【技术实现步骤摘要】
PUMP电压的组合调节电路、电荷泵电路和非易失性存储器
[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
,尤其涉及一种PUMP电压的组合调节电路、电荷泵电路和非易失性存储器。
技术介绍
[0002]相关的电荷泵电路中的PUMP电压的组合调节电路,参照图1,具有多个用于分压的电子元件串联构成的分压电路,通过选择对应的开关即对应的电压挡位,即选择了对应的开关连接的分压点到达地线的对应的多个用于分压的电子元件所对应的分压,从而输出对应的挡位的PUMP电压,而随着存储器技术的发展,人们对于在操作存储器中的cell的操作电压的细化的需求越来越高,即对于电荷泵电路能够输出的电压挡位的需求越来越高,但是相关的PUMP电压的组合调节电路的电路结构的导致存在电压挡位存在与对应的开关、导线和用于分压的电子元件的组合一一对应的关系,一旦要增加电压挡位就要增加对应的开关、导线及对应的用于分压的电子元件,而增加对应的用于分压的电子元件就要增加电荷泵电路的面积和成本,不利于存储器的电路面积的极小化设计。
技术实现思路
[0003]以下是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种PUMP电压的组合调节电路,其特征在于,应用于非易失性存储器的电荷泵电路,所述非易失性存储器具有电流型灵敏放大器,所述组合调节电路包括:第一稳压电路,所述第一稳压电路根据所述电荷泵电路的输出、所选择的电压挡位、第一参考电压调整控制所述PUMP电压的组合调节电路的输出的第一时钟控制信号以输出所述电压挡位的电压;第二稳压电路,所述第二稳压电路包括:第一分压电路,所述第一分压电路由多个串联的用于分压的电子元件组成;调节电路,所述调节电路包括:运算放大器,所述运算放大器的反相输入端用以接收第二参考电压;第一P型MOSFET管,所述第一P型MOSFET管的源极与电源相连,所述第一P型MOSFET管的栅极与所述运算放大器的输出端相连,所述第一P型MOSFET管的漏极与所述第一分压电路的一端相连,所述第一分压电路的另一端与地线连接;反馈电路,所述反馈电路包括多个第一选择开关,每个所述第一选择开关的一端连接所述第一分压电路上对应的一个第一分压点,每个所述第一选择开关的另一端与所述运算放大器的同相输入端相连;第一选择输出电路,所述第一选择输出电路包括多个所述第二选择开关,每个所述第二选择开关的一端连接在所述第一分压电路上对应的一个第一分压点,每个所述第二选择开关的另一端连接在所述第一选择输出电路的输出端用以调整所述电流型灵敏放大器的参考电流;第二选择输出电路,所述第二选择输出电路包括多个所述第三选择开关,每个所述第三选择开关的一端连接在所述第一分压电路上对应的一个第二分压点,每个所述第三选择开关的另一端连接在所述第二选择输出电路的输出端用以提供所述第一参考电压。2.根据权利要求1所述的PUMP电压的组合调节电路,其特征在于,所述第一稳压电路包括:第二分压电路,包括多个串联的所述用于分压的电子元件;多个第四选择开关,每个所述第四选择开关的一端与所述第一稳压电路的输出端相连...
【专利技术属性】
技术研发人员:查小芳,
申请(专利权)人:珠海博雅科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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