一种低通滤波器(300)，包括：滤波器输入端子(302)；滤波器输出端子(304)；滤波器FET(306)，被配置为在滤波器输入端子(302)和滤波器输出端子(304)之间提供电阻；滤波电容器(308)，连接在滤波器输出端子(304)和参考端子之间；偏置FET(310)，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET(306)；缓冲器(316)，连接在滤波器输入端子(302)和偏置FET(310)之间，所述缓冲器(316)被配置为向偏置FET(310)供给偏置电流；偏移电压源(220、220’、320)，被配置为供给被提供给滤波器FET(306)的偏置电压。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及低通滤波器，具体地但无排他性地，涉及用于低噪声LDO(低压差稳压器)的低通滤波器。
技术实现思路
根据第一方面，提供一种低通滤波器，包括：滤波器输入端子；滤波器输出端子；滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间提供电阻；滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET；缓冲器，连接在滤波器输入端子和偏置FET之间，所述缓冲器被配置为向偏置FET供给偏置电流；偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压。使用所述缓冲器使得偏置电流能够以如下方式被供给：该偏置电流不需要被连接到滤波器输入端子的参考电压源直接传送。因此，偏置电流的供应不会改变参考电压，而改变参考电压可能会产生负面效果。偏移电压源可被配置为供给偏置FET的源-栅电压。通过这种方式，偏置FET的源-栅电压可以小于滤波器FET的阈值电压。滤波器FET的宽长比可以等于或大于偏置FET的宽长比。滤波器FET的宽度可以等于偏置FET的宽度。滤波器FET的长度可以等于偏置FET的长度。滤波器FET和偏置FET的阈值电压可以不同。滤波器FET的阈值电压可以大于偏置FET的阈值电压。滤波器FET和偏置FET可以是不同类型的晶体管。滤波器FET的阱和偏置FET的阱可连接到不同电位。滤波器FET和偏置FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。滤波器FET和偏置FET可适合于不同的电压域。滤波器FET和偏置FET可具有存在于形成器件的阱或衬底中的不同类型和/或量的植入物(implant)。滤波器FET和偏置FET可以是相同类型的晶体管滤波器FET的阱和偏置FET的阱可连接到不同电位。偏置FET的阱可连接到偏置FET的栅极。偏置FET和滤波器FET可具有相同或不同的几何构型。滤波器FET的宽长比可以不同于偏置FET的宽长比。可以在缓冲器内设置偏移电压源。所述缓冲器包括差分输入级，所述差分输入级包括第一缓冲器FET和第二缓冲器FET。第一缓冲器FET的阈值电压可以不同于第二缓冲器FET的阈值电压。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是不同类型的晶体管。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可适合于不同的电压域。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可被配置为接收不同电源电压电平。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有存在于形成器件的衬底中的不同类型和/或量的植入物。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有不同阈值电压。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是相同类型的晶体管。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET的阱可以连接到不同电位。第二缓冲器FET的阱可以连接到第二缓冲器FET的栅极。第二缓冲器FET和第一缓冲器FET可以具有相同或不同的几何构型。第一缓冲器FET的宽长比可以不同于第二缓冲器FET的宽长比。滤波器FET可包括滤波器FET导电沟道和滤波器FET控制端子。滤波器FET导电沟道可串联在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间。偏置FET可包括：偏置FET控制端子；以及偏置FET导电沟道，连接在第一偏置FET导电端子和第二偏置FET导电端子之间。偏置FET控制端子可连接到滤波器FET控制端子。滤波器还可包括被配置为向偏置FET提供偏置电流的偏置电流源。偏置电流源可连接到第一偏置FET导电端子、偏置FET控制端子和滤波器FET控制端子。偏移电压源可连接到第二偏置FET导电端子。偏移电压或其它的偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二缓冲器输入端子之间。缓冲器可包括第一缓冲器输入端子、第二缓冲器输入端子和缓冲器输出端子。第一缓冲器输入端子可连接到滤波器输入端子。缓冲器输出端子可连接到第二缓冲器输入端子。偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二偏置FET导电端子之间。