包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置制造方法及图纸

本申请涉及包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；和电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。二扩散区。二扩散区。

【技术实现步骤摘要】
包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置
[0001]优先权申请
[0002]本申请要求2020年12月31日提交的美国临时申请第63/132,728号的优先权权益，所述临时申请以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本文中所描述的实施例涉及包含与存储器装置的存储器块相关联的驱动器电路的存储器装置。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用于计算机和许多其它电子项目中。存储器装置通常具有用于存储信息(例如，数据)的众多存储器单元。许多常规技术试图通过针对存储器装置的给定面积竖直地堆叠存储器单元的叠组来增加存储器装置的存储器单元密度。然而，制造过程中的约束可限制存储器装置的竖直尺寸。

技术实现思路

[0005]在一个方面中，本申请提供一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；和电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。
[0006]在另一方面中，本申请提供一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一晶体管，其共享第一栅极，所述第一晶体管包含分别耦合到所述第一控制栅极的第一扩散区；第二晶体管，其共享第二栅极，所述第二晶体管包含分别耦合到所述第二控制栅极的第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区；电路，其用以在将信息存储于所述第一存储器单元中的写入操作中的时间间隔内将所述第二栅极耦合到第一电压，且在所述时间间隔之后将所述第二栅极从所述第一电压解耦；和额外电路，其用以在所述写入操作中将所述第一栅极耦合到第二电压。
[0007]在另一方面中，本申请提供一种方法，其包括：对存储器阵列进行写入操作，所述存储器阵列包含第一存储器块和第二存储器块，且进行所述写入操作包含：选择所述第一存储器块以存储信息，所述第一存储器块耦合到第一扩散区；和将电压施加到第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区且耦合到所述第二存储器块。
[0008]在另一方面中，本申请提供一种方法，其包括：对存储器阵列进行写入操作，所述存储器阵列包含第一存储器块和邻近所述第一存储器块的第二存储器块，且写入操作包含：选择所述第一存储器块以存储信息，所述第一存储器块与耦合到用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的相应第一控制栅极的第一扩散区相关联；和将电压施加到第二
扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的相应第二控制栅极。
[0009]在另一方面中，本申请提供一种方法，其包括：对存储器阵列进行写入操作，所述存储器阵列包含第一存储器块和第二存储器块，且进行所述写入操作包含：将第一栅极耦合到不大于零的第一电压，所述第一栅极由第一晶体管共享，所述第一晶体管耦合到用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的相应第一控制栅极，所述第一晶体管包含相应第一扩散区；和将第二栅极耦合到大于零的第二电压，所述第二栅极由第二晶体管共享，所述第二晶体管耦合到用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的相应第二控制栅极，所述第二晶体管包含邻近所述第一扩散区的相应第二扩散区；将所述第二栅极从所述第二电压解耦；和将所述第一栅极耦合到大于零的第一额外电压。
附图说明
[0010]图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含存储器阵列、存储器块和串驱动器的存储器装置形式的设备的框图。
[0011]图2展示根据本文中所描述的一些实施例的包含具有存储器块的存储器阵列的存储器装置的一部分的示意图。
[0012]图3展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器阵列、存储器块、块解码器、全局驱动器和串驱动器的图2的存储器装置的示意图。
[0013]图4展示根据本文中所描述的一些实施例的包含图3的串驱动器、存储器块中的一个的子块和全局驱动器之间的连接的图3的存储器装置的示意图。
[0014]图5展示根据本文中所描述的一些实施例的包含与串驱动器相关联的存储器块的图3的存储器装置的一部分的结构的侧视图(例如，横截面)。
[0015]图6展示根据本文中所描述的一些实施例的包含串驱动器的扩散区的图5的串驱动器的一部分的结构。
[0016]图7展示根据本文中所描述的一些实施例的在存储器装置的写入操作的部分中选择性地施加到图6的串驱动器的扩散区中的一些的实例电压。
[0017]图8展示根据本文中所描述的一些实施例的包含与所选择存储器块和未选择的存储器块相关联的信号的波形的图5和图6的存储器装置的实例写入操作。
[0018]图9展示根据本文中所描述的一些实施例的图5和图6的存储器装置的另一实例写入操作。
[0019]图10展示根据本文中所描述的一些实施例的图5和图6的存储器装置的另一实例写入操作。
