System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 非晶合金丝及其制备方法、GMI传感器、退火装置制造方法及图纸_技高网

非晶合金丝及其制备方法、GMI传感器、退火装置制造方法及图纸

技术编号:41125713 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-30 17:53
本发明专利技术涉及一种非晶合金丝及其制备方法、GMI传感器、退火装置。上述制备方法包括以下步骤:在真空环境中,对非晶合金丝施加拉应力以及磁场,并将所述非晶合金丝通电进行退火处理。在真空环境中进行退火处理,避免其表面发生氧化,同时对非晶合金丝施加电流和拉应力,能够有效释放非晶纤维内部的残余应力,提高非晶纤维内部组织的均匀性,在磁场作用下,非晶合金丝能够获得表面致密环向磁畴,提高非晶合金丝的磁各向异性优化非晶合金丝内部磁畴结构,获得高GMI性能的同时,显著提升非晶合金丝在弱磁场下的磁场灵敏度。与传统焦耳热退火相比,上述制备方法易于改善磁敏感材料因内部成分不均匀及表面缺陷而产生的应力过大和局部过热的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器,特别是涉及一种非晶合金丝及其制备方法、gmi传感器、退火装置。


技术介绍

1、gmi(巨磁阻抗)传感器具有体积小、功耗低、灵敏度高等特点。近年来,随着gmi传感器的不断开发和发展,使其应用在各种场合,智能生活、汽车导航以及工业、自动化领域。gmi传感器作为新兴功能传感器将在信息电子领域发挥着越来越重要的作用。

2、目前,以非晶合金丝作为主要部件的gmi传感器被多方报道,这些传感器已经在智能交通系统,汽车安全系统,导航系统以及工业无损探伤等方面开始应用试验。例如,日本aichi公司研发的gmi传感器的灵敏度比传统的霍尔传感器高1万倍,并且具有优异的线性度(0.4%)、响应速度(100kh)以及很宽的稳定工作温度(-50-100℃)。日本名古屋大学研发的co基(cofesib)非晶合金丝gmi传感器可以达到10pt级别的分辨力,可用于检测脑磁波,这是迄今为止分辨力最高的gmi磁传感器。

3、gmi传感器作为新兴功能传感器将在信息电子领域发挥着越来越重要的作用。然而,随着对弱磁场的高精度检测需求,对于gmi传感器灵敏度的要求也越来越高,研发一种在弱磁场下具有高灵敏度的gmi弱磁传感器具有重要意义。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种非晶合金丝及其制备方法、gmi传感器、退火装置,以提高弱磁场下的磁场灵敏度。

2、本专利技术的第一方面为提供一种非晶合金丝的制备方法,方案如下:

3、一种非晶合金丝的制备方法,包括以下步骤:

4、在真空环境中,对非晶合金丝施加拉应力以及磁场,并将所述非晶合金丝通电进行退火处理。

5、在其中一个实施例中,所述真空环境的真空度为0.01mpa~0.1mpa。

6、在其中一个实施例中,所述拉应力的强度为50mpa~1000mpa。

7、在其中一个实施例中,所述磁场的强度为0.001t~0.1t。

8、在其中一个实施例中,在退火处理的过程中,电流的强度逐渐增大。

9、在其中一个实施例中,在退火处理的过程中,电流的强度从20ma~30ma逐渐增大至170ma~180ma。

10、在其中一个实施例中,在退火处理的过程中,所电流的强度阶梯式增大。

11、在其中一个实施例中,电流的强度逐级增大20ma~30ma,各阶段的持续时间为2min~10min。

12、在其中一个实施例中,所述退火处理的时间为30min~60min。

13、本专利技术的第二方面为提供一种非晶合金丝,其是通过上述任一实施例所述的制备方法制备得到。

14、本专利技术的第三方面为提供一种gmi传感器,其含有所述的非晶合金丝。

15、本专利技术的第四方面为提供一种退火装置,方案如下:

16、一种退火装置,包括真空腔、承载台、第一导电连接座、第二导电连接座、拉力机构以及磁场发生机构,所述承载台、所述第一导电连接座、所述第二导电连接座、所述拉力机构以及所述磁场发生机构均设置在所述真空腔内;

17、所述第一导电连接座和所述第二导电连接座设置在所述承载台上并相对设置,用于配合连接非晶合金丝以形成导电回路,所述第一导电连接座和/或所述第二导电连接座与所述承载台活动连接并与所述拉力机构连接,所述磁场发生机构用于在所述真空腔内产生磁场。

18、与传统方案相比,上述非晶合金丝及其制备方法、gmi传感器、退火装置具有以下有益效果:

19、上述非晶合金丝的制备方法在真空环境中对非晶合金丝进行退火处理,避免其表面发生氧化,同时对非晶合金丝施加电流和拉应力,能够有效释放非晶纤维内部的残余应力,提高非晶纤维内部组织的均匀性,同时,在磁场的作用下,非晶合金丝能够获得表面致密环向磁畴,提高非晶合金丝的磁各向异性优化非晶合金丝内部磁畴结构,在获得高gmi性能的同时,显著提升非晶合金丝在弱磁场下的磁场灵敏度。与传统焦耳热退火相比,上述制备方法易于改善磁敏感材料因内部成分不均匀及表面缺陷而产生的应力过大和局部过热的问题。

20、上述gmi传感器具有上述的非晶合金丝,因而具有相应的技术特征,并能够获得相应的有益效果。

21、上述退火装置可应用于上述非晶合金丝的制备方法中,实现在真空环境中,对非晶合金丝施加拉应力以及磁场,并对非晶合金丝通电进行退火处理,能够获得相应的有益效果。

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【技术保护点】

1.一种非晶合金丝的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法符合以下特征(1)~(3)中的一项或者多项:

3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,电流的强度逐渐增大。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,电流的强度从20mA~30mA逐渐增大至170mA~180mA。

5.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,所电流的强度阶梯式增大。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,电流的强度逐级增大20mA~30mA,各阶段的持续时间为2min~10min。

7.如权利要求1、2、4~6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述退火处理的时间为30min~60min。

8.一种非晶合金丝,其特征在于,通过权利要求1~7中任一项所述的制备方法制备得到。

9.一种GMI传感器,其特征在于,含有权利要求8所述的非晶合金丝。

10.一种退火装置,其特征在于,包括真空腔、承载台、第一导电连接座、第二导电连接座、拉力机构以及磁场发生机构,所述承载台、所述第一导电连接座、所述第二导电连接座、所述拉力机构以及所述磁场发生机构均设置在所述真空腔内;

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【技术特征摘要】

1.一种非晶合金丝的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法符合以下特征(1)~(3)中的一项或者多项:

3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,电流的强度逐渐增大。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,电流的强度从20ma~30ma逐渐增大至170ma~180ma。

5.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在退火处理的过程中,所电流的强度阶梯式增大。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,电流的强度逐级增...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙保安钱雨阳裴超群柯海波金颖
申请(专利权)人:松山湖材料实验室
类型:发明
国别省市:

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