【技术实现步骤摘要】
一种图形拆分分步电子束光刻工艺
[0001]本专利技术属于半导体加工
,具体涉及一种图形拆分分步电子束光刻工艺。
技术介绍
[0002]电子束光刻作为目前最好的高分辨图形的制作技术之一,具有分辨率高和使用灵活的优点,应用范围广泛,已成为光电芯片领域不可或缺的加工技术。对于电子束光刻工艺,图形的间隔越小越难实现,这是因为临近效应是影响小尺度图形曝光的关键因素,并且图形间隔尺度越小临近效应越严重。
[0003]针对上述问题,使用JEOL JBX
‑
9500FS电子束光刻机,ZEP 520A光刻胶,开发出一种图形拆分分步电子束光刻工艺,与光刻领域的双重曝光工艺不同。
技术实现思路
[0004]本专利技术针对现有技术存在的不足,提出一种图形拆分分步电子束光刻工艺。
[0005]本专利技术的目的是提供一种图形拆分分步电子束光刻工艺,使用JEOL JBX
‑
9500FS电子束光刻机,ZEP 520A光刻胶,完成如下工艺:
[0006]S1、将小间隔尺度的图形拆分成m
×
n个小间隔尺度重复单元图形的矩阵;
[0007]S2、将拆分后的小间隔尺度重复单元图形再次拆分成若干个大间隔尺度的重复单元图形;
[0008]S3、先分步曝光初始矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形,再分步曝光同行相邻矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形,直到逐个逐行分步完成m
×
n个矩阵点的曝光,得到目标图形。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图形拆分分步电子束光刻工艺,其特征在于,使用JEOL JBX
‑
9500FS电子束光刻机,ZEP 520A光刻胶,完成如下工艺:S1、将小间隔尺度的图形拆分成m
×
n个小间隔尺度重复单元图形的矩阵;S2、将拆分后的小间隔尺度重复单元图形再次拆分成若干个大间隔尺度的重复单元图形;S3、先分步曝光初始矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形,再分步曝光同行相邻矩阵点的若干个大间隔尺度的重复单元图形,直到逐个逐行分步完成m
×
n...
【专利技术属性】
技术研发人员:李宗宴,王磊,李文喆,刘新鹏,孙峥,左胜阳,曲迪,宋学颖,于帅,
申请(专利权)人:天津华慧芯科技集团有限公司,
类型:发明
国别省市:
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