The invention discloses a bias circuit of HBT power amplifier, including power amplifier, linearization bias circuit and a power control circuit, power control circuit includes a fourth transistor and the fifth transistor T5, T4 current mirror structure for a third transistor T3 current control, and a second resistor R2; the base electrode of the second transistor T2 third the collector of the transistor T3 is connected to the linear bias circuit; the third transistor T3 is connected to the emitter of the fourth transistor T4, fifth base transistor T5 base and collector of the fifth transistor T5; base of the third transistor T3 is connected to the current source Vref through the second resistance R2, and connected to the fourth the collector of the transistor T4; the fourth transistor T4 and fifth crystal The emitter of the tube T5 is grounded respectively. The invention can stably change the magnitude of the bias current with the change of the output power state.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种异质结双极晶体管(HBT)功率放大器偏置电路， 特别涉及一种非常稳定的根据放大器输出功率的大小，自动改变静态 偏置电流以提高HBT功率放大器效率的偏置电路。
技术介绍
在当今的无线通信系统中，功率放大器的效率决定了移动终端电 池使用时间的长短，比如常用的CDMA制式或者GSM制式的手机。 因此，功率放大器需要有较高的效率，以增加电池的使用时间。当功 率放大器的输出功率达到最大时(比如31dBm)，其附加效率也最大； 而当输出功率降低时，其附加效率会相应的降低。最大输出功率是功 率放大器比较关键的指标之一。而一般的终端用功率放大器大部分时 间却工作在较低输出功率的水平，比如-15到15dBm。由于上述的原因， 现在的功率放大器都采取相应的措施来提高低功率输出时的效率。而 最普遍的方法是当输出功率大时，提供较高的静态电流；当输出功率 小时，提供较低的静态电流。图1所示为传统的功率放大器的电路图，该传统的功率放大器包 括功率放大电路部分，以及线性化偏置电路部分。其主体部分包括一 个或者一组信号放大晶体管Tl， 一个线性化偏置电路部分的晶体管 T2，两...
【技术保护点】
一种异质结双极晶体管ＨＢＴ功率放大器偏置电路，包括功率放大电路和线性化偏置电路（１０１），该功率放大电路包括一个或一组信号放大晶体管Ｔ１、用于给晶体管Ｔ１直流馈电的电感Ｌ，以及一个输入电容Ｃｉ和输出电容Ｃｏ；该线性化偏置电路（１０１）包括第二晶体管Ｔ２、两个起温度补偿作用的第一二极管Ｄ１和第二二极管Ｄ２，以及一个第一电阻Ｒ１和第一电容Ｃ１；其特征在于，该电路还包括： 一功率控制电路（１０２），包括构成镜像电流结构的第四晶体管Ｔ４和第五晶体管Ｔ５、用于控制电流的第三晶体管 Ｔ３，以及第二电阻Ｒ２；该第三晶体管Ｔ３的集电极连接于所述线性化偏置电路（１０１）的第二晶体管...
【技术特征摘要】
1、一种异质结双极晶体管HBT功率放大器偏置电路，包括功率放大电路和线性化偏置电路(101)，该功率放大电路包括一个或一组信号放大晶体管T1、用于给晶体管T1直流馈电的电感L，以及一个输入电容Ci和输出电容Co；该线性化偏置电路(101)包括第二晶体管T2、两个起温度补偿作用的第一二极管D1和第二二极管D2，以及一个第一电阻R1和第一电容C1；其特征在于，该电路还包括一功率控制电路(102)，包括构成镜像电流结构的第四晶体管T4和第五晶体管T5、用于控制电流的第三晶体管T3，以及第二电阻R2；该第三晶体管T3的集电极连接于所述线性化偏置电路(101)的第二晶体管T2的基极，使整个功率控制电路(102)对所述线性化偏置电路(101)构成旁路的作用；该第三晶体管T3的发射极连接于第四晶体管T4的基极、第五晶体管T5的基极和第五晶体管T5的集电极；该第三晶体管T3的基极通过第二电阻R2连接于电流源Vref，并同时连接于第四晶体管T4的集电极；该第四晶体管T4和第五晶体管T5的发射极分别接地。2、 根据权利要求1所述的HBT功率放大器偏置电路，其特征在 于，所述功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：毕晓君，张海英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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