一种表面处理装置制造方法及图纸

本申请公开了一种表面处理装置，涉及表面处理技术领域。表面处理装置包括真空室、工件架及至少一弧光电子源发生机构；真空室包括第一腔室和第二腔室，工件架转动安装于所述第一腔室中，工件架的转动轴线平行于所述真空室的轴向；弧光电子源发生机构用于产生电子束并在第一腔室中激发产生等离子体，弧光电子源发生机构包括用于隔离第一腔室和第二腔室的挡板，挡板上开设有连通第一腔室和第二腔室的缺口，缺口包括沿真空室轴向的第一侧边和第二侧边，第一侧边沿第二腔室周向边缘的部分进行布设，第二侧边向靠近所述第一侧边的方向弯曲。本申请提供的表面处理装置可提升轴向清洗的一致性。性。性。

A surface treatment device

【技术实现步骤摘要】
一种表面处理装置


[0001]本申请涉及表面处理
，尤其涉及一种表面处理装置。

技术介绍

[0002]物理气相沉积((Physical Vapor Deposition，PVD)镀膜过程中，通常将电弧电子辉光(Arc Electronic Glow，AEG)与偏压清洗一起结合使用，对工件表面进行清洗。然而，现有的AEG装置，存在电子轴向分布不均问题，导致沿轴向分布的各层工件清洗效果不一致，清洗效果差。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种表面处理装置，用于改善真空室内等离子体的轴向均质性。
[0004]本申请提供了：
[0005]一种表面处理装置，包括真空室、工件架及至少一弧光电子源发生机构；
[0006]其中，所述真空室包括第一腔室和第二腔室，所述工件架转动安装于所述第一腔室中，所述工件架的转动轴线平行于所述真空室的轴向，所述工件架用于放置待清洗工件；
[0007]所述弧光电子源发生机构用于产生电子束并在所述第一腔室中激发产生等离子体，所述弧光电子源发生机构包括用于隔离所述第一腔室和所述第二腔室的挡板，所述挡板上开设有连通所述第一腔室和所述第二腔室的缺口，所述缺口包括沿所述真空室轴向的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边同向弯曲布设，以使所述缺口的宽度在轴向上的各部分趋于一致。
[0008]在一些可能的实施方式中，所述弧光电子源发生机构包括阳极棒及至少一弧阴极组件；
[0009]其中，所述阳极棒绝缘设置于所述第一腔室中，所述阳极棒平行于所述真空室的轴向；
[0010]所述弧阴极组件包括弧阴极、电弧靶和所述挡板，所述电弧靶设置于所述弧阴极的一侧，所述电弧靶与所述弧阴极电连接，所述电弧靶绝缘设置于所述第二腔室中，所述电弧靶与所述挡板间隔相对设置；
[0011]所述第一侧边沿所述弧阴极的部分边缘轮廓线进行布设，所述第二侧边位于所述第一侧边靠近所述挡板中部的一侧。
[0012]在一些可能的实施方式中，所述缺口的偏距L满足：
[0013][0014]其中，所述偏距L表示所述第一侧边中点与所述第二侧边中点的距离，R1表示所述弧阴极的半径，R2表示所述电弧靶的半径；
[0015]n和m为自然数，n和m满足n＜m+1＜4n。
[0016]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由金属材料或陶瓷材料制成时，5≤
n≤10，且n≤m≤2n。
[0017]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由金属材料或陶瓷材料制成时，7≤n≤10。
[0018]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由金属材料或陶瓷材料制成时，n≤m≤2n
‑
2。
[0019]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由塑胶材料制成时，2≤n≤5，且2n
‑
2≤m+1≤4n。
[0020]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由塑胶材料制成时，2≤n≤4。
[0021]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由塑胶材料制成时，2n
‑
1≤m+1≤4n。
[0022]在一些可能的实施方式中，所述第二侧边满足：
[0023]R3＞R1‑
L；
[0024]其中，R3表示所述第二侧边所在弧的半径。
