具有宽频抑制能力的低通滤波器制造技术

本实用新型专利技术是一种具有宽频抑制能力的低通滤波器，包含第一电容至第七电容以及第一电感至第四电感，该第三电容的一端连接一输入端，该第五电容的一端连接一输出端，该输入端与第四电容之间连接相并联的第一电容及第一电感；该输入端与第四电容之间连接相并联的第二电容及第二电感；其中，该输入端与第四电容之间再连接以第六电容与第三电感串联成的一第一LC谐振电路；该输出端与第四电容之间再连接以第七电容与第四电感串联成的一第二LC谐振电路；藉由该第一LC谐振电路及第二LC谐振电路，本实用新型专利技术可改善低通滤波器在高频停带范围内的谐波杂讯抑制效果。

Low pass filter with wide band rejection capability

The utility model relates to a broadband suppression low-pass filter comprises a first capacitor and seventh capacitor and the first inductor to fourth inductors, and one end of the third capacitor connected to an input terminal and one end of the fifth capacitor connected to an output terminal, the input terminal and the fourth capacitor is connected in parallel with the first capacitor and the first inductor; between the input terminal and the fourth capacitor is connected in parallel with the second capacitor and the two inductor; among them, between the input terminal and the fourth capacitor connected to a first resonant circuit sixth LC capacitor and inductor in series into third; between the output and the fourth capacitor connected to a second LC resonant circuit capacitance and inductance of fourth seventh a series of LC resonant circuit; wherein the first and two LC resonant circuit, the utility model can improve the low pass filter in high frequency stop band harmonic range clutter Inhibitory effect.

