阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括光感电路，光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的栅极可通过同一光罩制备，第一晶体管和第二晶体管的源漏极可通过同一光罩制备，第一晶体管和第二晶体管的有源图案可分别采用一道光罩制备，利用两道光罩实现所述第一晶体管和所述第二晶体管的电性连接。通过六道光罩即可实现光感电路的制备，有利于降低制造成本。有利于降低制造成本。有利于降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]现有的显示面板中，在制备光传感电路时由于涉及的光罩数目较多，导致显示面板的制备成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以减少制备传感电路时所涉及的光罩数目，降低制造成本。
[0004]本专利技术的实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括光感电路，所述光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极、第一有源图案、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二有源图案、第二源极和第二漏极。所述阵列基板包括：第一金属层、第一有源层、第二有源层、第二金属层和电极层。
[0005]所述第一金属层包括间隔设置的所述第一栅极和所述第二栅极；所述第一有源层位于所述第一金属层上，所述第一有源层包括所述第一有源图案。所述第二有源层位于所述第一金属层上，所述第二有源层包括与所述第一有源图案间隔设置的所述第二有源图案。所述第二金属层包括位于所述第一有源图案上且间隔设置的所述第一源极和所述第一漏极，以及位于所述第二有源图案上且间隔设置的所述第二源极和所述第二漏极。所述电极层位于所述第二金属层上，所述电极层包括电性连接所述第二栅极和所述第一源极的第一连接部。其中，所述第一有源层和所述第二有源层的材料不同，所述第一有源层的吸光度大于所述第二有源层的吸光度。
[0006]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一有源层的材料包括非晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。
[0007]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括第二绝缘层。所述第二绝缘层位于所述第一金属层与所述第二有源层之间。其中，所述第二绝缘层的靠近所述第一有源层的边缘与所述第二有源图案的边缘平齐；所述第二源极和所述第二漏极与所述第一金属层的距离，大于所述第一源极和所述第一漏极与所述第一金属层的距离。
[0008]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：第一绝缘层和第三绝缘层。
[0009]所述第一绝缘层位于所述第一金属层上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层和所述第二有源层之间。所述第三绝缘层覆盖所述第一有源层、所述第二有源层和所述第二金属层。
[0010]其中，所述第二栅极包括相接的第一部和第二部，所述第一部位于所述第二部靠近所述第一栅极的一侧，所述第二有源图案在所述第一金属层上的正投影与所述第一部相接，且与所述第二部至少部分重合；所述第三绝缘层设有暴露出所述第一源极的第一过孔，
所述第一绝缘层和所述第三绝缘层设有暴露出所述第一部的第二过孔。所述第一连接部通过所述第一过孔与所述第一源极电性连接，所述第一连接部通过所述第二过孔与所述第二栅极的所述第一部电性连接。
[0011]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一有源图案在远离所述第一金属层的一侧设有凹槽，所述第一源极与所述第一漏极位于所述凹槽的相对两侧。
[0012]本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括光感电路，所述光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极、第一有源图案、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二有源图案、第二源极和第二漏极。所述制备方法包括如下步骤：
[0013]步骤S10：提供一衬底，利用第一掩膜版于所述衬底表面制备图案化的第一金属层；其中，图案化的所述第一金属层包括间隔设置的所述第一栅极和所述第二栅极，所述第二栅极包括相接的第一部和第二部，所述第一部位于所述第二部靠近所述第一栅极的一侧。
[0014]步骤S20：在所述衬底及所述第一金属层上制备第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上利用第二掩膜版制备第一有源层；其中，所述第一有源层包括所述第一有源图案。
[0015]步骤S30：利用第三掩膜版在所述第一绝缘层上制备图案化的第二绝缘层和第二有源层；其中，所述第二有源层包括所述第二有源图案，所述第二有源图案和位于所述第二有源图案下的所述第二绝缘层在所述第一金属层上的正投影与所述第一部相接，且与所述第二部至少部分重合。
[0016]步骤S40：利用第四掩膜版在所述第一有源层、所述第一绝缘层及所述第二有源层上制备图案化的第二金属层；其中，图案化的所述第二金属层包括位于所述第一有源图案上且间隔设置的所述第一源极和所述第一漏极，以及位于所述第二有源图案上且间隔设置的所述第二源极和所述第二漏极。
[0017]步骤S50：在所述第二金属层、所述第一有源层、所述第二有源层及所述第二绝缘层上制备第三绝缘层，并利用第五掩膜版对所述第三绝缘层及所述第一绝缘层进行曝光处理，并经过显影和刻蚀工艺后，得到暴露出所述第一源极的第一过孔，以及暴露出所述第一部的第二过孔。