[0025]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由金属材料或陶瓷材料制成时，
[0026]在一些可能的实施方式中，当所述待清洗工件由塑胶材料制成时，
[0027]本申请的有益效果是：本申请提出一种表面处理装置，包括真空室、工件架及至少一弧光电子源发生机构。其中，真空室包括第一腔室及第二腔室，工件架转动安装于第一腔室中。弧光电子源发生机构用于产生电子束并在第一腔室中激发产生等离子体，以对工件架上的待清洗工件进行增强清洗。弧光电子源发生机构包括隔离第一腔室和第二腔室的挡板，且挡板上开设有连通第一腔室和第二腔室的缺口，以便弧光电子源发生机构产生的电子束从第二腔室溢出至第一腔室，进而在第一腔室中激发产生等离子体。缺口包括沿真空室轴向的第一侧边和第二侧边，第一侧边和第二侧边同向弯曲。从而，使得缺口沿真空室轴向的各部分宽度趋向均匀，当电子从第二腔室溢出至第一腔室形成电子束时，电子在缺口位置即可得到调匀，即沿真空室轴向电子数量趋向均匀分布，进而可使第一腔室中产生的等离子体在真空室的轴向趋向均匀分布，使得工件架上沿轴向的各待清洗工件的增强清洗一致性提高，改善清洗效果。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0029]图1示出了现有技术中挡板上缺口的结构示意图；
[0030]图2示出了现有技术中电子束的运动轨迹示意图；
[0031]图3示出了现有技术中电子的分布示意图；
[0032]图4示出了一些实施例中表面处理装置的俯视结构示意图；
[0033]图5示出了一些实施例中表面处理装置的部分放大结构示意图；
[0034]图6示出了图4中A
‑
A方向上弧阴极组件的结构示意图；
[0035]图7示出了一些实施例中弧阴极组件的尺寸标注示意图；
[0036]图8示出了一些实施例中缺口结构与现有技术中缺口的对比结构示意图；
[0037]图9示出了一些实施例中弧光电子源发生机构的结构示意图；
[0038]图10示出了一些实施例中弧光电子源发生机构所产生电子的轨迹示意图。
[0039]主要元件符号说明：
[0040]10
‑
真空室；11
‑
真空室主体；12
‑
门板；13
‑
抽气管；101
‑
第一腔室；102
‑
第二腔室；20
‑
工件架；21
‑
基座；22
‑
置物架；30
‑
弧光电子源发生机构；31
‑
弧阴极组件；311
‑
电弧靶；312
‑
挡板；3121
‑
缺口；31211
‑
第一侧边；31212
‑
第二侧边；31213
‑
第三侧边；31214
‑
第四侧边；313
‑
弧阴极；32
‑
阳极棒；40
‑
待清洗工件。
具体实施方式
[0041]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面处理装置，其特征在于，包括真空室、工件架及至少一弧光电子源发生机构；其中，所述真空室包括第一腔室和第二腔室，所述工件架转动安装于所述第一腔室中，所述工件架的转动轴线平行于所述真空室的轴向，所述工件架用于放置待清洗工件；所述弧光电子源发生机构用于产生电子束并在所述第一腔室中激发产生等离子体，所述弧光电子源发生机构包括用于隔离所述第一腔室和所述第二腔室的挡板，所述挡板上开设有连通所述第一腔室和所述第二腔室的缺口，所述缺口包括沿所述真空室轴向的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边同向弯曲布设，以使所述缺口的宽度在轴向上的各部分趋于一致。2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述弧光电子源发生机构包括阳极棒及至少一弧阴极组件；其中，所述阳极棒绝缘设置于所述第一腔室中，所述阳极棒平行于所述真空室的轴向；所述弧阴极组件包括弧阴极、电弧靶和所述挡板，所述电弧靶设置于所述弧阴极的一侧，所述电弧靶与所述弧阴极电连接，所述电弧靶绝缘设置于所述第二腔室中，所述电弧靶与所述挡板间隔相对设置；所述第一侧边沿所述弧阴极的部分边缘轮廓线进行布设，所述第二侧边位于所述第一侧边靠近所述挡板中部的一侧。3.根据权利要求2所述的表面处理装置，其特征在于，所述缺口的偏距L满足：其中，所述偏距L表示所述第一侧边中点与所述第二侧边中点的距离，R1表示所述弧阴极的半径，R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：田修波，宋光耀，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：