同时，至少其一部分夹着电介体的至少一部分，与第1内部电极相对配置；第1可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器；第2可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器；电阻元件分别电连接于第2内部电极和第3内部电极。本专利技术的低通滤波器中，利用由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器、由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器以及电阻元件构成π型RC滤波器。而且，第1可变电阻并联连接于由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器、第2可变电阻并联连接于由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器，由此构成具有ESD保护功能的低通滤波器。另外，在电介体的第1面上配置有第1和第2可变电阻和电阻元件，在第2面上配置有第1～第3外部电极，因此能够用一块芯片实现上述结构的低通滤波器。由此，可以提高具有ESD保护功能的低通滤波器的安装密度。优选，第1可变电阻具有第1和第2电极以及包括位于第1和第2电极之间的区域且表现出电流电压非线性特性(nonlinearcurrent-voltage characteristic)的第1可变电阻层，第2可变电阻具有第3和第4电极以及包括位于第3电极和第4电极之间的区域且表现出电流电压非线性特性的第2可变电阻层。这种情况下，能够在第1电极和第2电极之间显现出可变电阻功能，在第3电极和第4电极之间也显现出可变电阻功能。优选，第1～第4电极配置在第1面上，第1可变电阻层配置成覆盖第1电极和第2电极各自的至少一部分，第2可变电阻层配置成覆盖第3电极和第4电极各自的至少一部分，第1内部电极物理连接且电连接于第2电极和第4电极，第2内部电极物理连接且电连接于第3电极，第3内部电极物理连接且电连接于第1电极，电阻元件物理连接且电连接于第1电极和第3电极。这种情况下，第1～第4电极配置在第1面上，第1、第2可变电阻层配置成覆盖对应的两个电极，因此可以简单地构成第1和第2可变电阻。另外，能够进一步减小与第1面垂直的方向的尺寸，并能够将上述结构的低通滤波器制成一块更加小型的芯片。优选，第1可变电阻进一步具有夹着第1可变电阻层且与第1和第2电极相对配置的电极，第2可变电阻进一步具有夹着第2可变电阻层且与第3和第4电极相对配置的电极。这种情况下，在第1可变电阻中，由于第1和第2电极和与该第1和第2电极相对配置的电极之间的领域显现出电流电压非线性特性，所以第1可变电阻在第1电极和第2电极之间作为串联连接的两个可变电阻成分起作用。另外，在第2可变电阻中，由于第3和第4电极和与该第3和第4电极相对配置的电极之间的领域显现出电流电压非线性特性，所以第2可变电阻在第3电极和第4电极之间作为串联连接的两个可变电阻成分起作用。本专利技术的低通滤波器阵列，具备具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包括配置在该电介体内且具有第1～第3内部电极的N个(N≥2的整数)内部电极群的电容器，分别对应于N个内部电极群而配置在第1面上的N个第1可变电阻和N个第2可变电阻，分别对应于N个内部电极群而配置在第1面上的N个电阻元件，分别对应于N个内部电极群而配置在第2面上并具有第1～第3外部电极的N个外部电极群；在各内部电极群中，第1内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第3外部电极，同时，在与第1面和第2面的相对方向平行的方向上延伸配置；第2内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第2外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着电介体的至少一部分且与对应的第1内部电极相对；第3内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第1外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着电介体的至少一部分且与对应的第1内部电极相对；各第1可变电阻，并联连接于由对应的内部电极群的第1内部电极和第3内部电极构成的电容器；各第2可变电阻，并联连接于由对应的内部电极群的第1内部电极和第2内部电极构成的电容器；各电阻元件分别电连接于对应的内部电极群的第2内部电极和第3内部电极。本专利技术的低通滤波器阵列，利用由N个第1内部电极和N个第3内部电极构成的N个电容器、由N个第1内部电极和N个第2内部电极构成的N个电容器、N个电阻元件，构成N个π型RC滤波器。并且，N个第1可变电阻分别并联连接于由N个第1内部电极和N个第3内部电极构成的N个电容器，N个第2可变电阻分别并联连接于由N个第1内部电极和N个第2内部电极构成的N个电容器。因此，本专利技术的低通滤波器阵列，构成具有ESD保护功能的N个低通滤波器。此外，由于在电介体的第1面上配置有N个第1和第2可变电阻和N个电阻元件，在第2面上配置有N个第1～第3外部电极，因此可以用一块芯片实现上述结构的低通滤波器阵列。因此，可以提高具有ESD保护功能的低通滤波器阵列的安装密度。优选，N个内部电极群进一步具备内部电极，该内部电极，在电介体内，沿着第1内部电极与第2和第3内部电极相对的方向并设，在互相相邻的内部电极群之间，在与第1面和第2面相对的方向平行的方向上延伸配置，同时电连接于第3外部电极的任何一个。这种情况下，内部电极，由于在互相相邻的内部电极间配置且电连接于第3外部电极的任何一个，因而发挥屏蔽效应。因此，能够抑制互相相邻的内部电极群间的串扰。优选，各第1可变电阻具有，第1和第2电极，和包含位于第1和第2电极之间的区域且表现电流电压非线性特性的第1可变电阻层；各第2可变电阻具有，第3和第4电极，和包含位于第3和第4电极之间的区域且表现电流电压非线性特性的第2可变电阻层。这种情况下，各第1可变电阻能够在第1电极和第2电极之间表现出可变电阻功能。另外，各第2可变电阻能够在第3电极和第4电极之间表现出可变电阻功能。优选，第1～第4电极配置在第1面上，第1可变电阻层配置成覆盖第1电极和第2电极各自的至少一部分，第2可变电阻层配置成覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低通滤波器，其特征在于：具备：具有互相相对的第１面和第２面的电介体，包含配置在该电介体内的第１～第３内部电极的电容器，在所述第１面上配置的第１可变电阻和第２可变电阻，在所述第１面上配置的电阻元件，在所述第２面上配置的第１～第３外部电极，所述第１内部电极，物理连接且电连接于所述第３外部电极，同时，配置成在平行于所述第１面和所述第２面相对的方向的方向上延伸，所述第２内部电极，物理连接且电连接于所述第２外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着所述电介体的至少一部分而与所述第１内部电极相对，所述第３内部电极，物理连接且电连接于所述第１外部电极，同时，配置成其至少一部分夹着所述电介体的至少一部分而与所述第１内部电极相对，所述第１可变电阻，并联连接于由所述第１内部电极和所述第３内部电极构成的电容器，所述第２可变电阻，并联连接于由所述第１内部电极和所述第２内部电极构成的电容器，所述电阻元件，分别电连接于所述第２内部电极和所述第３内部电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤洋，相马出，田中均，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]