翻转网络跨导-电容补偿电路制造技术

本发明专利技术涉及一种翻转网络跨导－电容补偿电路，包括：一主信号跨导，包括Ｎ＋１个主信号跨导单元，所述Ｎ＋１个主信号跨导单元级联，形成主信号路径；一前馈补偿跨导，包括Ｎ个前馈补偿跨导单元，用来形成左半平面零点，改善相位裕度；一补偿电容，包括Ｎ个电容，由于米勒效应分离主极点和非主极点，用来提高跨导放大器稳定性；一负载电容，包括一个电容，与负载电阻一起形成跨导放大器极点。本发明专利技术提供的ＲＮＧＣＣ电路有效改善相位裕度、结构简单，适合于未来ＣＭＯＳ工艺所必须的低电源电压，有着广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及互补金属氧化物半导体晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor,以下简称CMOS)集成跨导》文大器设计领域，特别是一种翻 转网络跨导-电容补偿(Reversed Nested Gm-C Compensation ，以下简称 RNGCC)电3各。
技术介绍
近几年来，随着深亚微米集成电路工艺技术和消费电子设备产业的飞速 发展，全球电子市场也空前繁荣起来。消费电子设备包括手持通信娱乐、有 线宽带互联网接入、医疗器械等等，具有相当广阔的市场潜力和发展前景。 更强功能、更长工作时间的产品将会在电子市场中抢占先机，因此高性能低 功耗的数字和模拟电路设计正成为目前研究的热点。在这些应用系统中，电 源管理系统已成为当前集成电路产业发展中重点攻关课题。在各种电压转换 结构中，低压差(Low Dropout ，以下简称LDO)线性电压转换器的优势明 显，可以在较低的噪声输出以及在不同负载的条件下具有稳定性好的特点。 图1为典型LDO结构的示意图，如图1所示，PMOS晶体管作为误差放大器的 负载，其面积非常大，在通常CMOS 0. 5jiim工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种翻转网络跨导－电容补偿电路，其特征在于，包括：　一主信号跨导，包括Ｎ＋１个主信号跨导单元，所述Ｎ＋１个主信号跨导单元级联，形成主信号路径；　一前馈补偿跨导，包括Ｎ个前馈补偿跨导单元，用来形成左半平面零点，改善相位裕度；　 　一补偿电容，包括Ｎ个电容，由于米勒效应分离主极点和非主极点，用来提高跨导放大器稳定性；　一负载电容，包括一个电容，与负载电阻一起形成跨导放大器极点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，周玉梅，巨浩，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]