[0018]步骤S60：利用第六掩膜版制备图案化的电极层，所述电极层包括第一连接部；其中，所述第一连接部通过所述第一过孔与所述第一源极电性连接，所述第一连接部通过所述第二过孔与所述第一部电性连接。
[0019]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一有源层的制备材料包括非晶硅，所述第二有源层的制备材料包括氧化铟镓锌。
[0020]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第四掩膜版为半色调掩膜版。
[0021]可选地，在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤S40中包括：
[0022]步骤S401：在所述第一有源层、所述第一绝缘层及所述第二有源层上制备整面的所述第二金属层以及覆盖所述第二金属层的光阻层。
[0023]步骤S402：提供所述第四掩膜版，利用所述第四掩膜版对所述光阻层进行曝光处理后，经过显影工艺，去除对应所述第一有源图案沟道区、所述第一部的全部光阻，去除对应所述第二有源图案沟道区的部分光阻以获得第一剩余光阻。
[0024]步骤S403：蚀刻所述第二金属层中对应所述第一有源图案沟道区、所述第一部的部分后，对所述第一有源图案进行干刻形成凹槽，获得位于所述凹槽的相对两侧的所述第一源极和所述第一漏极。
[0025]步骤S404：对剩余的光阻进行灰化处理后，对所述第二金属层进行湿刻，之后进行脱模去胶处理，获得所述第二源极、所述第二漏极。
[0026]本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括任一上述的阵列基板或由任一所述的制备方法制得的阵列基板。
[0027]本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括光感电路，光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管具有第一栅极、第一有源图案、第一源极和第一漏极，第二晶体管包括第二栅极、第二有源图案、第二源极和第二漏极。阵列基板包括：第一金属层、第一有源层、第二有源层、第二金属层和电极层。第一金属层包括间隔设置的所述第一栅极和所述第二栅极；所述第一有源层位于所述第一金属层上，所述第一有源层包括所述第一有源图案。所述第二有源层位于所述第一金属层上，所述第二有源层包括与所述第一有源图案间隔设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括光感电路，所述光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极、第一有源图案、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二有源图案、第二源极和第二漏极；所述阵列基板包括：第一金属层，包括间隔设置的所述第一栅极和所述第二栅极；第一有源层，位于所述第一金属层上，所述第一有源层包括所述第一有源图案；第二有源层，位于所述第一金属层上，所述第二有源层包括与所述第一有源图案间隔设置的所述第二有源图案；第二金属层，包括位于所述第一有源图案上且间隔设置的所述第一源极和所述第一漏极，以及位于所述第二有源图案上且间隔设置的所述第二源极和所述第二漏极；电极层，位于所述第二金属层上，所述电极层包括电性连接所述第二栅极和所述第一源极的第一连接部；其中，所述第一有源层和所述第二有源层的材料不同，所述第一有源层的吸光度大于所述第二有源层的吸光度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材料包括非晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第二绝缘层，位于所述第一金属层与所述第二有源层之间；其中，所述第二绝缘层的靠近所述第一有源层的边缘与所述第二有源图案的边缘平齐；所述第二源极和所述第二漏极与所述第一金属层的距离，大于所述第一源极和所述第一漏极与所述第一金属层的距离。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一绝缘层，位于所述第一金属层上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层和所述第二有源层之间；以及第三绝缘层，覆盖所述第一有源层、所述第二有源层和所述第二金属层；其中，所述第二栅极包括相接的第一部和第二部，所述第一部位于所述第二部靠近所述第一栅极的一侧，所述第二有源图案在所述第一金属层上的正投影与所述第一部相接，且与所述第二部至少部分重合；所述第三绝缘层设有暴露出所述第一源极的第一过孔，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层设有暴露出所述第一部的第二过孔；所述第一连接部通过所述第一过孔与所述第一源极电性连接，所述第一连接部通过所述第二过孔与所述第二栅极的所述第一部电性连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源图案在远离所述第一金属层的一侧设有凹槽，所述第一源极与所述第一漏极位于所述凹槽的相对两侧。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括光感电路，所述光感电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极、第一有源图案、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二有源图案、第二源极和第二漏极；所述制备方法包括如下步骤：步骤S10：提供一衬底，利用第一掩膜版于所述衬底表面制备图案化的第一金属层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙艳红，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：