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种无线通讯的滤波元件，特别是指一种低通滤波器元件。
技术介绍
为了因应影像通讯技术与影音多媒体的应用，未来通讯频宽与抑制杂讯能力的提升，已成为不可或缺的要求。低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)的制程除了具有良好的高频特性、易将电路立体化外，也具有多种介电材料可以自由选择，在电路架构设计与布局上，都拥有较大的弹性空间，故制作元件的制程使用LTCC是现在与未来最佳的选择。无线通讯模块在前级收发模块(Front End Module)中，会使用到2个低通滤波器(Low Pass Filter)，而低通滤波器最主要的功用是对通带(Pass Band)以外的谐波加以适当地衰减，故低通滤波器在无线通讯模块中为一重要元件。在先前技术一般低通滤波器，具有2个传输零点类型的低通滤波器，其频带杂讯抑制能力已不敷使用，故具有3个传输零点类型的低通滤波器为目前应用的主流，其中图5为一般低通滤波器的等效电路图，包含有一第一电容C1～一第五电容C5、一第一电感L1及一第二电感L2，其中，第一电容C1与第一电感L1先并联后，再连接在第三电容C3及第四电容C4之间，第二电容C2与第二电感L2同样先并联后，再连接在第四电容C4及第四电容C5之间。请参考图6所示，前述该低通滤波器所存在的问题为停带(Stop Band)杂讯抑制能力仍然无法达到通带(Pass Band)截止频率的10倍以上，如范围A1所标示的频段。故通带频率的10倍以上的谐波将无法有效衰减，此为目前低通滤波器有待克服的技术问题。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种具有宽频抑制能力的低通滤波器，在高频的宽停带(Stop band)区段提供良好的杂讯抑制能力。为达成前述目的，本技术具有宽频抑制能力的低通滤波器包含以多个层的基板堆叠形成的一积层本体，在该多层基板的表面上形成多个多个导电图案，该多个多个导电图案构成第一电容至第七电容以及第一电感至第四电感，其中：该第三电容的一端为一输入端，该第三电容的另一端连接至接地；该第五电容的一端为一输出端，该第五电容的另一端连接至接地；该第一电容及第一电感并联在该输入端与该第四电容的第一端；该第二电容及第一电感并联在该输出端与该第四电容的第一端；该第四电容的第二端连接至接地；该第六电容及该第三电感串联构成一第一LC谐振电路，该第一LC谐振电路连接在该输入端与该第四电容的第一端之间；该第七电容及该第四电感串联构成一第二LC谐振电路，该第二LC谐振电路连接在该输出端与第四电容的第一端之间。上述具有宽频抑制能力的低通滤波器，其中，该多个层的基板包含由上而下依序堆叠的第一基板至第九基板，其中：该第一基板至第四基板表面的形成有多个第一电感线段，该些第一电感线段串联构成该第一电感；且第一基板至第四基板之间的第一电感线段互相重叠耦合构成该第一电容；该第一基板至第四基板表面的形成有多个第二电感线段，该些第二电感线段串联构成该第二电感；且第一基板至第四基板之间的第二电感线段互相重叠耦合构成该第二电容；该第一基板上的第一电感线段及第二电感线段互相连接在一第一连接点；该第五基板上形成一第三电感线段、一第四电感线段、一第六电容耦合面及一第七电容耦合面；该第三电感线段与该第四电感线段的一端互相连接在一第二连接点，该第二连接点电性连接至该第一连接点，其中，该第三电感线段构成该第三电感且延伸连接该第六电容耦合面，该第四电感线段构成该第四电感且延伸连接该第七电容耦合面；该第六基板上形成互相分离的一第三电容耦合面及一第五电容耦合面，该第三电容耦合面与该第六电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第五电容耦合面与前述第七电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第七基板的表面形成互相分离的一第一接地面及一第二接地面，该第一接地面与该第三电容耦合面互相耦合而构成该第三电容；该第二接地面与该第五电容耦合面互相耦合而构成该第五电容；该第八基板的表面形成一第四电容耦合面，该第四电容耦面上具有一第三连接点，第三连接点电性连接至该第二连接点；该第九基板的表面形成一第三接地面，该第三接地面与前述该第四电容耦合面互相耦合构成该第四电容。上述具有宽频抑制能力的低通滤波器，其中，该多个层的基板包含由上而下依序堆叠的第一基板至第十基板，其中：该第一基板至第四基板表面的形成有多个第一电感线段，该些第一电感线段串联构成该第一电感；且第一基板至第四基板之间的第一电感线段互相重叠耦合构成该第一电容；该第一基板至第四基板表面的形成有多个第二电感线段，该些第二电感线段串联构成该第二电感；且第一基板至第四基板之间的第二电感线段互相重叠耦合构成该第二电容；该第一基板上的第一电感线段及第二电感线段互相连接在一第一连接点；该第五基板上形成一第三电感线段及一第四电感线段，该第三电感线段与该第四电感线段的一端互相连接在一第二连接点，该第二连接点电性连接至该第一连接点，其中，该第三电感线段构成该第三电感，该第四电感线段构成该第四电感；该第六基板上形成一第六电容耦合面及一第七电容耦合面，该第六电容耦合面电性连接该第三电感线段，该第七电容耦合面电性连接该第四电感线段；该第七基板上形成互相分离的一第三电容耦合面及一第五电容耦合面，该第三电容耦合面与该第六电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第五电容耦合面与前述第七电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第八基板的表面形成互相分离的一第一接地面及一第二接地面，该第一接地面与该第三电容耦合面互相耦合而构成该第三电容；该第二接地面与该第五电容耦合面互相耦合而构成该第五电容；该第九基板的表面形成一第四电容耦合面，该第四电容耦面上具有一第三连接点，第三连接点电性连接至该第二连接点；该第十基板的表面形成一第三接地面，该第三接地面与前述该第四电容耦合面互相耦合构成该第四电容。上述具有宽频抑制能力的低通滤波器，其中，该第四基板上形成的第一电感线段的一端与第二电感线段的一端分别构成该输入端及该输出端。上述具有宽频抑制能力的低通滤波器，其中，第三电容耦合面延伸至其所在基板的其中一侧边以电性连接该第四基板的输入端；且第五电容耦合面延伸至其所在基板的其中一侧边以电性连接该第四基板的输出端。藉由在低通滤波器的输入端及输出端之间加入该第一LC谐振电路及第二LC谐振电路，本技术可改善低通滤波器在通带频率10倍以上频率处会出现的突波问题，提高停带范围内的杂讯抑制效果。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述，但不作为对本技术的限定。附图说明图1：本技术低通滤波器的等效电路图。图2：本技术低通滤波器的多层导电图案分解示意图。图3：本技术低通滤波器的频率响应图。图4：本技术低通滤波器的多层导电图案另一实施例的局部分解示意图。图5：现有低通滤波器的等效电路图。图6：现有低通滤波器的频率响应图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本技术的目的、方案及功效，但并非作为本技术所附权利要求保护范围的限制。请参考图1所示，本技术是一种具有宽频抑制能力的低通滤波器，包含有第一电容C1～第七电容C7、第一电感L1～第四电感L4。该第三电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有宽频抑制能力的低通滤波器，其特征在于，包含以多个层的基板堆叠形成的一积层本体，在该多层基板的表面上形成多个导电图案，该多个导电图案构成第一电容至第七电容以及第一电感至第四电感，其中：该第三电容的一端为一输入端，该第三电容的另一端连接至接地；该第五电容的一端为一输出端，该第五电容的另一端连接至接地；该第一电容及第一电感并联在该输入端与该第四电容的第一端；该第二电容及第一电感并联在该输出端与该第四电容的第一端；该第四电容的第二端连接至接地；该第六电容及该第三电感串联构成一第一LC谐振电路，该第一LC谐振电路连接在该输入端与该第四电容的第一端之间；该第七电容及该第四电感串联构成一第二LC谐振电路，该第二LC谐振电路连接在该输出端与第四电容的第一端之间。

