功率放大器末端级制造技术

在具有末端级（１０）的推挽功率放大器中，其中两个功率晶体管（ＭＬ，ＭＨ）串联连接，通常使用空载时间来保证所述功率晶体管不同时导电。本发明专利技术提供一种末端级，其中可以省略空载时间。这通过以如下方式使驱动电路（１１，１２）形成所需尺寸来实现：在转换期间所述功率晶体管的控制电压（Ｖｇｈ，Ｖｇｌ）基本上同时跨越其阈值电平（ＶＴ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率放大器末端级。更具体地，本专利技术涉及用于推挽型放大器的末端级电路，所述末端级电路包括串联连接的两个功率晶体管以及耦合到所述晶体管的相应控制端的驱动电路。
技术介绍
在功率放大器中，通常将两个功率晶体管串联连接以形成末端级，每个晶体管的一端耦合到所述放大器的输出端。驱动电路向所述功率晶体管的控制端提供适当的驱动信号。在D类放大器中，其中功率晶体管基本上作为开关工作，通常使用FET(场效应晶体管)型晶体管。由于功率晶体管是串联连接的，所以应当避免它们同时导电，因为这将在末端级中引起过电流，这可能毁坏所述晶体管。因此，设计所述驱动电路，以引入所谓的空载时间，在空载时间期间晶体管均不导电。然而，已经发现此空载时间引起输出信号的失真。在欧洲专利申请EP1003279中公开了在半桥中包含两个MOSFET的D类放大器。图1中所示的所述文献中的放大器还包括积分器、脉宽调制器、栅极驱动器、电平移动器以及低通输出滤波器。未公开电平移动电路和栅极驱动器的细节。所述文献确认对空载时间的需要并建议为这两个功率晶体管提供对称的延迟，以使得由空载时间引起的失真最小化。然而，仍然残余一些由空本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于推挽功率放大器的一种末端级电路，该末端级电路包括：－串联连接的第一和第二功率晶体管；以及－耦合到所述功率晶体管的相应控制端的第一和第二驱动电路，其中所述功率晶体管具有阈值电压，在所述阈值电压之上所述功率晶体管是导 电的，而在所述阈值电压之下所述功率晶体管基本上是不导电的，其中每个驱动电路被安排用于接收输入信号并且用于控制相应的功率晶体管以响应所述输入信号；以及其中所述驱动电路被安排用于在接收到适当的输入信号时使所述功率晶体管在分别相反 的方向上基本上同时跨越其阈值电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M贝克豪特，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]