一种芳胺咔唑类化合物及包含该化合物的有机电致发光器件制造技术

技术编号:33995437 阅读:25 留言:0更新日期:2022-07-02 10:45
本发明专利技术公开了一种芳胺咔唑类化合物及包含该化合物的有机电致发光器件,属于半导体材料技术领域,所述化合物的结构如通式(1)所示。本发明专利技术芳胺咔唑类化合物中间以芳香环为桥连,并且咔唑和芳胺分散连接在芳香环上,具有优异的空穴传输能力、膜相态稳定性和耐候性。通过使用新的芳胺咔唑类化合物来形成有机电致发光器件的空穴传输材料时,可显示出器件性能的提高,例如器件效率提升、驱动电压降低和寿命延长等效果。延长等效果。延长等效果。

【技术实现步骤摘要】
一种芳胺咔唑类化合物及包含该化合物的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其是涉及一种新的芳胺咔唑类化合物,以及包含所述芳胺咔唑类化合物的适用于各种显示装置的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中,并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱,空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性。另外,空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素,因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域,一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋,截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高,因此,如何提高该类器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳胺咔唑类化合物,其特征在于,所述化合物的结构如通式(1)所示:所述Ar1‑
Ar4分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种;所述L0、L1分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基,且不同时表示为单键;虚线表示两个基团以单键形式连接或不连接,但不同时以单键形式连接;所述R1表示为亚苯基、亚萘基或联苯基;所述R3表示为氢原子、苯基、萘基或联苯基;所述R2表示为氢原子、氘原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种;R2与邻近的苯基通过单键或者并环的形式连接;用于取代的取代基任选自氕、氘、氚、C1‑
10
的烷基、C6‑
C
30
芳基、含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的芳胺咔唑类化合物,其特征在于,所述芳胺咔唑类化合物的结构为通式(2)

通式(4)中任一种所示的结构:所述L0、L1、Ar1‑
Ar4、R2、R3的定义同权利要求1的限定。3.根据权利要求1所述的芳胺咔唑类化合物,其特征在于,所述用于取代的取代基任选自:氘、甲基、乙基、丙基、叔丁基、苯基、二联苯基、萘基、芴基、菲基、芘基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基中的一种。4.根据权利要求1所述的芳胺咔唑类化合物,其特征在于,所述芳胺咔唑类化合物的具体结构为如下结构中的任一种:
5.一种有机电致发光器件,由下至上依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极,其特征在于,所述空穴传输区域包含权利要求1

4任一项所述的芳胺咔唑...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚书夏王芳吴秀芹张兆超李崇
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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