本发明专利技术涉及一种电子技术领域的宽带高通相位调节器，其中：第二微带线连接输入端，第二微带线另一端分别与第二变容二极管的阳极连接和第四微带线一端连接，第四微带线另一端接地，第二变容二极管的阴极分别与另一个第一变容二极管的阴极和一根第一微带线一端连接，第一变容二极管和第二变容二极管采用背靠背的连接方法，第一微带线分别与直流电源和两个电容一端连接，两个电容的另一端接地，第一变容二极管的阳极分别与第三微带线和第五微带线一端连接，第五微带线另一端接地，第三微带线另一端接输出。本发明专利技术结构简单，易于实现，能够获得较宽带的频率响应和较大的相位调节度，可应用于宽带压控振荡器和功率放大器中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子
的相位调节器，具体地说，涉及的是一种宽 带高通相位调节器。
技术介绍
随着射频和微波集成电路及系统的发展，相位调节器被广泛应用于各类射 频电路系统中，如压控振荡器和功率放大器等。在通信系统中，由于锁相环电 路的广泛使用，要求系统内频率可以调谐，因此相位调节器被广泛应用于压控 振荡器当中，通过电压的改变可以有效的调节振荡器中的相位，从而达到窄带 频率可调的目的，而且这种方法不会降低相位噪声。经过对现有技术的文献检索发现，Yong-Sheng Dai等在《IEEE Microwave and Wireless Components Letters》，(美国IEEE微波与无线元件杂志)2008 年2月第18巻第2期第109至111页上发表的"A Novel Miniature l_22GHz 90°MMIC Phase Shifter with Microstrip Radial Stubs"，该文中提至U了一 种宽带相移器的设计方法，具体方法是利用了集成电路和微带线混合电路实现 了宽带相位调节器。其不足在于尽管这种设计方法在一定程度上增加了相位调 节器的带宽，提高了其可调谐范围，但其损耗也相应增加，约为2.5 — 3.5dB; 此外，由于研究与设计方法的不确定性和特殊性，这种方法难以形成一定的设 计规律，且电路较为复杂，实现起来有一定难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种宽带高通相位调节器， 使其克服了高插入损耗和复杂的电路设计，其设计方法具有一定的规律且易于 实现。本专利技术满足压控振荡器的宽带调谐能力，且结构简单，易于实现，能够 提供较高的调谐范围和较低的损耗，可以应用于压控振荡器的设计中。本专利技术是通过以下技术方案实现的，本专利技术包括第一变容二极管、第二变 容二极管、第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线，两个电容，首先输入端与第二微带线连接，第二微带线另一端分别与第二变容 二极管的阳极连接和第四微带线一端连接，第四微带线另一端接地。第二变容 二极管的阴极分别与另一个第一变容二极管的阴极和一根第一微带线一端连 接，第一变容二极管和第二变容二极管采用背靠背的连接方法，这种方法有助 于实现低阻抗的连接方式，达到变容二极管电压可调谐的目的，另外可以增加 相位调节器的功率承受能力。第一微带线分别与直流电源和两个电容一端连接， 两个电容的另一端接地，第一变容二极管的阳极分别与第三微带线和第五微带 线一端连接，第五微带线另一端接地，第三微带线另一端接输出。所述第一微带线、第四微带线、第五微带线均为100欧姆微带线。这些微带 线分别由具体数值的电感来确定。所述第二微带线、第三微带线均为50欧姆微带线。本专利技术首先采用了普通的高通滤波电路的设计方法，在此基础上，将滤波 电路中的电感元件，转化成分布式微带线的形式，再使用变容二极管替代电容 元件，并采用两个变容二极管背对背的形式，提供较低的输入阻抗，从而引入 直流偏置，达到电容随电压变化的目的，从而使电路的相位随电压的控制而变 化。本专利技术相位调节器的的输入和输出分别接入振荡器和功率放大器的输出和 输入，直流电源接在第一欧姆微带线的一端，通过调节直流电源，达到调节第 一变容二极管和第二变容二极管可变电容的目的，而整个电路的相位则随着变 容二极管电容的变化而变化。本专利技术采用了Agilent公司的射频与微波仿真软件ADS对其进行了仿真，同时考虑了在较高频率下变容二极管等元件的寄生效应，及其对电路的频率相应 的影响。本专利技术得到了宽带相移器的频率响应，且其损耗较低(0.5-1.5dB)，在直 流偏置0-10V下，相位的可调谐范围约为77°，通过采用安捷伦公司的网络分析 仪，对其进行了实验测量，得到了与仿真相同的结果，进一步证明了本专利技术的 实用性和可靠性。附图说明图1为五级高通滤波等效电路。