一种含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用。所述含苊的化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：本发明专利技术的含苊的化合物中苊具有较好的共轭面且具有良好的烷基基团，既能提供较高的迁移率，又能够产生较好的抗结晶性。同时在芳胺不稳定位置连接稳定基团，能较大地提升器件寿命。能较大地提升器件寿命。能较大地提升器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机电激发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称为OLED)。该发光器件具有薄型且能在低驱动电压下高亮度发光以及能通过选择发光材料而进行多色发光的特征，因此倍受关注。
[0003]OLED空穴传输材料要求具有高的抗结晶性和良好的器件稳定性，三芳胺作为良好的空穴传输材料常常被用做空穴传输材料，但是胺连接的芳香族烃基往往在空穴传输过程中表现出不稳定。很多的已报道的三芳胺由于刚性太强导致分子容易在薄膜结晶，共轭平面太少的分子也有迁移率慢的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用，用于解决现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术一方面提供一种含苊的化合物，所述含苊的化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：
[0006][0007]其中，
[0008]A1，A2至少一个选自命名为基团A，其上的任一位置均可作为式(Ⅰ)中与A1或A2相连接的苯环的连接位点；
[0009]X1，X2，X3各自独立选自O，S，NR，CR
’
R”；其中R，R
’
，R”各自独立选自为取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香
族烃基；
[0010]L1，L2各自独立选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；
[0011]R1～R
12
各自独立选自氢、氘、取代或未取代的C1
‑
C10的直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C10的环烷基、取代或未取代的C1
‑
C10的杂烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；或者R1～R
12
任意两个相邻基团结合形成取代或未取代的环；
[0012]a～e各自独立选自0～5。
[0013]本专利技术另一方面提供一种空穴传输层材料，包括本专利技术前述的含苊的化合物。
[0014]本专利技术另一方面提供如本专利技术前述的含苊的化合物和/或前述的空穴传输层材料在有机电致发光器件中的应用。
[0015]本专利技术另一方面提供一种有机电致发光器件，其包括本专利技术前述的含苊的化合物和/或前述的空穴传输层材料。
[0016]本专利技术另一方面提供一种显示或照明装置，包括如本专利技术前述的有机电致发光器件。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0018]本专利技术的含苊的化合物中苊具有较好的共轭面且具有良好的烷基基团，既能提供较高的迁移率，又能够产生较好的抗结晶性。同时在芳胺不稳定位置连接稳定基团，能较大地提升器件寿命。
附图说明
[0019]图1是实施例中有机电致发光器件的一种结构示意图(顶发光器件)。
[0020]图2是实施例中有机电致发光器件的另一种结构示意图(底发光器件)。
[0021]图中：
[0022]101
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基底
[0023]102
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第一电极
[0024]103
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空穴注入层
[0025]104
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第一层空穴传输层
[0026]105
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第二层空穴传输层
[0027]106
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发光层
[0028]107
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空穴阻挡层
[0029]108
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电子传输层
[0030]109
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第二电极
[0031]110
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覆盖层
具体实施方式
[0032]以下，详细说明具体公开的含苊的化合物及其在有机电致发光器件中的应用的实施方式。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节
也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0033]在进一步描述本专利技术具体实施方式之前，应理解，本专利技术的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本专利技术实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本专利技术的保护范围；在本专利技术说明书和权利要求书中，除非文中另外明确指出，单数形式“一个”、“一”和“这个”包括复数形式。
[0034]当实施例给出数值范围时，应理解，除非本专利技术另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本专利技术中使用的所有技术和科学术语与本
技术人员通常理解的意义相同。除实施例中使用的具体方法、设备、材料外，根据本
的技术人员对现有技术的掌握及本专利技术的记载，还可以使用与本专利技术实施例中所述的方法、设备、材料相似或等同的现有技术的任何方法、设备和材料来实现本专利技术。
[0035]本专利技术专利技术人经过大量探索研究，提供一种基于苊或苊的衍生物的含苊的化合物，苊具有较好的共轭面且具有良好的烷基基团，既能提供较高的迁移率，又能够产生较好的抗结晶性。同时在芳胺不稳定位置连接稳定基团，能较大地提升器件寿命。在此基础上，完成了本专利技术。
[0036]本专利技术中的取代基的实例描述如下，但取代基并不限于此：
[0037]【取代或未取代】是指经选自以下的一个或更多个取代基取代：氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、氧化膦基团、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳香族烃基硫基、烷基磺酰基、芳香族烃基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳香族烃基、芳烷基、芳烯基、烷基芳香族烃基、烷基胺基、芳烷基胺基、杂芳香族烃基胺基、芳香族烃基胺基、芳香族烃基膦基和杂芳香族烃基，苊基，苊的衍生物基团，或未取代；或者经连接以上示例的取代基中的两个或更多个取代基的取代基取代，或未取代。例如，“连接两个或更多个取代基的取代基”可包括联苯基，即联苯基可为芳香族烃基，或者为连接两个苯基的取代基。
[0038]【烷基】可为直链或支链的，并且碳原子数没有特别限制。在一些实施例中，烷基包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含苊的化合物，所述含苊的化合物的化学结构如式(Ⅰ)所示：其中，A1，A2至少一个选自命名为基团A，其上的任一位置均可作为式(Ⅰ)中与A1或A2相连接的苯环的连接位点；X1，X2，X3各自独立选自O，S，NR，CR
’
R”；其中R，R
’
，R”各自独立选自为取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；L1，L2各自独立选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30的亚芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的亚杂芳香族烃基；R1～R
12
各自独立选自氢、氘、取代或未取代的C1
‑
C10的直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C10的环烷基、取代或未取代的C1
‑
C10的杂烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；或者R1～R
12
任意两个相邻基团结合形成取代或未取代的环；a～e各自独立选自0～5。2.如权利要求1所述的含苊的化合物，其特征在于，所述含苊的化合物的化学结构如式(Ⅱ)～式(
Ⅶ
)所示：
其中，X1，X2，X3、L1、L2、R1～R
12
、a～e定义与式(Ⅰ)中的相同。3.如权利要求1所述的含苊的化合物，其特征在于，所述L1～L2各自独立选自单键或者选自以下任一基团：其中，其中，R
13
～R
14
各自独立选自氢、氘、取代或未取代的C1
‑
C10的直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C10的环烷基、取代或未取代的C1
‑
C10的杂烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；或者R
13
～R
14
结合形成取代或未取代的环；优选的，R
13
～R
14
各自独立选自选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基、烷氧基、苯基；X4、Z相同或不同，各自独立选自O、S、NR
15
、CR
15
R
16
、SiR
15
R
16
、SeR
15
R
16
；其中R
15
～R
16
各自氢、氘、取代或未取代的C1
‑
C10的直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C10的环烷基、取代或未取代的C1
‑
C10的杂烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳香族烃基、取代或未取代的C5
‑
C30的杂芳香族烃基；或者R
15
～R
16
结合形成取代或未取代的环；优选的，R
15
～R
16
各自独立选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基、烷氧基、苯基；上述基团上的任意位置均可作为与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王湘成，何睦，王鹏，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：