[0020]图11为展示根据本文中所描述的一些实施例的用于在存储器装置中进行写入操作的方法的流程图。
[0021]图12为展示根据本文中所描述的一些实施例的用于在存储器装置中进行写入操作的另一方法的流程图。
[0022]图13为展示根据本文中所描述的一些实施例的用于在存储器装置中进行写入操作的另一方法的流程图。
[0023]图14展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含存储器装置的系统形式的设
备。
具体实施方式
[0024]由于用于形成存储器单元的竖直尺寸可受制造过程约束，所以可难以将存储器单元密度一直增加到某一竖直尺寸。本文中所描述的技术涉及具有电路系统的存储器装置和允许减小存储器装置的一些电路系统的面积的存储器操作。这种电路系统的面积减小可产生用于形成更多存储器单元的更多空间，进而与一些常规存储器装置相比增加存储器装置的存储器单元密度。所描述技术中的电路系统包含与存储器装置的存储器块相关联的串驱动器。在对存储器块进行的存储器操作期间，可将不同电压施加到串驱动器的特定扩散区以抵消邻近元件在减小的面积处的潜在电影响。下文参考图1至图14进一步论述本文中所描述的技术的详细电路系统和存储器操作和其它改进和益处。
[0025]图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含存储器阵列(或多个存储器阵列)101、存储器块BL0到BLi和存储器装置100的其它组件的存储器装置100形式的设备的框图。存储器块BLK0到BLKi中的每一个可包含存储器单元102，所述存储器单元102可包含于相应存储器块的子块SB0到SBj中。子块为存储器块的一部分。在存储器装置100的物理结构中，存储器单元102可竖直地布置(例如，堆叠在彼此之上)在存储器装置100的衬底(例如，半导体衬底)之上。
[0026]如图1中所示，存储器装置1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；以及电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第三扩散区，其邻近所述第一扩散区；第四扩散区，其邻近所述第二扩散区；第一栅极，其位于所述第一扩散区与所述第三扩散区之间的第一位置之上且通过第一电介质材料与所述第一扩散区以及所述第三扩散区分离；以及第二栅极，其位于所述第二扩散区与所述第四扩散区之间的第二位置之上且通过第二电介质材料与所述第二扩散区以及所述第四扩散区分离。3.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括：第一导电线，其去往所述第三扩散区的相应扩散区以及所述第四扩散区的相应扩散区。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一扩散区以及所述第二扩散区具有相同材料。5.一种设备，其包括：第一存储器块，其包含用于相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一晶体管，其共享第一栅极，所述第一晶体管包含分别耦合到所述第一控制栅极的第一扩散区；第二晶体管，其共享第二栅极，所述第二晶体管包含分别耦合到所述第二控制栅极的第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区；电路，其用以在将信息存储于所述第一存储器单元中的写入操作中的时间间隔内将所述第二栅极耦合到第一电压，且在所述时间间隔之后将所述第二栅极从所述第一电压解耦；以及额外电路，其用以在所述写入操作中将所述第一栅极耦合到第二电压。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一存储器块邻近所述第二存储器块。7.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：第三存储器块，其包含用于相应第三存储器单元的第三控制栅极；第三晶体管，其共享第三栅极，所述第三晶体管包含分别耦合到所述第三控制栅极的第三扩散区；且所述第三晶体管与所述第一晶体管共享相应扩散区。8.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：
第四存储器块，其包含用于相应第四存储器单元的第四控制栅极；第四晶体管，其共享第四栅极，所述第四晶体管包含分别耦合到所述第四控制栅极的第四扩散区；且所述第四晶体管与所述第二晶体管共享第四扩散区。9.根据权利要求5所述的设备，其中所述电路配置成在所述第一栅极耦合到所述第一电压之前将所述第二栅极耦合到所述第二电压。10.一种方法，其包括：对存储器阵列进行写入操作，所述存储器阵列包含第一存储器块以及第二存储器块，且进行所述写入操作包含：选择所述第一存储器块以存储信息，所述第一存储器块耦合到第一扩散区；以及将电压施加到第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区且耦合到所述第二存储器块。11.根据权利要求10所述的方法，其中进行所述写入操作包含：在所述写入操作的写入阶段期间，将额外电压施加到所述第一扩散区；停止所述将所述电压施加到所述第二扩散区；验证所述第一存储器块中的所选择存储器单元是否到达相应目标状态；以及在验证所述第一存储器块中的所述所选择存储器单元是否到达所述相应目标状态之后，重复所述将所述电压施加到所述第二扩散区。12.根据权利要求10所述的方法，其中进行所述写入操作包含：将第一额外电压施加到邻近所述第二扩散区的第三扩散区；在将所述电压施...

【专利技术属性】
技术研发人员：四方刚，山田重和，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：