【技术实现步骤摘要】
包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置
[0001]优先权申请
[0002]本申请要求2020年12月31日提交的美国临时申请第63/132,728号的优先权权益，所述临时申请以全文引用的方式并入本文中。
[0003]本文中所描述的实施例涉及包含与存储器装置的存储器块相关联的驱动器电路的存储器装置。
技术介绍
[0004]存储器装置广泛地用于计算机和许多其它电子项目中。存储器装置通常具有用于存储信息(例如，数据)的众多存储器单元。许多常规技术试图通过针对存储器装置的给定面积竖直地堆叠存储器单元的叠组来增加存储器装置的存储器单元密度。然而，制造过程中的约束可限制存储器装置的竖直尺寸。
技术实现思路
[0005]在一个方面中，本申请提供一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；以及电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第三扩散区，其邻近所述第一扩散区；第四扩散区，其邻近所述第二扩散区；第一栅极，其位于所述第一扩散区与所述第三扩散区之间的第一位置之上且通过第一电介质材料与所述第一扩散区以及所述第三扩散区分离；以及第二栅极，其位于所述第二扩散区与所述第四扩散区之间的第二位置之上且通过第二电介质材料与所述第二扩散区以及所述第四扩散区分离。3.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括：第一导电线，其去往所述第三扩散区的相应扩散区以及所述第四扩散区的相应扩散区。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一扩散区以及所述第二扩散区具有相同材料。5.一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一晶体管，其共享第一栅极，所述第一晶体管包含分别耦合到所述第一控制栅极的第一扩散区；第二晶体管，其共享第二栅极，所述第二晶体管包含分别耦合到所述第二控制栅极的第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区；电路，其用以在将信息存储于所述第一存储器单元中的写入操作中的时间间隔内将所述第二栅极耦合到第一电压，且在所述时间间隔之后将所述第二栅极从所述第一电压解耦；以及额外电路，其用以在所述写入操作中将所述第一栅极耦合到第二电压。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一存储器块邻近所述第二存储器块。7.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：第三存储器块，其包含用于相应第三存储器单元的第三控制栅极；第三晶体管，其共享第三栅极，所述第三晶体管包含分别耦合到所述第三控制栅极的第三扩散区；且所述第三晶体管与所述第一晶体管共享相应扩散区。8.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：
第四存储器块，其包含用于相应第四存储器单元的第四控制栅极；第四晶体管，其共享第四栅极，所述第四晶体管包含分别耦合到所述第四控制栅极的第四扩散区；且所述第四晶体管与所述第二晶体管共享第四扩散区。9.根据权利要求5所述的设备，其中所述电路配置成在所述第一栅极耦合到所述第一电压之前将所述第二栅极耦合到所述第二电压。10.一种方法，其包括：对存储器阵列进行写入操作，所述存储器阵列包含第一存储器块以及第二存储器块，且进行所述写入操作包含：选择所述第一存储器块以存储信息，所述第一存储器块耦合到第一扩散区；以及将电压施加到第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区且耦合到所述第二存储器块。11.根据权利要求10所述的方法，其中进行所述写入操作包含：在所述写入操作的写入阶段期间，将额外电压施加到所述第一扩散区；停止所述将所述电压施加到所述第二扩散区；验证所述第一存储器块中的所选择存储器单元是否到达相应目标状态；以及在验证所述第一存储器块中的所述所选择存储器单元是否到达所述相应目标状态之后，重复所述将所述电压施加到所述第二扩散区。12.根据权利要求10所述的方法，其中进行所述写入操作包含：将第一额外电压施加到邻近所述第二扩散区的第三扩散区；在将所述电压施...
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