存储器装置的降压操作制造方法及图纸

本申请案是针对存储器装置的降压操作。存储器装置可基于所述存储器装置的电源电压的值以不同的操作模式操作。例如，当所述电源电压的所述值超过第一阈值电压及第二阈值电压时，所述存储器装置可以正常操作模式操作。当所述电源电压的所述值在所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间时，所述存储器装置可以低电压操作模式操作，所述低电压操作模式可为相对于所述正常操作模式的缩减性能模式。当所述电源电压的所述值低于所述第二阈值电压时，可去激活所述存储器装置。可去激活所述存储器装置。可去激活所述存储器装置。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的降压操作
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张由哈茨(Hartz)等人于2020年10月7日提交申请的标题为“存储器装置的降压操作(REDUCED
‑
VOLTAGE OPERATION OF A MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第17/065,359号的优先权，所述美国专利申请案转让给本专利技术受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。


[0003]本
涉及存储器装置的降压操作。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，其中任何一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测所述存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)及与非(NAND)存储器装置及其它装置。存储器装置可为易失性或非易失性。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间丢失其经编程状态，除非其由外部电源定期刷新。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)也可在延长时间段内维持其经编程状态。

技术实现思路

[0006]描述一种设备。所述设备可包含存储器装置及在所述存储器装置内的控制器。控制器可经配置以致使设备至少部分地基于存储器装置的电源电压超过第一电压阈值及第二电压阈值以第一模式操作存储器装置；在以第一模式操作存储器装置的同时，检测电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间；及至少部分地基于检测到电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间以第二模式操作存储器装置，第二模式对应于相对于第一模式存储器装置的缩减性能。
[0007]描述一种设备。所述设备可包含主机装置，所述主机装置可经配置以与存储器装置耦合。主机装置可经配置以向存储器装置发射多个存取命令，在发射多个存取命令之后接收存储器装置的电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间的指示，及响应于所述指示，至少部分地基于存储器装置的电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间向存储器
装置发送信令。
[0008]描述一种非暂时性计算机可读媒体。非暂时性计算机可读媒体可存储包括指令的代码。在由电子装置的处理器执行时，所述指令可致使电子装置至少部分地基于存储器装置的电源电压超过第一电压阈值及第二电压阈值以第一模式操作存储器装置；在以第一模式操作存储器装置的同时，检测电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间；及至少部分地基于检测到电源电压在第一电压阈值与第二电压阈值之间以第二模式操作存储器装置，第二模式对应于相对于第一模式存储器装置的缩减性能。
附图说明
[0009]图1说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的降压操作的系统的实例。
[0010]图2及3说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的降压操作的状态图的实例。
[0011]图4到6说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的降压操作的框图的实例。
[0012]图7及8展示说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的降压操作的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0013]存储器装置可经配置以使用在所支持的电压值范围内的电源电压来操作。例如，一或多个存储器裸片或其任何数量的组件可直接或间接地由电源电压供电(例如，由使用电源电压产生的电压供电)。如果电源电压在所支持范围之外，那么存储器装置可无法操作，至少根据一或多个可靠性或性能准则。
[0014]如果存储器装置的电源电压下降低于阈值电压，那么一些存储器装置可被去激活(例如，自主地)，所述阈值电压可被称为去激活阈值或复位阈值。当存储器装置由于电源电压下降而去激活时，包含所述存储器装置的系统可经历延迟或以其它方式对其性能产生不利影响。例如，系统可不得不重新激活(例如，重新初始化)存储器装置，不得不重复存储器装置的一或多个操作，或两者，以及其它可能缺点。
[0015]如本文中所描述，可为存储器装置引入额外电压阈值，其可被称为低电压操作阈值且可大于存储器装置的去激活阈值。当存储器装置的电源电压高于去激活阈值及低电压操作阈值时，存储器装置可正常操作(例如，以正常操作模式)。当存储器装置的电源电压下降到低于低电压操作阈值时，而不是被去激活，存储器装置可进入低电压操作模式。低电压操作模式可对应于缩减性能模式。例如，当以低电压操作模式操作时，存储器装置可支持每存储器裸片或横跨多个存储器裸片的减少数量的并发(例如并行)操作。
[0016]以低电压操作模式操作存储器装置可优于存储器装置被去激活。且在至少一些状况下，以低电压操作模式操作存储器装置可减少存储器装置或其组件的电流消耗(例如，通过每单位时间执行更少的操作)，这可避免进一步降低电源电压(例如，通过限制或缩减与电源电压相关联的IR压降，其中IR压降可指代与电源电压的电压源的内阻相关联的压降或在电源电压的电压源与存储器装置或其组件之间的信号路径中任何地方的压降)。因此，低
