多频带功率放大器制造技术

一种放大器，包括： 第１输出晶体管，具有多个第１单位晶体管元件，用以输出第１频带的信号； 第２输出晶体管，具有多个第２单位晶体管元件，用以输出与所述第１频带不同的第２频带的信号； 所述第１输出晶体管的输出结点和所述第２输出晶体管的输出结点之间配置的电感元件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放大器，具体地说，涉及双频带或三频带等多频带功率放大器的结构。更具体地说，本专利技术涉及不使通信品质劣化以及芯片尺寸增大的情况下可以防止多频带功率放大器的晶体管特性劣化的结构。
技术介绍
现在，作为移动装置通信用的功率放大器，广泛应用采用GaAsMESFET(金属-半导体场效应晶体管)、GaAsHEMT(高电子迁移率晶体管)以及GaAsHBT(异质结双极晶体管)的MMIC(单片微波IC)或组件(混合IC或多片组件)。这些晶体管中，由于利用砷化镓(GaAs)或硅化锗(SiGe)的异质结的GaAs-HBT和SiGe-HBT与传统的FET(场效应晶体管)相比具有以下的优点，因而成为现在最受期待的移动装置通信用的功率元件(1)不需要负的栅极偏置电压，可以实现单一电源动作；(2)与Si-MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)同样，即使在漏极(集电极)侧不设置模拟开关，也可以执行输出的开/关动作；以及(3)输出功率密度高，可以用比FET功率放大器小型的功率放大器获得规定的输出。作为移动装置通信的典型的应用有便携电话系统。作为这样的便携电话系统，有现在最广泛采用的900MHz频带便本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：山本和也，铃木敏，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：