图2为相位调节器结构示意图。图3为变容二极管的等效电路。图4为变容二极管电容随电压的变化关系。图5为本专利技术仿真结果图中(a)带宽(b)损耗。图6为本专利技术相位和损耗测试结果图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的实施例作详细说明本实施例在以本专利技术技术方 案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本专利技术的 保护范围不限于下述的实施例。如图1所示，为本实施例等效电路图，它是一个五级高通滤波电路，由三 个电感和两个电容组成。输入端分别接入电感L和电容C2，电容C2分别接电感 L3和电容C4，电容C4接电感Ls，电感U接输出端。这个高通滤波电路的下限截 止频率设定为所使用频率的65%，这样的选择可以保证电路在所使用的频率下 具有较好的平坦度，即插入损耗较小。如图2所示，本实施例包括PCB衬底(Rogers公司的4003C， "=3.38, 衬 底高度H:0.508m，)、金属导体(铜导体，厚度T-17um)、变容二极管(Ma-com公 司的46H070)和去耦电容。它是在图l所示的等效电路图的基础上，将该五级高 通滤波等效电路(电感部分)转化成了分布式的微带线结构形式，这是因为在 高频率段，普通电感元件具有较大的寄生电容，且品质系数也较低，采用微带 线的形式可以精确的计算出相应的等量电感；而电容部分则可以由两个变容二 极管采用背靠背的方式替代，这种方式在偏置部分可以得到低阻抗的特性，因 此可以通过控制电压的方式来调节变容二极管的电容，达到电压调谐相位调节 器相位的目的。如图2所示，为了使输入和输出满足外部电路的匹配要求，输入输出都采用 了50欧姆的微带传输线，其中输入端与50欧姆微带线TL2连接，50欧姆微带线TL2 另一端分别与一个变容二极管D2的阳极连接和100欧姆微带线TL4一端连接， 100欧姆微带线TL4另一端接地。变容二极管D2的阴极分别与另一个变容二极管 D1的阴极和一根100欧姆微带线TL1一端连接，D1和D2采用背靠背的连接方法，这种方法有助于实现低阻抗的连接方式，达到变容二极管电压可调谐的目的， 另外可以增加相位调节器的功率承受能力。100欧姆微带线TL1分别与直流电源 DC和两个电容C1和C2—端连接，达到消除直流偏置对射频信号的影响电容C1和 C2的另一端接地，变容二极管D1的阳极分别与50欧姆微带线TL3和100欧姆微带 线TL5—端连接，100欧姆微带线TL5另一端接地，50欧姆微带线TL3另一端接输 出。这里图1中的并联电感L、 L2和L3转化成为的100欧姆微带线形式。这里采用100欧姆微带线可以更好的等效电感，使所采用的微带线等于电 感的实际计算值。图3所示是Ma-com公司的变容二极管及其等效电路，R是寄生电阻，"是 寄生电感，d是寄生电容，C2是可变电容，其电容随偏置电压的变化而变化。两 个变容二极管采用了背靠背的方式连接，这种方法可以有效地降低偏置连接点 的阻抗，并且可以让相移器承受更大的功率。图4所示是变容二极管随偏置电压变化的关系，通过改变直流偏置电压， 可以改变变容二极管的电容，从而调节了插入损耗S^的相位。本实施例利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真，结果如图5所示。从图 中可以看出，其带宽可以达到4GHz,而损耗随电压的变化大约在0.5-1.5dB范围 内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种宽带高通相位调节器，包括第一变容二极管、第二变容二极管、第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线、两个电容，其特征在于：第二微带线连接输入端，第二微带线另一端分别与第二变容二极管的阳极连接和第四微带线一端连接，第四微带线另一端接地，第二变容二极管的阴极分别与另一个第一变容二极管的阴极和一根第一微带线一端连接，第一变容二极管和第二变容二极管采用背靠背的连接方法，第一微带线分别与直流电源和两个电容一端连接，两个电容的另一端接地，第一变容二极管的阳极分别与第三微带线和第五微带线一端连接，第五微带线另一端接地，第三微带线另一端接输出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周亮，毛军发，尹文言，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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