存储器装置的降压操作制造方法及图纸

本申请案是针对存储器装置的降压操作。存储器装置可基于所述存储器装置的电源电压的值以不同的操作模式操作。例如，当所述电源电压的所述值超过第一阈值电压及第二阈值电压时，所述存储器装置可以正常操作模式操作。当所述电源电压的所述值在所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间时，所述存储器装置可以低电压操作模式操作，所述低电压操作模式可为相对于所述正常操作模式的缩减性能模式。当所述电源电压的所述值低于所述第二阈值电压时，可去激活所述存储器装置。可去激活所述存储器装置。可去激活所述存储器装置。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的降压操作
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张由哈茨(Hartz)等人于2020年10月7日提交申请的标题为“存储器装置的降压操作(REDUCED
‑
VOLTAGE OPERATION OF A MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第17/065,359号的优先权，所述美国专利申请案转让给本专利技术受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。


[0003]本
涉及存储器装置的降压操作。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，其中任何一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测所述存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器装置；及控制器，其在所述存储器装置内且经配置以致使所述设备：至少部分地基于所述存储器装置的电源电压超过第一电压阈值及第二电压阈值，以第一模式操作所述存储器装置；在以所述第一模式操作所述存储器装置时，检测所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间；及至少部分地基于检测到所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间，以第二模式操作所述存储器装置，所述第二模式对应于相对于所述第一模式的所述存储器装置的缩减性能。2.根据权利要求1所述的设备，其中为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备：限制与所述存储器装置相关联的电流消耗。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：至少部分地基于检测到所述电源电压在所述第一电压阈值与所述第二电压阈值之间缩减与所述存储器装置相关联的电流限制，其中：为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备将所述电流消耗限制为低于所述电流限制。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：向所述存储器装置的主机装置指示所述缩减电流限制。5.根据权利要求4所述的设备，其中为了向所述主机装置指示所述缩减电流限制，所述控制器经配置以致使所述设备：将所述缩减电流限制的指示写入到所述存储器装置处的寄存器。6.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第二模式操作所述存储器装置时，接收在所述存储器装置处执行存取操作的命令，其中：为了限制所述存储器装置的所述电流消耗，所述控制器经配置以致使所述设备延迟所述存取操作的执行。7.根据权利要求6所述的设备，其中：所述电流消耗与所述存储器装置内的多个存储器裸片相关联；及为了延迟所述存取操作的执行，所述控制器经配置以致使所述设备等待在所述多个存储器裸片中的第一存储器裸片处执行所述存取操作，直到已在所述多个存储器裸片中的第二存储器裸片处执行第二存取操作。8.根据权利要求6所述的设备，其中：所述电流消耗与所述存储器装置内的存储器裸片相关联；且为了延迟所述存取操作的执行，所述控制器经配置以致使所述设备等待在所述存储器裸片的第一平面内执行所述存取操作，直到已在所述存储器裸片的第二平面内执行第二存取操作。9.根据权利要求1所述的设备，其中：
当以所述第一模式操作时，所述存储器装置支持对存储器裸片内的第一数量的平面的并发存取；且当以所述第二模式操作时，所述存储器装置支持对所述存储器裸片内的第二数量的平面的并发存取，所述第二数量小于所述第一数量。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第一模式操作所述存储器装置同时，接收用于来自横跨存储器裸片的多个平面的第一数据的第一组一或多个存取命令；至少部分地基于以所述第一模式操作所述存储器装置，响应于所述第一组一或多个存取命令从所述多个平面中的第一平面存取所述第一数据的第一子集，同时从所述多个平面中的第二平面存取所述第一数据的第二子集；在以所述第二模式操作所述存储器装置同时，接收用于来自横跨所述存储器裸片的所述多个平面的第二数据的第二组一或多个存取命令；及至少部分地基于以所述第二模式操作所述存储器装置，响应于所述第二组一或多个存取命令，在从所述第一平面存取所述第二数据的第一子集之后从所述第二平面存取所述第二数据的第二子集。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：向所述存储器装置的主机装置指示所述存储器装置的所述电源电压低于所述第二电压阈值；及至少部分地基于所述指示从所述主机装置接收以所述第二模式操作所述存储器装置的指示，其中以所述第二模式操作所述存储器装置至少部分地基于接收所述指示。12.根据权利要求11所述的设备，其中：以所述第二模式操作所述存储器装置的所述指示包括减少与所述存储器装置相关联的电流限制的指示；及为了以所述第二模式操作所述存储器装置，所述控制器经配置以致使所述设备将与所述存储器装置相关联的电流消耗限制为低于所述电流限制。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：在以所述第二模式操作所述存储器装置同时，检测所述电源电压低于所述第一电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：