阵列基板和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，氧化物半导体层的材料包括第一金属元素的氧化物；本发明专利技术通过设置栅极绝缘层至少与氧化物半导体层相接触的部分的材料也为第一金属元素的氧化物，使得栅极绝缘层和氧化物半导体层之间的过渡界面处具有较低的缺陷态密度，从而避免了现有技术中的栅极绝缘层和氧化物半导体层因具有不同材料成分，导致两者直接接触在过渡界面处产生较多缺陷态的情况，有利于提升薄膜晶体管的迁移率和稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板向着大尺寸/高分辨率/高频率及自发光显示模式等方向发展，对于控制开关和驱动显示的薄膜晶体管的迁移率和稳定性提出了越来越高的要求，金属氧化物薄膜晶体管的迁移率高达非晶硅薄膜晶体管的迁移率的10～100倍，但与低温多晶硅薄膜晶体管相比，金属氧化物薄膜晶体管的迁移率仍偏低、稳定性较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种阵列基板和显示面板，以解决现有的金属氧化物薄膜晶体管的迁移率仍偏低、稳定性较差的技术问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]本专利技术提供一种阵列基板，包括基板和设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导体层之间；
[0006]其中，所述氧化物半导体层的材料包括第一金属元素的氧化物，所述栅极绝缘层至少与所述氧化物半导体层相接触的部分的材料为所述第一金属元素的氧化物。
[0007]根据本专利技术提供的阵列基板，整个所述栅极绝缘层的材料为所述第一金属元素的氧化物。
[0008]根据本专利技术提供的阵列基板，所述栅极绝缘层包括相接的第一子层和第二子层，所述第一子层设置于所述栅极靠近所述氧化物半导体层的一侧，所述第二子层设置在所述氧化物半导体层和所述第一子层之间，所述第二子层在所述基板上的正投影覆盖所述氧化物半导体层在所述基板上的正投影；
[0009]其中，所述第一子层和所述第二子层的材料不同，且所述第二子层的材料为所述第一金属元素的氧化物。
[0010]根据本专利技术提供的阵列基板，所述第一子层包括设置于所述第一子层远离所述基板一侧的沟槽，至少部分所述沟槽与所述氧化物半导体层对应设置，所述第二子层填充于所述沟槽内。
[0011]根据本专利技术提供的阵列基板，所述氧化物半导体层设置于至少部分所述第一子层远离所述基板的一侧。
[0012]根据本专利技术提供的阵列基板，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0013]根据本专利技术提供的阵列基板，所述第二子层的厚度范围为5纳米～1微米。
[0014]根据本专利技术提供的阵列基板，所述第一金属元素包括铝、铪、钛、锆、镨和镧中的其中一种。
[0015]根据本专利技术提供的阵列基板，所述氧化物半导体层还包括第二金属元素的氧化物和第三金属元素的氧化物，所述第一金属元素、所述第二金属元素和所述第三金属元素为不同金属元素；
[0016]其中，所述第二金属元素为铟、镓、锌和锡中的其中一种，所述第三金属元素为铟、镓、锌和锡中的其中一种。
[0017]根据本专利技术提供的阵列基板，所述第一金属元素为铝Al，所述第二金属元素为镓Ga，所述第三金属元素为锌Zn；其中，所述铝Al、所述镓Ga和所述锌Zn的摩尔含量满足以下关系：
[0018]0.1≤Al/(Al+Ga+Zn)≤0.5；
[0019]0.2≤Ga/(Al+Ga+Zn)≤0.4；
[0020]0.3≤Zn/(Al+Ga+Zn)≤0.5。
[0021]根据本专利技术提供的阵列基板，所述栅极、所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源漏极金属层沿远离所述基板方向依次层叠设置；或者，所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅极和所述源漏极金属层沿远离所述基板方向依次层叠设置。
[0022]根据本专利技术提供的阵列基板，所述阵列基板还包括：
[0023]钝化层，覆于所述源漏极金属层远离所述基板的一侧；以及
[0024]像素电极，设置于所述钝化层远离所述基板的一侧，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述源漏极金属层电连接。
[0025]本专利技术提供一种显示面板，包括对置基板和上述阵列基板，所述对置基板与所述阵列基板相对间隔设置。
[0026]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的阵列基板和显示面板，通过设置氧化物半导体层的材料包括第一金属元素的氧化物，栅极绝缘层至少与所述氧化物半导体层相接触的部分的材料为第一金属元素的氧化物，由于栅极绝缘层和氧化物半导体层在两者间的过渡界面处具有相同的成分，从而使得过渡界面处具有较低的缺陷态密度，避免了现有技术中的栅极绝缘层和氧化物半导体层因具有不同材料成本，导致两者直接接触在过渡界面处产生较多缺陷态的情况，有利于提升薄膜晶体管的迁移率和稳定性。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是现有技术中的阵列基板的截面结构示意图；
[0029]图2是本专利技术实施例提供的第一种阵列基板的截面结构示意图；
[0030]图3是本专利技术实施例提供的第二种阵列基板的截面结构示意图；
[0031]图4是本专利技术实施例提供的第三种阵列基板的截面结构示意图；
[0032]图5是本专利技术实施例提供的第四种阵列基板的截面结构示意图；
[0033]图6是本专利技术实施例提供的第五种阵列基板的截面结构示意图；
[0034]图7是本专利技术实施例提供的第六种阵列基板的截面结构示意图。
[0035]附图标记说明：
[0036]100、阵列基板；10、基板；20、栅极；30、栅极绝缘层；301、第一子层；301a、沟槽；302、第二子层；40、氧化物半导体层；50、源漏极金属层；51、源极；52、漏极；60、源漏极绝缘层；200、钝化层；200a、过孔；300、像素电极。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0038]请参阅图1，图1是现有技术中的阵列基板的截面结构示意图。现有技术中的阵列基板100包括基板10、栅极20、栅极绝缘层30、氧化物半导体层40和源漏极金属层50，所述栅极绝缘层30位于所述栅极20和所述氧化物半导体层40之间，所述源漏极金属层50包括源极51和漏极52。由于所述栅极绝缘层30的材料一般为氮化硅或氧化硅等无机绝缘材料，所述氧化物半导体层40的材料一般为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板和设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导体层之间；其中，所述氧化物半导体层的材料包括第一金属元素的氧化物，所述栅极绝缘层至少与所述氧化物半导体层相接触的部分的材料为所述第一金属元素的氧化物。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，整个所述栅极绝缘层的材料为所述第一金属元素的氧化物。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括相接的第一子层和第二子层，所述第一子层设置于所述栅极靠近所述氧化物半导体层的一侧，所述第二子层设置在所述氧化物半导体层和所述第一子层之间，所述第二子层在所述基板上的正投影覆盖所述氧化物半导体层在所述基板上的正投影；其中，所述第一子层和所述第二子层的材料不同，且所述第二子层的材料为所述第一金属元素的氧化物。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子层包括设置于所述第一子层远离所述基板一侧的沟槽，至少部分所述沟槽与所述氧化物半导体层对应设置，所述第二子层填充于所述沟槽内。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层设置于至少部分所述第一子层远离所述基板的一侧。6.根据权利要求3～5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子层的厚度范围为5纳米～1微米。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵军，赵斌，肖军城，李珊，吴伟，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：