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本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行...
该专利属于天津华慧芯科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津华慧芯科技集团有限公司授权不得商用。

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