透明电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种透明电子装置及其制造方法，透明电子装置包括：有机膜、非晶质透明碳氧化物层以及矩阵层。有机膜包括含有羧基官能基(

【技术实现步骤摘要】
透明电子装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种透明电子装置。

技术介绍

[0002]在显示器的制造过程中，为了使最终的显示器具有所需性质的载板，例如柔性载板，需将制造过程中使用的基板(例如玻璃基板)分离，然后再贴上所需的载板。为了能够轻易地将基板分离，目前的做法是先在基板上形成不透光的离形用金属层、再于离形用金属层上形成像素矩阵，通过基板与离形用金属层之间的弱键结即可轻易地将基板与像素矩阵下的离形用金属层分离。然而，由于离形用金属层不透光，若不将像素矩阵下的离形用金属层移除，则仅能生产单面发光型显示器产品，无法制造出透明的显示器产品。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种透明电子装置，具有高透光度。
[0004]本专利技术提供一种透明电子装置的制造方法，能够在不移除不透光金属层之下形成具有高透光度的透明电子装置。
[0005]本专利技术的一个实施例提出一种透明电子装置，包括：有机膜，其中有机膜包括含有羧基官能基(
‑
COOH)的聚合物；非晶质透明碳氧化物层，设置于有机膜上，其中，非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成，金属元素是选自钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)及其组合，且其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者；以及矩阵层，位于非晶质透明碳氧化物层上。
[0006]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递减，且非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递增。
[0007]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中金属元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中金属元素的平均原子数目百分比大于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
[0008]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中氧元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中氧元素的平均原子数目百分比小于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
[0009]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的矩阵层包括多个开关元件，且矩阵层与非晶质透明碳氧化物层之间夹设有缓冲层。
[0010]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的透明电子装置还包括透明辅助膜，设置于有机膜上相对于非晶质透明碳氧化物层的表面上。
[0011]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的矩阵层为像素层，且透明电子装置为透明显示装置。
[0012]在本专利技术的透明电子装置的一实施例中，上述的含有羧基官能基的聚合物是选自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯及其组合，且其它元素包含钙、镁、铝、硅、钡中的至少一者。
[0013]本专利技术的一个实施例提出一种透明电子装置的制造方法，包括：形成矩阵层于不透光金属层的第一表面上；形成有机膜于不透光金属层的第二表面上，以形成堆叠层，其中有机膜包括含有羧基官能基的聚合物；以及将堆叠层置于处理环境中，以将不透光金属层转化为非晶质透明碳氧化物层，其中，非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成，金属元素是选自钼、铟、锡、锌、镉及其组合，且其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者。
[0014]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的处理环境的温度介于室温至有机膜的熔点之间，处理环境的相对湿度介于70％至100％之间，且堆叠层于处理环境中的处理时间介于1小时至100小时之间。
[0015]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的制造方法还包括在形成矩阵层之前形成缓冲层于不透光金属层的第一表面上。
[0016]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的制造方法还包括形成透明辅助膜于有机膜上相对于非晶质透明碳氧化物层的表面上。
[0017]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递减，且非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从有机膜往矩阵层的方向递增。
[0018]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中金属元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中金属元素的平均原子数目百分比大于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
[0019]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的非晶质透明碳氧化物层接近矩阵层的第一侧中氧元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，非晶质透明碳氧化物层接近有机膜的第二侧中氧元素的平均原子数目百分比小于或等于碳元素的平均原子数目百分比。
[0020]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的矩阵层包括多个开关元件。
[0021]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的矩阵层为像素层，且透明电子装置为透明显示装置。
[0022]在本专利技术的透明电子装置的制造方法的一实施例中，上述的含有羧基官能基的聚合物是选自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯及其组合，且其它元素包含钙、镁、铝、硅、钡中的至少一者。
[0023]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
[0024]图1A至图1D为依照本专利技术一实施例的透明电子装置10的制造方法的步骤流程的剖面示意图。
[0025]图2为依照本专利技术一实施例的透明电子装置10的矩阵层AM的局部俯视图。
[0026]图3为依照本专利技术一实施例的实验组及对照组的堆叠层SK的透光度曲线图。
[0027]图4为依照本专利技术一实施例的非晶质透明碳氧化物层TL的二次离子质谱(SIMS)分析图。
[0028]附图标记说明：
[0029]10：透明电子装置
[0030]AM：矩阵层
[0031]BF：缓冲层
[0032]DL：信号线
[0033]E11、E12、E13、E21、E31、LE：显示元件
[0034]M1、M2：表面
[0035]ME：不透光金属层
[0036]O1、O2：表面
[0037]OF：有机膜
[0038]RF：透明辅助膜
[0039]SB：基板
[0040]SK：堆叠层
[0041]SL：信号线
[0042]SP：子像素
[0043]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明电子装置，包括：有机膜，其中所述有机膜包括含有羧基官能基的聚合物；非晶质透明碳氧化物层，设置于所述有机膜上，其中，所述非晶质透明碳氧化物层由金属元素、碳元素、氧元素及其它元素所组成，所述金属元素是选自钼、铟、锡、锌、镉及其组合，且所述其它元素的原子数目百分比等于或大于零、且少于所述金属元素的原子数目百分比、氧元素的原子数目百分比以及碳元素的原子数目百分比中的最少者；以及矩阵层，位于所述非晶质透明碳氧化物层上。2.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层中碳元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递减，且所述非晶质透明碳氧化物层中氧元素的原子数目百分比从所述有机膜往所述矩阵层的方向递增。3.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述矩阵层的第一侧中所述金属元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述有机膜的第二侧中所述金属元素的平均原子数目百分比大于或等于碳元素的平均原子数目百分比。4.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述矩阵层的第一侧中氧元素的平均原子数目百分比大于碳元素的平均原子数目百分比，所述非晶质透明碳氧化物层接近所述有机膜的第二侧中氧元素的平均原子数目百分比小于或等于碳元素的平均原子数目百分比。5.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述矩阵层包括多个开关元件，且所述矩阵层与所述非晶质透明碳氧化物层之间夹设有缓冲层。6.如权利要求1所述的透明电子装置，还包括透明辅助膜，设置于所述有机膜上相对于所述非晶质透明碳氧化物层的表面上。7.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述矩阵层为像素层，且所述透明电子装置为透明显示装置。8.如权利要求1所述的透明电子装置，其中，所述含有羧基官能基的聚合物是选自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯及其组合，且所述其它元素包含钙、镁、铝、硅、钡中的至少一者。9.一种透明电子装置的制造方法，包括：形成矩阵层于不透光金属层的第一表面上；形成有机膜于所述不透光金属层的第二表面上，以形成堆叠层，其中所述有机膜包括含有羧基官能基的聚合物；以及将所述堆叠层置于处理环境中，以将所述不透光金属层转化为非晶质透...

【专利技术属性】
技术研发人员：林瑜玲，柯聪盈，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：