【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及荧光陶瓷，尤其涉及一种荧光陶瓷及其制备方法、发光器件。
技术介绍
1、荧光陶瓷是一种能够在蓝光二极管光源激发的光-光转换功能材料。目前的高性能白光led通常采用蓝光芯片激发黄绿光氧化物透明荧光陶瓷的设计。然而，荧光陶瓷的透过率较高，并且其折射率大于空气的折射率，并且其内表面还存在内反射现象，在光波导的作用下会导致侧面出光量较大，产生“黄边效应”，导致发光器件发光的均匀性较差。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种荧光陶瓷的制备方法，以改善荧光陶瓷中“黄边效应”的问题，进而提高发光器件发光的均匀性。
2、根据本申请的一些实施例，提供了一种荧光陶瓷，其包括荧光陶瓷基片，所述荧光陶瓷基片具有入光面、出光面和侧面，所述入光面和所述出光面相对设置，所述侧面位于所述入光面和所述出光面之间，所述出光面和至少部分所述侧面上均具有经腐蚀形成的腐蚀纹理结构。
3、在本申请的一些实施例中，所述腐蚀纹理结构的表面粗糙度为200nm~500nm。
4、在本申请的一些实施例中，所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
5、在本申请的一些实施例中，还包括功能膜，所述功能膜层叠设置于所述入光面远离所述出光面的一侧，所述功能膜选自蓝光减反膜或增透膜。
6、在本申请的一些实施例中，所述荧光陶瓷基片的材料包括铈掺杂的钇铝石榴石。
7、进一步地，本申请还提供了一种荧光陶瓷的制备方法，包括如下步骤：采用包括磷酸的腐
8、在本申请的一些实施例中，在对荧光陶瓷片材的出光面和至少部分侧面进行腐蚀的步骤中，控制所述腐蚀液的温度为100℃~300℃；和/或，
9、在对荧光陶瓷片材的出光面和至少部分侧面进行腐蚀的步骤中，控制腐蚀的时间为1min~60min。
10、在本申请的一些实施例中，在对荧光陶瓷片材的出光面和至少部分侧面进行腐蚀之前，所述荧光陶瓷片材的透光率＞30%。
11、在本申请的一些实施例中，还包括对所述荧光陶瓷片材的入光面进行抛光处理的步骤，在抛光处理的过程中使所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
12、进一步地，本申请还提供了一种发光器件，所述发光器件包括光源和用于封装所述光源的封装层，所述封装层包括如上述实施例所述的荧光陶瓷，所述荧光陶瓷基片的入光面远离所述出光面的一侧设置有所述光源。
13、在本申请的荧光陶瓷中，荧光陶瓷基片具有相对设置的入光面和出光面以及位于入光面和出光面之间的侧面，并且出光面和至少部分侧面上具有通过对荧光陶瓷基片进行腐蚀而形成的腐蚀纹理结构。光源发出的光线在由入光面进入该荧光陶瓷基片时，先于荧光陶瓷基片的内部发生荧光转换、再在出光面和侧面上的腐蚀纹理结构的作用下发生大量散射，并最终复合形成更为均质的白光出射，从而能够明显改善因波导效应导致的侧面“黄边效应”的问题，并使得发光器件发光的均匀性得到提高。
14、另外，传统技术中为了改善“黄边效应”，通常选择在荧光陶瓷的出光面上雕刻微孔阵列或者沉积光子晶体点阵，或者是对整体的灯具结构作进一步的光学设计。但是这些方法都需要昂贵的设备和较为繁琐的制备工艺。而本申请中的荧光陶瓷基片的入光面和侧面上的腐蚀纹理结构仅需要腐蚀即可得到，对于设备的要求显著较低，制造工艺也更为简单，因此该荧光陶瓷的生产成本也显著较低。
15、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种荧光陶瓷，其特征在于，包括荧光陶瓷基片，所述荧光陶瓷基片具有入光面、出光面和侧面，所述入光面和所述出光面相对设置，所述侧面位于所述入光面和所述出光面之间，所述出光面和至少部分所述侧面上均具有经腐蚀形成的腐蚀纹理结构。
2.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述腐蚀纹理结构的表面粗糙度为200nm~500nm。
3.根据权利要求1~2任一项所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
4.根据权利要求3所述的荧光陶瓷，其特征在于，还包括功能膜，所述功能膜层叠设置于所述入光面远离所述出光面的一侧，所述功能膜选自蓝光减反膜或增透膜。
5.根据权利要求1~2及4任一项所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷基片的材料包括铈掺杂的钇铝石榴石。
6.一种如权利要求1~5任意一项所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用包括磷酸的腐蚀液对荧光陶瓷片材的出光面和至少部分侧面进行腐蚀，基于所述荧光陶瓷片材形成所述荧光陶瓷基片。
7.根据权利要求1所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在
8.根据权利要求6~7任意一项所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，在对荧光陶瓷片材的出光面和至少部分侧面进行腐蚀之前，所述荧光陶瓷片材的透光率＞30%。
9.根据权利要求6~7任意一项所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，还包括对所述荧光陶瓷片材的入光面进行抛光处理的步骤，在抛光处理的过程中使所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
10.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括光源和用于封装所述光源的封装层，所述封装层包括如权利要求1~5任意一项所述的荧光陶瓷，所述荧光陶瓷基片的入光面远离所述出光面的一侧设置有所述光源。
...【技术特征摘要】
1.一种荧光陶瓷，其特征在于，包括荧光陶瓷基片，所述荧光陶瓷基片具有入光面、出光面和侧面，所述入光面和所述出光面相对设置，所述侧面位于所述入光面和所述出光面之间，所述出光面和至少部分所述侧面上均具有经腐蚀形成的腐蚀纹理结构。
2.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述腐蚀纹理结构的表面粗糙度为200nm~500nm。
3.根据权利要求1~2任一项所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
4.根据权利要求3所述的荧光陶瓷，其特征在于，还包括功能膜，所述功能膜层叠设置于所述入光面远离所述出光面的一侧，所述功能膜选自蓝光减反膜或增透膜。
5.根据权利要求1~2及4任一项所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷基片的材料包括铈掺杂的钇铝石榴石。
6.一种如权利要求1~5任意一项所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用包括磷酸的...
【专利技术属性】
技术研发人员：麻朝阳，曹永革，唐健，李英魁，文子诚，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：
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