【技术特征摘要】
1.一种具有宽频抑制能力的低通滤波器，其特征在于，包含以多个层的基板堆叠形成的一积层本体，在该多层基板的表面上形成多个导电图案，该多个导电图案构成第一电容至第七电容以及第一电感至第四电感，其中：该第三电容的一端为一输入端，该第三电容的另一端连接至接地；该第五电容的一端为一输出端，该第五电容的另一端连接至接地；该第一电容及第一电感并联在该输入端与该第四电容的第一端；该第二电容及第一电感并联在该输出端与该第四电容的第一端；该第四电容的第二端连接至接地；该第六电容及该第三电感串联构成一第一LC谐振电路，该第一LC谐振电路连接在该输入端与该第四电容的第一端之间；该第七电容及该第四电感串联构成一第二LC谐振电路，该第二LC谐振电路连接在该输出端与第四电容的第一端之间。2.如权利要求1所述具有宽频抑制能力的低通滤波器，其特征在于，该多个层的基板包含由上而下依序堆叠的第一基板至第九基板，其中：该第一基板至第四基板表面的形成有多个第一电感线段，该些第一电感线段串联构成该第一电感；且第一基板至第四基板之间的第一电感线段互相重叠耦合构成该第一电容；该第一基板至第四基板表面的形成有多个第二电感线段，该些第二电感线段串联构成该第二电感；且第一基板至第四基板之间的第二电感线段互相重叠耦合构成该第二电容；该第一基板上的第一电感线段及第二电感线段互相连接在一第一连接点；该第五基板上形成一第三电感线段、一第四电感线段、一第六电容耦合面及一第七电容耦合面；该第三电感线段与该第四电感线段的一端互相连接在一第二连接点，该第二连接点电性连接至该第一连接点，其中，该第三电感线段构成该第三电感且延伸连接该第六电容耦合面，该第四电感线段构成该第四电感且延伸连接该第七电容耦合面；该第六基板上形成互相分离的一第三电容耦合面及一第五电容耦合面，该第三电容耦合面与该第六电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第五电容耦合面与前述第七电容耦合面互相耦合而构成该第六电容；该第七基板的表面形成互相分离的一第一接地面及一第二接地面，该第一接地面与该第三电容耦合面互相耦合而构成该第三电容；该第二接地面与该第五电容耦合面互相耦合而构成该第五电容；该第八基板的表面形成一第四电容耦合面，该第四电容耦面上具有一第三连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家鸿，林佳錤，陈佳锚，涂莉梅，陈惠如，
申请(专利权)人：华新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71