高电压开关电路和具有高电压开关电路的半导体存储器设备制造技术

提供了高电压开关电路和具有高电压开关电路的半导体存储器设备。高电压开关电路包括：切换电路，该切换电路用于通过将多个泵浦电压中的一个泵浦电压传输到输出节点来输出高电压；以及放电电路，该放电电路被连接在输出节点与内部电源电压的端子之间，放电电路将高电压放电至内部电源电压的电平。放电电路包括三阱晶体管。括三阱晶体管。括三阱晶体管。

【技术实现步骤摘要】
高电压开关电路和具有高电压开关电路的半导体存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月30日提交的韩国专利申请号10
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2020
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0164541的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及高电压开关电路以及具有高电压开关电路的半导体存储器设备。

技术介绍

[0004]半导体设备(特别是半导体存储器设备)通常被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。
[0005]非易失性存储器设备具有相对较慢的写入和读取速度，但是即使在电源中断的情况下也保留所存储的数据。因此，无论是否供电，非易失性存储器设备都被用于存储要保留的数据。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩模式ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变式RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电压开关电路，包括：切换电路，被配置为通过将多个泵浦电压中的一个泵浦电压传输到输出节点来输出高电压；以及放电电路，被连接在所述输出节点和内部电源电压的端子之间，并且被配置为将所述高电压放电至所述内部电源电压的电平；其中所述放电电路包括三阱晶体管。2.根据权利要求1所述的高电压开关电路，其中所述输出节点被连接到所述三阱晶体管的漏极，并且所述内部电源电压被施加到所述三阱晶体管的源极和p阱。3.根据权利要求2所述的高电压开关电路，其中所述内部电源电压被施加到围绕所述p阱的n阱。4.一种半导体存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；通过电路部件，与所述多个存储器块中的每个存储器块相对应，所述通过电路部件包括多个通过电路，每个通过电路响应于多个块选择信号中的每个块选择信号而将全局字线连接到所述多个存储器块中的每个存储器块的本地字线；多个块解码器，与所述多个存储器块相对应，所述多个存储器块中的每个存储器块被配置为通过使用高电压来生成所述多个块选择信号中的一个块选择信号；以及高电压开关电路，被配置为通过切换多个泵浦电压中的一个泵浦电压来输出高电压，其中所述高电压开关电路包括三阱晶体管。5.根据权利要求4所述的半导体存储器设备，其中所述高电压开关电路包括：切换电路，被配置为通过将所述多个泵浦电压中的一个泵浦电压传输到输出节点来输出所述高电压；以及放电电路，被连接在所述输出节点和内部电源电压的端子之间，并且被配置为将所述高电压放电到所述内部电源电压的电平。6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述放电电路包括所述三阱晶体管。7.根据权利要求6所述的半导体存储器设备，其中所述输出节点被连接到所述三阱晶体管的漏极，并且所述内部电源电压被施加到所述三阱晶体管的源极和p阱。8.根据权利要求7所述的半导体存储器设备，其中所述内部电源电压被施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤洙，丁善英，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：