本发明专利技术提供一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置。本发明专利技术包括阀体和与阀体输出端相连的声学产生及传播装置，阀体的两端分别设有第一端盖板和第二端盖板，阀体内部作为靶材腔室，第一端盖板上设有与所述靶材腔室相连的小孔，声学产生及传播装置的输入端连接靶材腔室，阀体的外部可拆卸地套接有温度调节装置，第二端盖板上设有连接阀体内部的加压管路，加压管路用于向靶材腔室加压，得到连续的锡喷射流，温度调节装置用于为阀体加热温度，声学产生及传播装置用于将经过其的连续的锡喷射流变为稳定的锡液滴流，声学产生及传播装置配套有用于为其制冷温的主动制冷装置。本发明专利技术方便的更换阀体，可实现锡滴极高的空间稳定性和极好的高频重复性。好的高频重复性。好的高频重复性。
【技术实现步骤摘要】
一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置
[0001]本专利技术涉及EUV(Extreme Ultraviolet，极紫外)光源领域，尤其涉及一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置。
技术介绍
[0002]半导体制造业发展迅速，现阶段主要光刻技术为EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography，极紫外光刻)。EUVL技术利用极紫外波段13.5nm波长的光作为光刻机光源进行芯片刻蚀。由于使用的13.5nm波长的光波长很短，所以EUVL可以实现很高的芯片刻蚀精度。LPP(Laser Produced Plasma，激光产生等离子体)光源是目前业界内主流的的EUV光源，其原理为大功率二氧化碳激光聚焦后与液滴锡靶供应装置产生的连续锡滴相互作用，锡滴在激光的照射下气化进一步电离发射出13.5nm的EUV光。之后EUV光被大口径的反镜收集得到功率较高的EUV光。目前阶段商用的EUV光刻光源焦点处的峰值功率可达150W及以上。EUV光源在芯片制造时，需要在高频(～kHz量级)下稳定工作。另外极紫外光源液滴锡靶供应装置由于工作温度高，常温下锡为固态，不便于维护和更换部件。这给后期维护极紫外光源液滴锡靶供应装置带来很大挑战。
技术实现思路
[0003]针对LPP光源研究现状，本专利旨在于提供一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，旨在解决目前研究中锡靶后期维护困难，以及时长太长的问题。本专利技术采用的技术手段如下：
[0004]一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，包括阀体和与所述阀体输出端相连的声学产生及传播装置，所述阀体的两端分别设有第一端盖板和第二端盖板，所述阀体内部作为靶材腔室，所述第一端盖板上设有与所述靶材腔室相连的小孔，所述声学产生及传播装置的输入端连接靶材腔室，所述阀体的外部可拆卸地套接有温度调节装置，所述第二端盖板上设有连接阀体内部的加压管路，所述加压管路用于向靶材腔室加压，得到连续的锡喷射流，所述温度调节装置用于为阀体加热温度，所述声学产生及传播装置用于将经过其的连续的锡喷射流变为稳定的锡液滴流，所述声学产生及传播装置配套有用于为其制冷温的主动制冷装置。
[0005]进一步地，所述温度调节装置包括精确加热层，所述精确加热层用于提供阀体内部的精确控温，确保锡液体一直处于熔化状态，所述温度调节装置包括夹层壳体、加热装置和温度探头，所述加热装置安装在夹层壳体上，通过读取温度探头处温度，反馈调节加热装置的输出状态。
[0006]进一步地，所述阀体的外部设有若干阀体插槽，所述精确加热夹层的夹层壳体的内部设有匹配阀体插槽的凸块。
[0007]进一步地，所述阀体和夹层壳体采用不同材质，加热时，精确加热夹层膨胀率大于阀体的膨胀率。
[0008]进一步地，所述声学产生及传播装置包括压电陶瓷，所述压电陶瓷的两端分别连接有压电陶瓷第一端压板和压电陶瓷第二端压板，压电陶瓷第一端压板将压电陶瓷压紧，并且之间加缓冲件进行声音隔断，所述缓冲件用于避免压电陶瓷的声学激励信号传播到压电陶瓷第二端压板方向，所述压电陶瓷第二端压板和第一端盖板之间还安装有隔热板和传声滚珠。
[0009]进一步地，所述主动制冷装置和第一端盖板之间的设有等径向间距的隔热滚珠。
[0010]进一步地，所述主动制冷装置包括制冷片和/或液冷管路，主动制冷装置位于阀体外部。
[0011]进一步地，易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置工作状态下主体部分处于真空环境中，第一端盖板、第二端盖板以及阀体均具有预设厚度，至少可以承受小孔锡液喷射状态下的工作压力。
[0012]进一步地，阀体和小孔之间设有过滤网。
[0013]进一步地，所述阀体和小孔之间设有收口器，所述阀体内部形状靠近第二端盖板侧向靠近第一端盖板侧平滑过渡。
