功率晶体管的补偿电路和方法技术

公开了一种电路和方法，用于偏置一个功率晶体管，由此来补偿运行特性中的不利变化。该电路包括一个校正晶体管，该校正晶体管具有与功率晶体管大体相同的器件特性。此外，该校正晶体管的至少一维尺寸与功率晶体管的相应尺寸成比例。偏置校正晶体管，使校正晶体管的漏极电流与功率晶体管的漏极电流的比例与尺寸的比例相同。这样，校正晶体管的输出信号是根据功率晶体管的运行特性的不利变化来决定的。校正晶体管的输出信号被放大，并连接到功率晶体管的控制端子上，使得施加到控制端子的变化信号补偿功率晶体管的运行特性中的不利变化。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于功率晶体管的偏置电路，包括：一个校正晶体管，具有一个与功率晶体管基本相同的器件结构；和一个电路，用于偏置校正晶体管的控制端子，以使得校正晶体管的运行特性与功率晶体管的运行特性基本上类似，校正晶体管的一个输出连接到功率晶体管的 栅极端子，以使得功率晶体管栅极端子上的信号补偿功率晶体管的运行特性的变化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C布莱尔，H舒登，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]