电压操作模式可避免电源电压进一步下降低于去激活阈值，这可帮助避免存储器装置的去激活。另外或替代地，在一些状况下，经配置以基于低电压操作阈值支持低电压操作模式的存储器装置可能够具有相对于其它存储器装置(例如，基于低电压操作阈值不支持低电压操作阈值的存储器装置)具有较低去激活阈值，这可帮助避免存储器装置的去激活。所属领域的普通技术人员可了解本文中教示内容的这些及其它益处。
[0017]首先在如参考图1所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。在参考图2到4所描述的上下文状态图及框图中描述本公开的特征。本公开的这些及其它特征通过参考如参考图5到8所描述的与用于存储器装置的降压操作有关的设备图及流程图进一步进行说明及描述。
[0018]图1为根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的降压操作的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
[0019]存储器系统110可为或包含任何装置或装置集合，其中所述装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪装置、通用串行总线(USB)快闪装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)，小型DIMM(SO<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器装置；及控制器，其在所述存储器装置内且经配置以致使所述设备：至少部分地基于所述存储器装置的电源电压超过第一电压阈值及第二电压阈值，以第一模式操作所述存储器装置；在以所述第一模式操作所述存储器装置时，检测所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间；及至少部分地基于检测到所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间，以第二模式操作所述存储器装置，所述第二模式对应于相对于所述第一模式的所述存储器装置的缩减性能。2.根据权利要求1所述的设备，其中为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备：限制与所述存储器装置相关联的电流消耗。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：至少部分地基于检测到所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间缩减与所述存储器装置相关联的电流限制，其中：为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备将所述电流消耗限制为低于所述电流限制。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：向所述存储器装置的主机装置指示所述缩减电流限制。5.根据权利要求4所述的设备，其中为了向所述主机装置指示所述缩减电流限制，所述控制器经配置以致使所述设备：将所述缩减电流限制的指示写入到所述存储器装置处的寄存器。6.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第二模式操作所述存储器装置时，接收在所述存储器装置处执行存取操作的命令，其中：为了限制所述存储器装置的所述电流消耗，所述控制器经配置以致使所述设备延迟所述存取操作的执行。7.根据权利要求6所述的设备，其中：所述电流消耗与所述存储器装置内的多个存储器裸片相关联；及为了延迟所述存取操作的执行，所述控制器经配置以致使所述设备等待在所述多个存储器裸片中的第一存储器裸片处执行所述存取操作，直到已在所述多个存储器裸片中的第二存储器裸片处执行第二存取操作。8.根据权利要求6所述的设备，其中：所述电流消耗与所述存储器装置内的存储器裸片相关联；且为了延迟所述存取操作的执行，所述控制器经配置以致使所述设备等待在所述存储器裸片的第一平面内执行所述存取操作，直到已在所述存储器裸片的第二平面内执行第二存取操作。9.根据权利要求1所述的设备，其中：
当以所述第一模式操作时，所述存储器装置支持对存储器裸片内的第一数量的平面的并发存取；且当以所述第二模式操作时，所述存储器装置支持对所述存储器裸片内的第二数量的平面的并发存取，所述第二数量小于所述第一数量。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第一模式操作所述存储器装置同时，接收用于来自横跨存储器裸片的多个平面的第一数据的第一组一或多个存取命令；至少部分地基于以所述第一模式操作所述存储器装置，响应于所述第一组一或多个存取命令从所述多个平面中的第一平面存取所述第一数据的第一子集，同时从所述多个平面中的第二平面存取所述第一数据的第二子集；在以所述第二模式操作所述存储器装置同时，接收用于来自横跨所述存储器裸片的所述多个平面的第二数据的第二组一或多个存取命令；及至少部分地基于以所述第二模式操作所述存储器装置，响应于所述第二组一或多个存取命令，在从所述第一平面存取所述第二数据的第一子集之后从所述第二平面存取所述第二数据的第二子集。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：向所述存储器装置的主机装置指示所述存储器装置的所述电源电压低于所述第二电压阈值；及至少部分地基于所述指示从所述主机装置接收以所述第二模式操作所述存储器装置的指示，其中以所述第二模式操作所述存储器装置至少部分地基于接收所述指示。12.根据权利要求11所述的设备，其中：以所述第二模式操作所述存储器装置的所述指示包括减少与所述存储器装置相关联的电流限制的指示；及为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备将与所述存储器装置相关联的电流消耗限制为低于所述电流限制。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第二模式操作所述存储器装置同时，检测所述电源电压低于所述第一电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：