可提供一种低通滤波器，包括：滤波器输入端子；滤波器输出端子；滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间提供电阻；滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET；偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压；其中，滤波器FET和偏置FET是不同类型的晶体管，或者其中滤波器FET的阱和偏置FET的阱连接到不同电位。滤波器FET和偏置FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。滤波器FET和偏置FET可适合于不同的电压域。滤波器FET和偏置FET可具有存在于形成器件的阱或衬底中的不同类型和/或量的植入物。滤波器FET和偏置FET可具有不同的阈值电压。偏移电压源可被配置为供给偏置FET的源-栅电压，使得偏置FET的源-栅电压小于滤波器FET的阈值电压。滤波器FET的宽长比可以等于或大于偏置FET的宽长比。滤波器FET的宽度可以等于偏置FET的宽度。滤波器FET的长度可以等于偏置FET的长度。滤波器FET的阈值电压可以大于偏置FET的阈值电压。滤波器还可包括连接在滤波器输入端子和偏置FET之间的缓冲器。所述缓冲器可被配置为向偏置FET供应偏置电流。可以在缓冲器内设置偏移电压源。所述缓冲器包括差分输入级，所述差分输入级包括第一缓冲器FET和第二缓冲器FET。第一缓冲器FET的阈值电压可以不同于第二缓冲器FET的阈值电压。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是相同类型的晶体管。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET的阱可以连接到不同电位。第二缓冲器FET的阱可以连接到第二缓冲器FET的栅极。第二缓冲器FET和第一缓冲器FET可以具有相同或不同的几何构型。滤波器FET可包括滤波器FET导电沟道和滤波器FET控制端子。滤波器FET导电沟道可串联在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间。偏置FET可包括：偏置FET控制端子；以及偏置FET导电沟道，连接在第一偏置FET导电端子和第二偏置FET导电端子之间。偏置FET控制端子可连接到滤波器FET控制端子。滤波器还可包括被配置为向偏置FET提供偏置电流的偏置电流源。偏置电流源可连接到第二偏置FET导电端子、偏置FET控制端子和滤波器FET控制端子。偏移电压源可连接到第一偏置FET导电端子。偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二缓冲器输入端子之间。缓冲器可包括第一缓冲器输入端子、第二缓本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低通滤波器，包括：滤波器输入端子；滤波器输出端子；滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间提供电阻；滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET；缓冲器，连接在滤波器输入端子和偏置FET之间，所述缓冲器被配置为向偏置FET供给偏置电流；以及偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压。
【技术特征摘要】
2014.11.26 EP 14195003.01.一种低通滤波器，包括：
滤波器输入端子；
滤波器输出端子；
滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间
提供电阻；
滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；
偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET；
缓冲器，连接在滤波器输入端子和偏置FET之间，所述缓冲器被
配置为向偏置FET供给偏置电流；以及
偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压。
2.如权利要求1所述的低通滤波器，其中，偏移电压源被配置为
供给偏置FET的源-栅电压，使得偏置FET的源-栅电压小于滤波器FET
的阈值电压。
3.如权利要求1或权利要求2所述的低通滤波器，其中，滤波器
FET的宽长比等于或大于偏置FET的宽长比。
4.如前述权利要求中的任意一项所述的低通滤波器，其中，滤
波器FET的阈值电压大于偏置FET的阈值电压。
5.如前述权利要求中的任意一项所述的低通滤波器，其中，滤
波器FET和偏置FET是不同类型的晶体管。
6.如权利要求5所述的低通滤波器，其中，滤波器FET和偏置FET
具有厚度不同的栅极氧化物层。
7.如权利要求5或权利要求6所述的低通滤波器，其中，滤波器
FET和偏置FET适合于不同的电压域。
8.如权利要求5至7中的任意一项所述的低通滤波器，其中，滤
波器FET和偏置FET具有存在于形成器件的衬底或阱中的不同类型和/
【专利技术属性】
技术研发人员：安德里亚斯·J·科尔曼，斯特芬·罗得，约阿希姆·乌茨格，约尔格·西雷，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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