一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明专利技术能够防止光刻胶漂胶和裂胶。本发明专利技术能够防止光刻胶漂胶和裂胶。本发明专利技术能够防止光刻胶漂胶和裂胶。

A process for preventing photoresist bleaching and cracking

【技术实现步骤摘要】
一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺


[0001]本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺。

技术介绍

[0002]众所周知，随着光电行业的高速发展，光电子芯片的结构设计更加的多样化，同时所用到的晶圆材料种类也在变多。在有些晶圆(如铌酸锂体材料等)上，光刻胶的粘附力差和应力大，显影后会出现漂胶和裂胶等现象。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，用于防止光刻胶漂胶和裂胶。
[0004]本专利技术的目的是提供一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，包括：
[0005]S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；
[0006]S2、在晶圆上沉积过渡层；
[0007]S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行坚膜；
[0008]S4、刻蚀晶圆过渡层；
[0009]S5、对晶圆进行去胶；
[0010]S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；
[0011]S7、沉积目标金属；
[0012]S8、对晶圆进行剥离；
[0013]S9、去除过渡层，得到目标结构。
[0014]优选地，所述晶圆材料为铌酸锂或钽酸锂。
[0015]优选地，S2具体为：使用电子束蒸发或溅射或化学气相沉积设备在晶圆上沉积50nm厚的二氧化硅。
[0016]优选地，S3具体为：对晶圆进行O
2 plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP 520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，然后用120℃热板烘烤2min，进行坚膜。
[0017]优选地，S5具体为：使用丁酮溶液对晶圆进行去胶。
[0018]优选地，S6具体为：
[0019]对晶圆进行O
2 plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP 520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影。
[0020]优选地，S8具体为：使用丁酮溶液对晶圆进行剥离。
[0021]优选地，S7具体为：沉积10nm钛加50nm金。
[0022]优选地，S9具体为：根据实际情况选择干法刻蚀或湿法腐蚀，去除过渡层，得到目
标结构。
[0023]本专利技术具有的优点和积极效果是：
[0024]本专利技术相对于其他增加光刻胶粘附力防止漂胶的方法(如HMDS等)效果更好，并且在防止漂胶的同时氧化硅层可以减小由于晶圆与光刻胶膨胀系数不同导致的光刻胶应力，从而防止裂胶现象。
附图说明
[0025]图1为本专利技术优选实施例的流程图。
具体实施方式
[0026]为能进一步了解本专利技术的
技术实现思路
、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
[0027]如图1所示，本专利技术的技术方案为：
[0028]一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，首先在晶圆(包括铌酸锂、钽酸锂，但并不限定为这两种)上沉积一层过渡层(如二氧化硅、氮化硅、铬等)，将目标图形线宽扩大后进行光刻，再利用刻蚀去掉暴露的过渡层，然后光刻套刻目标图形，再沉积金属层(沉积的金属包括金、铝、铂，但不限于这些)并剥离，最后根据晶圆材料和过渡层材料选择使用湿法腐蚀或干法刻蚀去除过渡层。
[0029]具体步骤：(以下是以铌酸锂晶圆上ZEP 520A光刻胶剥离50nm金为例，同样适用于其他晶圆上其他光刻胶剥离其他金属)。
[0030]步骤一：选取干净的铌酸锂衬底作为待加工晶圆，然后使用常规光刻剥离工艺在晶圆上加工套刻标记；
[0031]步骤二：使用电子束蒸发设备/溅射设备/化学气相沉积设备在晶圆片上沉积50nm二氧化硅；
[0032]步骤三：对晶圆进行O
2 plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP 520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，然后用120℃热板烘烤2min，进行坚膜；
[0033]步骤四：使用刻蚀设备对晶圆进行刻蚀50nm二氧化硅；
[0034]步骤五：使用丁酮溶液对晶圆进行去胶：
[0035]步骤六：对晶圆进行O
2 plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP 520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；
[0036]步骤七：使用电子束蒸发设备先沉积10nm钛(粘附层)再沉积50nm金；
[0037]步骤八：使用丁酮溶液对晶圆进行剥离；
[0038]步骤九：使用湿法腐蚀的方法去除二氧化硅(根据实际情况选择干法刻蚀或湿法腐蚀去除氧化硅)，得到目标结构。
[0039]以上所述仅是对本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本专利技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，其特征在于，至少包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。2.根据权利要求1所述的防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，其特征在于，所述晶圆材料为铌酸锂或钽酸锂。3.根据权利要求1所述的防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，其特征在于，S2具体为：使用电子束蒸发或溅射或化学气相沉积在在晶圆上沉积50nm厚的二氧化硅。4.根据权利要求1所述的防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，其特征在于，S3具体为：对晶圆进行O
2 plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZE...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，刘新鹏，李宗宴，李文喆，孙峥，付通，宋学颖，曲迪，
申请(专利权)人：天津华慧芯科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：