[0014]本专利技术具有以下优点：
[0015]相比于之前的锡液滴靶材供应装置，此装置产生的锡滴在保证高稳定性和高效率的条件下，更加方便的更换阀体。当阀体中的锡靶材料喷射完毕后，降温即可将阀体和精确加热层轻松分离开。采用特殊设计使得阀体的加热效率更高，且加热元件易更换。利用此专利技术即可实现锡滴极高的空间稳定性和极好的高频重复性，从而为LPP光源提供良好的锡滴束源。另外在阀体的后期维护上，更加方便，可以大大缩短生产过程中的维护时间。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术实施例提供的一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置的结构示意图；
[0018]图2(a)是图1的剖面示意图，图2(b)是图1的右视图。
[0019]图3是本专利技术实施例中阀体的结构示意图。
[0020]图4是本专利技术小孔位置示意图，(a)、(b)、(c)分别为(a)、(b)、(c)分别为三种不同的设计。
[0021]图5是一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置的供料罐示意图。
[0022]图中：1、第一端盖板；2、第二端盖板；3、阀体；4、声学产生装置(压电陶瓷)；5、精确加热层；6、主动制冷模块第一端压板；7、主动制冷模块液冷管路；8、压电陶瓷第一端压板；9、主动制冷模块第二端压板；10、压电陶瓷第二端压板；11、隔热板；12、小孔压板；13、小孔；14、收口器；15、加压管路；16、隔热滚珠；17、阀体插槽；18、传声滚珠。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]本专利技术实施例提供一种EUV光源液滴锡靶供应装置。当装置工作时，通过声学产生装置产生振动激励，并且通过声学传播装置传播到锡液滴振动腔室内，使得锡喷射流产生瑞利破裂，得到空间稳定性极高，而且高频重复性好的锡液滴靶。而且通过改变声学产生装置的激励波形，可以对产生的锡液滴靶进行频率调制。改变小孔两侧的压差也可以调整锡液滴大小和锡液滴之间的间距。在液滴锡靶供应装置的后期阀体更换以及加热结构的维修时，可以节省时间。此液体锡靶采用标准法兰封装，便于集成到真空腔体中。
[0025]如图1、图2所示，本专利技术公开的一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，包括如图3所示的阀体3和与所述阀体输出端相连的声学产生及传播装置，所述阀体的两端分别设有第一端盖板1和第二端盖板2，所述阀体内部作为靶材腔室，所述第一端盖板上设有与所述靶材腔室相连的小孔，所述声学产生及传播装置的输入端连接靶材腔室，所述阀体的外部可拆卸地套接有温度调节本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，其特征在于，包括阀体和与所述阀体输出端相连的声学产生及传播装置，所述阀体的两端分别设有第一端盖板和第二端盖板，所述阀体内部作为靶材腔室，所述第一端盖板上设有与所述靶材腔室相连的小孔，所述声学产生及传播装置的输入端连接靶材腔室，所述阀体的外部可拆卸地套接有温度调节装置，所述第二端盖板上设有连接阀体内部的加压管路，所述加压管路用于向靶材腔室加压，得到连续的锡喷射流，所述温度调节装置用于为阀体加热温度，所述声学产生及传播装置用于将经过其的连续的锡喷射流变为稳定的锡液滴流，所述声学产生及传播装置配套有用于为其制冷温的主动制冷装置。2.根据权利要求1所述的易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，其特征在于，所述温度调节装置包括精确加热层，所述精确加热层用于提供阀体内部的精确控温，确保锡液体一直处于熔化状态，所述温度调节装置包括夹层壳体、加热装置和温度探头，所述加热装置安装在夹层壳体上，通过读取温度探头处温度，反馈调节加热装置的输出状态。3.根据权利要求2所述的易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，其特征在于，所述阀体的外部设有若干阀体插槽，所述精确加热夹层的夹层壳体的内部设有匹配阀体插槽的凸块。4.根据权利要求2或3所述的易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置，其特征在于，所述阀体和夹层壳体采用不同材质，加热时，精确加热夹层膨胀率大...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦志润，王浩，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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